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物理的氣相沉積技術(shù)具有膜/基結(jié)合力好、薄膜均勻致密、薄膜厚度可控性好、應(yīng)用的靶材普遍、濺射范圍寬、可沉積厚膜、可制取成分穩(wěn)定的合金膜和重復(fù)性好等優(yōu)點。同時,物理的氣相沉積技術(shù)由于其工藝處理溫度可控制在500℃以下,安徽金屬真空鍍膜實驗室。化學(xué)氣相沉積技術(shù)是把含有構(gòu)成薄膜元素的單質(zhì)氣體或化合物供給基體,借助氣相作用或基體表面上的化學(xué)反應(yīng),在基體上制出金屬或化合物薄膜的方法,主要包括常壓化學(xué)氣相沉積,安徽金屬真空鍍膜實驗室、低壓化學(xué)氣相沉積和兼有CVD和PVD兩者特點的等離子化學(xué)氣相沉積等。在一定溫度下,安徽金屬真空鍍膜實驗室,真空當中,蒸發(fā)物質(zhì)的蒸氣與固體平衡過程中所表現(xiàn)出的壓力, 稱為該物質(zhì)的飽和蒸氣壓。安徽金屬真空鍍膜實驗室
熱氧化氧化過程主要分兩個步驟:步驟一:氧氣或者水蒸氣等吸附到氧化硅表面,步驟二:氧氣或者水蒸氣等擴散到硅表面,步驟三:氧氣或者水蒸氣等與硅反應(yīng)生成氧化硅。熱蒸發(fā)主要是三個過程:1.蒸發(fā)材料從固態(tài)轉(zhuǎn)化為氣態(tài)的過程。2.氣化原子或分子在蒸發(fā)源與基底之間的運輸 3.蒸發(fā)原子或分子在襯底表面上淀積過程,即是蒸汽凝聚、成核、核生長、形成連續(xù)薄膜的過程。熱氧化與化學(xué)氣相沉積不同,她是通過氧氣或水蒸氣擴散到硅表面并進行化學(xué)反應(yīng)形成氧化硅。熱氧化形成氧化硅時,會消耗相當于氧化硅膜厚的45%的硅。江蘇ITO鍍膜真空鍍膜外協(xié)PECVD生長氧化硅薄膜是一個比較復(fù)雜的過程。
PECVD反應(yīng)過程中,反應(yīng)氣體從進氣口進入爐腔,逐漸擴散至襯底表面,在射頻源激發(fā)的電場作用下,反應(yīng)氣體分解成電子、離子和活性基團等。分解物發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成形成膜的初始成分和副反應(yīng)物,這些生成物以化學(xué)鍵的形式吸附到樣品表面,生成固態(tài)膜的晶核,晶核逐漸生長成島狀物,島狀物繼續(xù)生長成連續(xù)的薄膜。在薄膜生長過程中,各種副產(chǎn)物從膜的表面逐漸脫離,在真空泵的作用下從出口排出。化學(xué)氣相沉積法(CVD)是一種利用化學(xué)反應(yīng)的方式,將反應(yīng)氣體生成固態(tài)的產(chǎn)物,并沉積在基片表面的薄膜沉積技術(shù)。主要有常壓CVD、LPCVD(低壓氣相沉積法)、PECVD(等離子體增強氣相沉積法)等方法。
磁控濺射主要利用輝光放電(glowdischarge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面,靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜。濺鍍薄膜的性質(zhì)、均勻度都比蒸鍍薄膜來的好,但是鍍膜速度卻比蒸鍍慢比較多。新型的濺鍍設(shè)備幾乎都使用強力磁鐵將電子成螺旋狀運動以加速靶材周圍的氬氣離子化,造成靶與氬氣離子間的撞擊機率增加,提高濺鍍速率。真空鍍膜的物理過程:PVD(物理的氣相沉積技術(shù))的基本原理可分為三個工藝步驟:(1)金屬顆粒的氣化:即鍍料的蒸發(fā)、升華或被濺射從而形成氣化源(2)鍍料粒子((原子、分子或離子)的遷移:由氣化源供出原子、分子或離子經(jīng)過碰撞,產(chǎn)生多種反應(yīng)。(3)鍍料粒子在基片表面的沉積。電子束蒸發(fā)源由發(fā)射電子的熱陰極、電子加速極和作為陽極的鍍膜材料組成。
磁控濺射一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍,而不導(dǎo)電的陶磁材料則使用RF交流濺鍍,基本的原理是在真空中利用輝光放電(glowdischarge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面,電漿中的陽離子會加速沖向作為被濺鍍材的負電極表面,這個沖擊將使靶材的物質(zhì)飛出而沉積在基板上形成薄膜。PECVD( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等離子增強化學(xué)氣相沉積,等離子體是物質(zhì)分子熱運動加劇,相互間的碰撞會導(dǎo)致氣體分子產(chǎn)生電離,物質(zhì)就會變成自由運動并由相互作用的正離子、電子和中性粒子組成的混合物。在蒸發(fā)溫度以上進行蒸發(fā)試,蒸發(fā)源溫度的微小變化即可引起蒸發(fā)速率發(fā)生很大變化。江蘇ITO鍍膜真空鍍膜外協(xié)
電子束蒸發(fā)的金屬粒子只能考自身能量附著在襯底表面,臺階覆蓋性比較差。安徽金屬真空鍍膜實驗室
PECVD一般用到的氣體有硅烷、笑氣、氨氣等其他。這些氣體通過氣管進入在反應(yīng)腔體,在射頻源的左右下,氣體被電離成活性基團?;钚曰鶊F進行化學(xué)反應(yīng),在低溫(300攝氏度左右)生長氧化硅或者氮化硅。氧化硅和氮化硅可用于半導(dǎo)體器件的絕緣層,可有效的進行絕緣。PECVD系統(tǒng)的氣源幾乎都是由氣體鋼瓶供氣,這些鋼瓶被放置在有許多安全保護裝置的氣柜中,通過氣柜上的控制面板、管道輸送到PECVD的工藝腔體中。在淀積時,反應(yīng)氣體的多少會影響淀積的速率及其均勻性等,因此需要嚴格控制氣體流量,通常采用質(zhì)量流量計來實現(xiàn)精確控制。安徽金屬真空鍍膜實驗室
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所主要經(jīng)營范圍是電子元器件,擁有一支專業(yè)技術(shù)團隊和良好的市場口碑。公司自成立以來,以質(zhì)量為發(fā)展,讓匠心彌散在每個細節(jié),公司旗下微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)深受客戶的喜愛。公司注重以質(zhì)量為中心,以服務(wù)為理念,秉持誠信為本的理念,打造電子元器件良好品牌。廣東省半導(dǎo)體所憑借創(chuàng)新的產(chǎn)品、專業(yè)的服務(wù)、眾多的成功案例積累起來的聲譽和口碑,讓企業(yè)發(fā)展再上新高。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/3041514.html
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