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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:中山氮化硅材料刻蝕外協(xié),材料刻蝕
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當前位置:首頁?產(chǎn)品供應(yīng)?電子元器件?電子材料、零部件、結(jié)構(gòu)件?半導體材料?中山氮化硅材料刻蝕外協(xié) 廣東省科學院半導體研究所供應(yīng)
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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:中山氮化硅材料刻蝕外協(xié),材料刻蝕
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“刻蝕”指用化學和物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料,是晶圓制造中不可或缺的關(guān)鍵步驟??涛g技術(shù)按工藝可以分為濕法刻蝕與干法刻蝕,其中干法刻蝕是目前8英寸、12英寸先進制程中的主要刻蝕手段,中山氮化硅材料刻蝕外協(xié),干法刻蝕又多以“等離子體刻蝕”為主導。在刻蝕環(huán)節(jié)中,硅電極產(chǎn)生高電壓,中山氮化硅材料刻蝕外協(xié),令刻蝕氣體形成電離狀態(tài),中山氮化硅材料刻蝕外協(xié),其與芯片同時處于刻蝕設(shè)備的同一腔體中,并隨著刻蝕進程而逐步被消耗,因此刻蝕電極也需要達到與晶圓一樣的半導體級的純度(11個9)。為了復制硅片表面材料上的掩膜圖形,刻蝕必須滿足一些特殊的要求。中山氮化硅材料刻蝕外協(xié)
等離子刻蝕是將電磁能量(通常為射頻(RF))施加到含有化學反應(yīng)成分(如氟或氯)的氣體中實現(xiàn)。等離子會釋放帶正電的離子來撞擊晶圓以去除(刻蝕)材料,并和活性自由基產(chǎn)生化學反應(yīng),與刻蝕的材料反應(yīng)形成揮發(fā)性或非揮發(fā)性的殘留物。離子電荷會以垂直方向射入晶圓表面。這樣會形成近乎垂直的刻蝕形貌,這種形貌是現(xiàn)今密集封裝芯片設(shè)計中制作細微特征所必需的。一般而言,高蝕速率(在一定時間內(nèi)去除的材料量)都會受到歡迎。反應(yīng)離子刻蝕(RIE)的目標是在物理刻蝕和化學刻蝕之間達到較佳平衡,使物理撞擊(刻蝕率)強度足以去除必要的材料,同時適當?shù)幕瘜W反應(yīng)能形成易于排出的揮發(fā)性殘留物或在剩余物上形成保護性沉積(選擇比和形貌控制)。采用磁場增強的RIE工藝,通過增加離子密度而不增加離子能量(可能會損失晶圓)的方式,改進了處理過程。中山深硅刻蝕材料刻蝕代工干法刻蝕優(yōu)點是:細線條操作安全,易實現(xiàn)自動化,無化學廢液,處理過程未引入污染,潔凈度高。
基本工藝要求理想的刻蝕工藝必須具有以下特點:①各向異性刻蝕,即只有垂直刻蝕,沒有橫向鉆蝕。這樣才能保證精確地在被刻蝕的薄膜上復制出與抗蝕劑上完全一致的幾何圖形;②良好的刻蝕選擇性,即對作為掩模的抗蝕劑和處于其下的另一層薄膜或材料的刻蝕速率都比被刻蝕薄膜的刻蝕速率小得多,以保證刻蝕過程中抗蝕劑掩蔽的有效性,不致發(fā)生因為過刻蝕而損壞薄膜下面的其他材料;③加工批量大,控制容易,成本低,對環(huán)境污染少,適用于工業(yè)生產(chǎn)。
二氧化硅的干法刻蝕:刻蝕原理氧化物的等離子體刻蝕工藝大多采用含有氟碳化合物的氣體進行刻蝕。使用的氣體有四氟化碳(CF)、八氟丙烷(C,F(xiàn)8)、三氟甲烷(CHF3)等,常用的是CF和CHFCF的刻蝕速率比較高但對多晶硅的選擇比不好,CHF3的聚合物生產(chǎn)速率較高,非等離子體狀態(tài)下的氟碳化合物化學穩(wěn)定性較高,且其化學鍵比SiF的化學鍵強,不會與硅或硅的氧化物反應(yīng)。選擇比的改變在當今半導體工藝中,Si02的干法刻蝕主要用于接觸孔與金屬間介電層連接洞的非等向性刻蝕方面。前者在S102下方的材料是Si,后者則是金屬層,通常是TiN(氮化鈦),因此在Si02的刻蝕中,Si07與Si或TiN的刻蝕選擇比是一個比較重要的因素。無圖形刻蝕、反刻或剝離是在整個硅片沒有掩模的情況下進行的,這種刻蝕工藝用于剝離掩模層。
