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產品關鍵詞:深圳反射濺射真空鍍膜技術,真空鍍膜
***更新:2021-01-27 04:30:39
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詳細說明
反應濺射工藝進行過程中靶表面濺射區(qū)域內出現(xiàn)被反應生成物覆蓋或反應生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長的過程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率,深圳反射濺射真空鍍膜技術,化合物覆蓋面積增加。在一定功率的情況下,參與化合物生成的反應氣體量增加,化合物生成率增加。如果反應氣體量增加過度,化合物覆蓋面積增加,如果不能及時調整反應氣體流量,深圳反射濺射真空鍍膜技術,化合物覆蓋面積增加的速率得不到防止,濺射溝道將進一步被化合物覆蓋,當濺射靶被化合物全部覆蓋的時候,靶完全中毒,不能繼續(xù)濺射。影響靶中毒的因素主要是反應氣體和濺射氣體的比例,深圳反射濺射真空鍍膜技術,反應氣體過量就會導致靶中毒。磁控濺射主要利用輝光放電將氬氣離子撞擊靶材表面,靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜。深圳反射濺射真空鍍膜技術
電子束蒸發(fā)蒸鍍如鎢(W)、鉬(Mo)等高熔點材料,需要在坩堝的結構上做一定的改進。高熔點的材料采用錠或者顆粒狀放在坩堝當中,因為水冷坩堝導熱過快,材料難以達到其蒸發(fā)的溫度。經過實驗的驗證,蒸發(fā)高熔點的材料可以用薄片來蒸鍍,將1mm材料薄片架空于碳坩堝上沿,薄片只能通過坩堝邊沿來導熱,散熱速率慢,有利于達到蒸發(fā)的熔點。采用此方法可滿足蒸鍍50nm以下的材料薄膜。在一定溫度下,在真空當中,蒸發(fā)物質的蒸氣與固體或液體平衡過程中所表現(xiàn)出的壓力, 稱為該物質的飽和蒸氣壓。此時蒸發(fā)物表面液相、氣相處于動態(tài)平衡,即到達液相表面的分子全部粘接而不離開,并與從液相都氣相的分子數相等。四川電子束蒸發(fā)真空鍍膜技術真空蒸發(fā)鍍膜是真空室中,加熱蒸發(fā)容器待形成薄膜的原材料,使其原子或者分子從表面氣化逸出,形成蒸汽流。
真空鍍膜的物理過程:PVD(物理的氣相沉積技術)的基本原理可分為三個工藝步驟:(1)金屬顆粒的氣化:即鍍料的蒸發(fā)、升華或被濺射從而形成氣化源(2)鍍料粒子((原子、分子或離子)的遷移:由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞,產生多種反應。(3)鍍料粒子在基片表面的沉積。磁控濺射主要利用輝光放電(glowdischarge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面,靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜。濺鍍薄膜的性質、均勻度都比蒸鍍薄膜來的好,但是鍍膜速度卻比蒸鍍慢比較多。新型的濺鍍設備幾乎都使用強力磁鐵將電子成螺旋狀運動以加速靶材周圍的氬氣離子化,造成靶與氬氣離子間的撞擊機率增加,提高濺鍍速率。
磁控濺射的優(yōu)勢在于可根據靶材的性質來選擇使用不同的靶qiang進行濺射,靶qiang分為射頻靶(RF)、直流靶(DC)、直流脈沖靶(DC Pluse)。其中射頻靶主要用于導電性較差的氧化物、陶瓷等介質膜的濺射,也可以進行常規(guī)金屬材料濺射。直流靶只能用于導電性較好的金屬材料,而直流脈沖靶介于二者之間,可濺射硅、鍺等半導體材料。利用PECVD生長的氮化硅薄膜具有以下優(yōu)點:1.均勻性和重復性好,可大面積成膜2.可在低溫下成膜3.臺階覆蓋性比較好 4.薄膜成分和厚度容易控制 5.應用范圍廣,設備簡單,易于產業(yè)化。利用PECVD生長的氮化硅薄膜均勻性和重復性好,可大面積成膜。
熱氧化是在一定的溫度和氣體條件下,使硅片表面氧化一定厚度的氧化硅的。主要有干法氧化和濕法氧化,干法氧化是在硅片表面通入氧氣,硅片與氧化反應生成氧化硅,氧化速率比較慢,氧化膜厚容易控制。濕法氧化在爐管當中通入氧氣和氫氣,兩者反應生長水蒸氣,水蒸氣與硅片表面反應生長氧化硅,濕法氧化,速率比較快,可以生長比較厚的薄膜。對于薄膜應力主要有以下原因:1.薄膜生長初始階段,薄膜面和界面的表面張力的共同作用;2.沉積過程中膜面溫度遠高于襯底溫度產生熱應變;3.薄膜和襯底間點陣錯配而產生界面應力;4.金屬膜氧化后氧化物原子體積增大產生壓應力;5.斜入射造成各向異性成核、生長;6.薄膜內產生相變或化學組分改變導致原子體積變化。LPCVD反應的能量源是熱能,通常其溫度在500℃-1000℃之間。深圳反射濺射真空鍍膜技術
化學氣相沉積法主要有常壓CVD、LPCVD、PECVD等方法。深圳反射濺射真空鍍膜技術
磁控濺射主要利用輝光放電(glowdischarge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面,靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜。濺鍍薄膜的性質、均勻度都比蒸鍍薄膜來的好,但是鍍膜速度卻比蒸鍍慢比較多。新型的濺鍍設備幾乎都使用強力磁鐵將電子成螺旋狀運動以加速靶材周圍的氬氣離子化,造成靶與氬氣離子間的撞擊機率增加,提高濺鍍速率。真空鍍膜的物理過程:PVD(物理的氣相沉積技術)的基本原理可分為三個工藝步驟:(1)金屬顆粒的氣化:即鍍料的蒸發(fā)、升華或被濺射從而形成氣化源(2)鍍料粒子((原子、分子或離子)的遷移:由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞,產生多種反應。(3)鍍料粒子在基片表面的沉積。深圳反射濺射真空鍍膜技術
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