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***更新:2021-01-30 01:18:39
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反應濺射工藝進行過程中靶表面濺射區(qū)域內出現被反應生成物覆蓋或反應生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長的過程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率,化合物覆蓋面積增加。在一定功率的情況下,參與化合物生成的反應氣體量增加,廣州ITO鍍膜真空鍍膜價格,化合物生成率增加。如果反應氣體量增加過度,化合物覆蓋面積增加,如果不能及時調整反應氣體流量,化合物覆蓋面積增加的速率得不到防止,濺射溝道將進一步被化合物覆蓋,當濺射靶被化合物全部覆蓋的時候,靶完全中毒,不能繼續(xù)濺射。影響靶中毒的因素主要是反應氣體和濺射氣體的比例,廣州ITO鍍膜真空鍍膜價格,反應氣體過量就會導致靶中毒,廣州ITO鍍膜真空鍍膜價格。PECVD當中沉積速率過快,會導致氧化硅薄膜速率過快,說明薄膜質量比較差。廣州ITO鍍膜真空鍍膜價格
PECVD生長氧化硅薄膜是一個比較復雜的過程,薄膜的沉積速率主要受到反應氣體比例、RF功率、反應室壓力、基片生長溫度等。在一定范圍內,提高硅烷與笑氣的比例,可提供氧化硅的沉積速率。在RF功率較低的時候,提升RF功率可提升薄膜的沉積速率,當RF增加到一定值后,沉積速率隨RF增大而減少,然后趨于飽和。在一定的氣體總量條件下,沉積速率隨腔體壓力增大而增大。PECVD在低溫范圍內(200-350℃),沉積速率會隨著基片溫度的升高而略微下降,但不是太明顯。廣州ITO鍍膜真空鍍膜價格薄膜中存在的各種缺陷是產生本征應力的主要原因,這些缺陷一般都是非平衡缺陷,有自行消失的傾向。
使用等離子體增強氣相沉積法(PECVD)可在低溫(200-350℃)沉積出良好的氧化硅薄膜,已被普遍應用于半導體器件工藝當中。在LED工藝當中,因為PECVD生長出的氧化硅薄膜具有結構致密,介電強度高、硬度大等優(yōu)點,而且氧化硅薄膜對可見光波段吸收系數很小,所以氧化硅被用于芯片的絕緣層和鈍化層。評價氧化硅薄膜的質量,較簡單的方法是采用BOE腐蝕氧化硅薄膜,腐蝕速率越慢,薄膜質量越致密,反之,腐蝕速率越快,薄膜質量越差。另外,沉積速率的快慢也會影響到薄膜的質量,沉積速率過快,會導致氧化硅薄膜速率過快,說明薄膜質量比較差。
電子束蒸發(fā):將蒸發(fā)材料置于水冷坩堝中,利用電子束直接加熱使蒸發(fā)材料汽化并在襯底上凝結形成薄膜,是蒸度高熔點薄膜和高純薄膜的一種主要加熱方法。為了獲得性能良好的半導體電極Al膜,我們通過優(yōu)化工藝參數,制備了一系列性能優(yōu)越的Al薄膜。通過理論計算和性能測試,分析比較了電子束蒸發(fā)與磁控濺射兩種方法制備Al膜的特點??紤]Al膜的致密性就相當于考慮Al膜的晶粒的大小,密度以及能達到均勻化的程度,因為它也直接影響Al膜的其它性能,進而影響半導體嘩啦的性能。氣相沉積的多晶Al膜的晶粒尺寸隨著沉積過程中吸附原子或原子團在基片表面遷移率的增加而增加。由此可以看出Al膜的晶粒尺寸的大小將取決環(huán)于基片溫度、沉積速度、氣相原子在平行基片方面的速度分量、基片表面光潔度和化學活性等因素。電子束蒸發(fā)法是真空蒸發(fā)鍍膜中常用的一種方法。
電子束蒸發(fā)蒸鍍如鎢(W)、鉬(Mo)等高熔點材料,需要在坩堝的結構上做一定的改進。高熔點的材料采用錠或者顆粒狀放在坩堝當中,因為水冷坩堝導熱過快,材料難以達到其蒸發(fā)的溫度。經過實驗的驗證,蒸發(fā)高熔點的材料可以用薄片來蒸鍍,將1mm材料薄片架空于碳坩堝上沿,薄片只能通過坩堝邊沿來導熱,散熱速率慢,有利于達到蒸發(fā)的熔點。采用此方法可滿足蒸鍍50nm以下的材料薄膜。在一定溫度下,在真空當中,蒸發(fā)物質的蒸氣與固體或液體平衡過程中所表現出的壓力, 稱為該物質的飽和蒸氣壓。此時蒸發(fā)物表面液相、氣相處于動態(tài)平衡,即到達液相表面的分子全部粘接而不離開,并與從液相都氣相的分子數相等。PECVD,等離子體化學氣相沉積法是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離。廣州ITO鍍膜真空鍍膜價格
PECVD當中沉積速率的快慢也會影響到薄膜的質量。廣州ITO鍍膜真空鍍膜價格
對于薄膜應力主要有以下原因:1.薄膜生長初始階段,薄膜面和界面的表面張力的共同作用;2.沉積過程中膜面溫度遠高于襯底溫度產生熱應變;3.薄膜和襯底間點陣錯配而產生界面應力;4.金屬膜氧化后氧化物原子體積增大產生壓應力;5.斜入射造成各向異性成核、生長;6.薄膜內產生相變或化學組分改變導致原子體積變化。熱氧化是在一定的溫度和氣體條件下,使硅片表面氧化一定厚度的氧化硅的。主要有干法氧化和濕法氧化,干法氧化是在硅片表面通入氧氣,硅片與氧化反應生成氧化硅,氧化速率比較慢,氧化膜厚容易控制。濕法氧化在爐管當中通入氧氣和氫氣,兩者反應生長水蒸氣,水蒸氣與硅片表面反應生長氧化硅,濕法氧化,速率比較快,可以生長比較厚的薄膜。廣州ITO鍍膜真空鍍膜價格
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