反應(yīng)離子刻蝕:這種刻蝕過程同時兼有物理和化學兩種作用。輝光放電在零點幾到幾十帕的低真空下進行。硅片處于陰極電位,放電時的電位大部分降落在陰極附近。大量帶電粒子受垂直于硅片表面的電場加速,垂直入射到硅片表面上,以較大的動量進行物理刻蝕,同時它們還與薄膜表面發(fā)生強烈的化學反應(yīng),產(chǎn)生化學刻蝕作用。選擇合適的氣體組分,不僅可以獲得理想的刻蝕選擇性和速度,還可以使活性基團的壽命短,這就有效地阻止了因這些基團在薄膜表面附近的擴散所能造成的側(cè)向反應(yīng),較大提高了刻蝕的各向異性特性。反應(yīng)離子刻蝕是超大規(guī)模集成電路工藝中比較有發(fā)展前景的一種刻蝕方法。原位芯片目前掌握多種刻蝕工藝,并會根據(jù)客戶的需求,設(shè)計刻蝕效果好且性價比高的刻蝕解決方案。中山氮化硅材料刻蝕外協(xié)
有圖形刻蝕可用來在硅片上制作多種不同的特征圖形,包括柵、金屬互連線、通孔、接觸孔和溝槽。中山氮化硅材料刻蝕外協(xié)
汽車電子、互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用產(chǎn)品、移動通信、智慧家庭、5G、消費電子產(chǎn)品等領(lǐng)域成為中國電子元器件市場發(fā)展的源源不斷的動力,帶動了電子元器件的市場需求,也加快電子元器件更迭換代的速度,從下游需求層面來看,電子元器件市場的發(fā)展前景極為可觀。當前國內(nèi)微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)行業(yè)發(fā)展迅速,我國 5G 產(chǎn)業(yè)發(fā)展已走在世界前列,但在整體產(chǎn)業(yè)鏈布局方面,我國企業(yè)主要處于產(chǎn)業(yè)鏈的中下游。在產(chǎn)業(yè)鏈上游,尤其是微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)和器件等重點環(huán)節(jié),技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平遠遠落后于國外。我國也在這方面很看重,技術(shù),意在擺脫我國元器件受國外****企業(yè)間的不確定因素影響。我國和電子元器件的專業(yè)人員不懈努力,終于獲得了回報!電子元器件加工是聯(lián)結(jié)上下游供求必不可少的紐帶,目前電子元器件企業(yè)商已承擔了終端應(yīng)用中的大量技術(shù)服務(wù)需求,保證了原廠產(chǎn)品在終端的應(yīng)用,提高了產(chǎn)業(yè)鏈的整體效率和價值。電子元器件行業(yè)規(guī)模不斷增長,國內(nèi)市場表現(xiàn)優(yōu)于國際市場,多個下**業(yè)的應(yīng)用前景明朗,電子元器件行業(yè)具備廣闊的發(fā)展空間和增長潛力。中山氮化硅材料刻蝕外協(xié)
廣東省科學院半導體研究所致力于電子元器件,是一家服務(wù)型公司。公司自成立以來,以質(zhì)量為發(fā)展,讓匠心彌散在每個細節(jié),公司旗下微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)深受客戶的喜愛。公司從事電子元器件多年,有著創(chuàng)新的設(shè)計、強大的技術(shù),還有一批**的專業(yè)化的隊伍,確保為客戶提供良好的產(chǎn)品及服務(wù)。在社會各界的鼎力支持下,持續(xù)創(chuàng)新,不斷鑄造***服務(wù)體驗,為客戶成功提供堅實有力的支持。
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