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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:東莞ICP材料刻蝕多少錢,材料刻蝕
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等離子體刻蝕機(jī)要求相同的元素:化學(xué)刻蝕劑和能量源,東莞ICP材料刻蝕多少錢。物理上,東莞ICP材料刻蝕多少錢,等離子體刻蝕劑由反應(yīng)室,東莞ICP材料刻蝕多少錢、真空系統(tǒng)、氣體供應(yīng)、終點(diǎn)檢測(cè)和電源組成。晶圓被送入反應(yīng)室,并由真空系統(tǒng)把內(nèi)部壓力降低。在真空建立起來(lái)后,將反應(yīng)室內(nèi)充入反應(yīng)氣體。對(duì)于二氧化硅刻蝕,氣體一般使用CF4和氧的混合劑。電源通過(guò)在反應(yīng)室中的電極創(chuàng)造了一個(gè)射頻電場(chǎng)。能量場(chǎng)將混合氣體激發(fā)或等離子體狀態(tài)。在激發(fā)狀態(tài),氟刻蝕二氧化硅,并將其轉(zhuǎn)化為揮發(fā)性成分由真空系統(tǒng)排出。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。濕法刻蝕是一個(gè)純粹的化學(xué)反應(yīng)過(guò)程。東莞ICP材料刻蝕多少錢
溫度越高刻蝕效率越高,但是溫度過(guò)高工藝方面波動(dòng)較大,只要通過(guò)設(shè)備自帶溫控器和點(diǎn)檢確認(rèn)??涛g流片的速度與刻蝕速率密切相關(guān)噴淋流量的大小決定了基板表面藥液置換速度的快慢,流量控制可保證基板表面藥液濃度均勻。過(guò)刻量即測(cè)蝕量,適當(dāng)增加測(cè)試量可有效控制刻蝕中的點(diǎn)狀不良作業(yè)數(shù)量管控:每天對(duì)生產(chǎn)數(shù)量及時(shí)記錄,達(dá)到規(guī)定作業(yè)片數(shù)及時(shí)更換。作業(yè)時(shí)間管控:由于藥液的揮發(fā),所以如果在規(guī)定更換時(shí)間未達(dá)到相應(yīng)的生產(chǎn)片數(shù)藥液也需更換。首片和抽檢管控:作業(yè)時(shí)需先進(jìn)行首片確認(rèn),且在作業(yè)過(guò)程中每批次進(jìn)行抽檢(時(shí)間間隔約25min)。1、大面積刻蝕不干凈:刻蝕液濃度下降、刻蝕溫度變化。2、刻蝕不均勻:噴淋流量異常、藥液未及時(shí)沖洗干凈等。3、過(guò)刻蝕:刻蝕速度異常、刻蝕溫度異常等。重慶硅材料刻蝕外協(xié)刻蝕較簡(jiǎn)單較常用分類是:干法刻蝕和濕法刻蝕。
刻蝕較簡(jiǎn)單較常用分類是:干法刻蝕和濕法刻蝕。顯而易見(jiàn),它們的區(qū)別就在于濕法使用溶劑或溶液來(lái)進(jìn)行刻蝕。濕法刻蝕是一個(gè)純粹的化學(xué)反應(yīng)過(guò)程,是指利用溶液與預(yù)刻蝕材料之間的化學(xué)反應(yīng)來(lái)去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達(dá)到刻蝕目的。其特點(diǎn)是:濕法刻蝕在半導(dǎo)體工藝中有著普遍應(yīng)用:磨片、拋光、清洗、腐蝕。優(yōu)點(diǎn)是選擇性好、重復(fù)性好、生產(chǎn)效率高、設(shè)備簡(jiǎn)單、成本低。干法刻蝕種類比較多,包括光揮發(fā)、氣相腐蝕、等離子體腐蝕等。按照被刻蝕的材料類型來(lái)劃分,干法刻蝕主要分成三種:金屬刻蝕、介質(zhì)刻蝕和硅刻蝕。
