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產品關鍵詞:貴州LPCVD真空鍍膜,真空鍍膜
***更新:2021-01-27 09:22:00
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電子束蒸發(fā):將蒸發(fā)材料置于水冷坩堝中,利用電子束直接加熱使蒸發(fā)材料汽化并在襯底上凝結形成薄膜,是蒸度高熔點薄膜和高純薄膜的一種主要加熱方法,貴州LPCVD真空鍍膜。為了獲得性能良好的半導體電極Al膜,我們通過優(yōu)化工藝參數(shù),制備了一系列性能優(yōu)越的Al薄膜。通過理論計算和性能測試,分析比較了電子束蒸發(fā)與磁控濺射兩種方法制備Al膜的特點。考慮Al膜的致密性就相當于考慮Al膜的晶粒的大小,貴州LPCVD真空鍍膜,密度以及能達到均勻化的程度,貴州LPCVD真空鍍膜,因為它也直接影響Al膜的其它性能,進而影響半導體嘩啦的性能。氣相沉積的多晶Al膜的晶粒尺寸隨著沉積過程中吸附原子或原子團在基片表面遷移率的增加而增加。由此可以看出Al膜的晶粒尺寸的大小將取決環(huán)于基片溫度、沉積速度、氣相原子在平行基片方面的速度分量、基片表面光潔度和化學活性等因素。磁控濺射一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍,而不導電的陶磁材料則使用RF交流濺鍍。貴州LPCVD真空鍍膜
電子束蒸發(fā)是目前真空鍍膜技術中一種成熟且主要的鍍膜方法,它解決了電阻加熱方式中鎢舟材料與蒸鍍源材料直接接觸容易互混的問題。同時在同一蒸發(fā)沉積裝置中可以安置多個坩堝,實現(xiàn)同時或分別蒸發(fā),沉積多種不同的物質。通過電子束蒸發(fā),任何材料都可以被蒸發(fā),不同材料需要采用不同類型的坩堝以獲得所要達到的蒸發(fā)速率。電子束蒸發(fā)可以蒸發(fā)高熔點材料,比一般電阻加熱蒸發(fā)熱效率高、 束流密度大、蒸發(fā)速度快,制成的薄膜純度高、質量好,通過晶振控制,厚度可以較準確地控制,可以普遍應用于制備高純薄膜和各種光學材料薄膜。電子束蒸發(fā)的金屬粒子只能考自身能量附著在襯底表面,臺階覆蓋性比較差,如果需要追求臺階覆蓋性和薄膜粘附力,建議使用磁控濺射。浙江ITO鍍膜真空鍍膜服務通過PVD制備的薄膜通常存在應力問題,不同材料與襯底間可能存在壓應力或張應力。
熱氧化氧化過程主要分兩個步驟:步驟一:氧氣或者水蒸氣等吸附到氧化硅表面,步驟二:氧氣或者水蒸氣等擴散到硅表面,步驟三:氧氣或者水蒸氣等與硅反應生成氧化硅。熱蒸發(fā)主要是三個過程:1.蒸發(fā)材料從固態(tài)轉化為氣態(tài)的過程。2.氣化原子或分子在蒸發(fā)源與基底之間的運輸 3.蒸發(fā)原子或分子在襯底表面上淀積過程,即是蒸汽凝聚、成核、核生長、形成連續(xù)薄膜的過程。熱氧化與化學氣相沉積不同,她是通過氧氣或水蒸氣擴散到硅表面并進行化學反應形成氧化硅。熱氧化形成氧化硅時,會消耗相當于氧化硅膜厚的45%的硅。
真空蒸發(fā)鍍膜法,設備比較簡單、容易操作、制成的薄膜純度高、質量好、膜厚容易控制,成膜速率快,效果高。在蒸發(fā)溫度以上進行蒸發(fā)試,蒸發(fā)源溫度的微小變化即可引起蒸發(fā)速率發(fā)生很大變化。因此,在鍍膜過程中,想要控制蒸發(fā)速率,必須精確控制蒸發(fā)源的溫度,加熱時應盡量避免產生過大的溫度梯度。蒸發(fā)速率正比于材料的飽和蒸氣壓,溫度變化10%左右,飽和蒸氣壓就要變化一個數(shù)量級左右。真空蒸發(fā)鍍膜是在真空室中,加熱蒸發(fā)容器待形成薄膜的原材料,使其原子或者分子從表面氣化逸出,形成蒸汽流,入射到襯底或者基片表面,凝結形成固態(tài)薄膜的方法。等離子體化學氣相沉積法,利用了等離子體的活性來促進反應,使化學反應能在較低的溫度下進行。
PECVD在低溫范圍內(200-350℃),沉積速率會隨著基片溫度的升高而略微下降,但不是太明顯。PECVD生長氧化硅薄膜是一個比較復雜的過程,薄膜的沉積速率主要受到反應氣體比例、RF功率、反應室壓力、基片生長溫度等。在一定范圍內,提高硅烷與笑氣的比例,可提供氧化硅的沉積速率。在RF功率較低的時候,提升RF功率可提升薄膜的沉積速率,當RF增加到一定值后,沉積速率隨RF增大而減少,然后趨于飽和。在一定的氣體總量條件下,沉積速率隨腔體壓力增大而增大。為了使化學反應能在較低的溫度下進行,利用了等離子體的活性來促進反應。云南等離子體增強氣相沉積真空鍍膜服務
PECVD薄膜的沉積速率主要受到反應氣體比例、RF功率、反應室壓力、基片生長溫度等。貴州LPCVD真空鍍膜
針對PVD制備薄膜應力的解決辦法主要有:1.提高襯底溫度,有利于薄膜和襯底間原子擴散,并加速反應過程,有利于形成擴散附著,降低內應力;2.熱退火處理,薄膜中存在的各種缺陷是產生本征應力的主要原因,這些缺陷一般都是非平衡缺陷,有自行消失的傾向,但需要外界給予活化能。對薄膜進行熱處理,非平衡缺陷大量消失,薄膜內應力卓著降低;3.添加亞層控制多層薄膜應力,利用應變相消原理,在薄膜層之間再沉積一層薄膜,控制工藝使其呈現(xiàn)與結構薄膜相反的應力狀態(tài),緩解應力帶來的破壞作用,整體上抵消內部應力。貴州LPCVD真空鍍膜
廣東省科學院半導體研究所主要經營范圍是電子元器件,擁有一支專業(yè)技術團隊和良好的市場口碑。公司業(yè)務分為微納加工技術服務,真空鍍膜技術服務,紫外光刻技術服務,材料刻蝕技術服務等,目前不斷進行創(chuàng)新和服務改進,為客戶提供良好的產品和服務。公司秉持誠信為本的經營理念,在電子元器件深耕多年,以技術為先導,以自主產品為重點,發(fā)揮人才優(yōu)勢,打造電子元器件良好品牌。廣東省半導體所立足于全國市場,依托強大的研發(fā)實力,融合前沿的技術理念,飛快響應客戶的變化需求。
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