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產品關鍵詞:甘肅深硅刻蝕材料刻蝕加工廠商,材料刻蝕
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當前位置:首頁?產品供應?電子元器件?電子材料、零部件、結構件?半導體材料?甘肅深硅刻蝕材料刻蝕加工廠商 廣東省科學院半導體研究所供應
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詳細說明
濕法刻蝕是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內進行腐蝕的技術,是利用合適的化學試劑先將未被光刻膠覆蓋的晶片部分分解,然后轉成可溶的化合物達到去除的目的。濕法刻蝕是刻蝕的一種方法,其他的有干刻蝕,甘肅深硅刻蝕材料刻蝕加工廠商,甘肅深硅刻蝕材料刻蝕加工廠商,等離子刻蝕等。濕法刻蝕這種刻蝕技術主要是借助腐蝕液和晶片材料的化學反應,因此我們可以借助化學試劑的選取、配比以及溫度的控制等來達到合適的刻蝕速率和良好的刻蝕選擇比。濕法刻蝕的過程:(1)反應物擴散到欲被刻蝕材料的表面;(2)反應物與被刻蝕材料反應;(3)反應后的產物離開刻蝕表面擴散到溶液中,甘肅深硅刻蝕材料刻蝕加工廠商,隨溶液被排出。硅和金屬刻蝕使用含氯成分的化學物質。甘肅深硅刻蝕材料刻蝕加工廠商
干刻蝕是一類較新型,但迅速為半導體工業(yè)所采用的技術。其利用電漿(plasma)來進行半導體薄膜材料的刻蝕加工。其中電漿必須在真空度約10至0.001Torr的環(huán)境下,才有可能被激發(fā)出來;而干刻蝕采用的氣體,或轟擊質量頗巨,或化學活性極高,均能達成刻蝕的目的。干刻蝕基本上包括離子轟擊與化學反應兩部份刻蝕機制。偏「離子轟擊」效應者使用氬氣(argon),加工出來之邊緣側向侵蝕現(xiàn)象極微。而偏化學反應效應者則采氟系或氯系氣體(如四氟化碳CF4),經(jīng)激發(fā)出來的電漿,即帶有氟或氯之離子團,可快速與芯片表面材質反應。刪轎厚干刻蝕法可直接利用光阻作刻蝕之阻絕遮幕,不必另行成長阻絕遮幕之半導體材料。而其較重要的優(yōu)點,能兼顧邊緣側向侵蝕現(xiàn)象極微與高刻蝕率兩種優(yōu)點,換言之,本技術中所謂活性離子刻蝕已足敷頁堡局滲次微米線寬制程技術的要求,而正被大量使用。上海深硅刻蝕材料刻蝕版廠家二氧化硅的刻蝕,可以采用濕法腐蝕的方法來腐蝕,也可以采用ICP干法來刻蝕。
同樣的刻蝕條件,針對不同的刻蝕暴露面積,刻蝕的速率會有所不一樣。通常來說,刻蝕面積越大,刻蝕的速率越慢,暴露面積越小,刻蝕的速率越快。所以在速率調試的過程中,需要使用尺寸相當?shù)臉悠愤M來調試,這樣調試的刻蝕速率參考意義比較大。氮化硅濕法刻蝕:對于鈍化層,另外一種受青睞的化合物是氮化硅??梢杂靡后w化學的方法來刻蝕,但是不想其他層那樣容易。使用的化學品是熱磷酸。因酸液在此溫度下會迅速蒸發(fā),所以刻蝕要在一個裝有冷卻蓋的密封回流容器中進行。主要問題是光刻膠層經(jīng)不起刻蝕劑的溫度和高刻蝕速率。因此,需要一層二氧化硅或其他材料來阻擋刻蝕劑。這兩個因素已導致對于氮化硅使用干法刻蝕技術。
等離子刻蝕是干法刻蝕中較常見的一種形式。一種或多種氣體原子或分子混合于反應腔室中,在外部能量作用下(如射頻、微波等)形成等離子體。其原理是暴露在電子區(qū)域的氣體形成等離子體,由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體,從而形成了等離子或離子,電離氣體原子通過電場加速時,會釋放足夠的力量與表面驅逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。一個等離子體干法刻蝕系統(tǒng)基本部件包括:發(fā)生刻蝕反應的反應腔、產生等離子體氣的射頻電源、氣體流量控制系統(tǒng)、去除生成物的真空系統(tǒng)??涛g中會用到大量的化學氣體,通常用氟刻蝕二氧化硅,氯和氟刻蝕鋁,氯、氟和溴刻蝕硅,氧去除光刻膠。減少非均勻性和微負載是刻蝕的重要目標。
刻蝕也可以分成有圖形刻蝕和無圖形刻蝕。有圖形刻蝕采用掩蔽層(有圖形的光刻膠)來定義要刻蝕掉的表面材料區(qū)域,只有硅片上被選擇的這一部分在刻蝕過程中刻掉。有圖形刻蝕可用來在硅片上制作多種不同的特征圖形,包括柵、金屬互連線、通孔、接觸孔和溝槽。無圖形刻蝕、反刻或剝離是在整個硅片沒有掩模的情況下進行的,這種刻蝕工藝用于剝離掩模層(如STI氮化硅剝離和用于制備晶體管注入側墻的硅化物工藝后鈦的剝離)。反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時采用的(如當平坦化硅片表面時需要減小形貌特征)。刻蝕是用化學或物理方法有選擇的從硅片表面去除不需要的材料的過程。湖南深硅刻蝕材料刻蝕加工工廠
刻蝕成了通過溶液、反應離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱。甘肅深硅刻蝕材料刻蝕加工廠商
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文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/3044833.html
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