二氧化硅的干法刻蝕:刻蝕原理氧化物的等離子體刻蝕工藝大多采用含有氟碳化合物的氣體進(jìn)行刻蝕。使用的氣體有四氟化碳(CF)、八氟丙烷(C,F(xiàn)8)、三氟甲烷(CHF3)等,常用的是CF和CHFCF的刻蝕速率比較高但對(duì)多晶硅的選擇比不好,CHF3的聚合物生產(chǎn)速率較高,非等離子體狀態(tài)下的氟碳化合物化學(xué)穩(wěn)定性較高,且其化學(xué)鍵比SiF的化學(xué)鍵強(qiáng),不會(huì)與硅或硅的氧化物反應(yīng)。選擇比的改變?cè)诋?dāng)今半導(dǎo)體工藝中,Si02的干法刻蝕主要用于接觸孔與金屬間介電層連接洞的非等向性刻蝕方面。前者在S102下方的材料是Si,后者則是金屬層,通常是TiN(氮化鈦),因此在Si02的刻蝕中,Si07與Si或TiN的刻蝕選擇比是一個(gè)比較重要的因素??涛g基本目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩模圖形。
鋁膜濕法刻蝕:對(duì)于鋁和鋁合金層有選擇性的刻蝕溶液是居于磷酸的。遺憾的是,鋁和磷酸反應(yīng)的副產(chǎn)物是微小的氫氣泡。這些氣泡附著在晶圓表面,并阻礙刻蝕反應(yīng)。結(jié)果既可能產(chǎn)生導(dǎo)致相鄰引線短路的鋁橋連,又可能在表面形成不希望出現(xiàn)的雪球的鋁點(diǎn)。特殊配方鋁刻蝕溶液的使用緩解了這個(gè)問(wèn)題。典型的活性溶液成分配比是:16:1:1:2。除了特殊配方外,典型的鋁刻蝕工藝還會(huì)包含以攪拌或上下移動(dòng)晶圓舟的攪動(dòng)。有時(shí)超聲波或兆頻超聲波也用來(lái)去除氣泡。刻蝕流片的速度與刻蝕速率密切相關(guān)噴淋流量的大小決定了基板表面藥液置換速度的快慢。重慶硅材料刻蝕外協(xié)
一般而言,高蝕速率(在一定時(shí)間內(nèi)去除的材料量)都會(huì)受到歡迎。東莞ICP材料刻蝕多少錢
等離子刻蝕是干法刻蝕中較常見(jiàn)的一種形式。一種或多種氣體原子或分子混合于反應(yīng)腔室中,在外部能量作用下(如射頻、微波等)形成等離子體。其原理是暴露在電子區(qū)域的氣體形成等離子體,由此產(chǎn)生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體,從而形成了等離子或離子,電離氣體原子通過(guò)電場(chǎng)加速時(shí),會(huì)釋放足夠的力量與表面驅(qū)逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。一個(gè)等離子體干法刻蝕系統(tǒng)基本部件包括:發(fā)生刻蝕反應(yīng)的反應(yīng)腔、產(chǎn)生等離子體氣的射頻電源、氣體流量控制系統(tǒng)、去除生成物的真空系統(tǒng)。刻蝕中會(huì)用到大量的化學(xué)氣體,通常用氟刻蝕二氧化硅,氯和氟刻蝕鋁,氯、氟和溴刻蝕硅,氧去除光刻膠。東莞ICP材料刻蝕多少錢
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所致力于電子元器件,是一家服務(wù)型的公司。公司業(yè)務(wù)涵蓋微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等,價(jià)格合理,品質(zhì)有保證。公司從事電子元器件多年,有著創(chuàng)新的設(shè)計(jì)、強(qiáng)大的技術(shù),還有一批**的專業(yè)化的隊(duì)伍,確保為客戶提供良好的產(chǎn)品及服務(wù)。在社會(huì)各界的鼎力支持下,持續(xù)創(chuàng)新,不斷鑄造***服務(wù)體驗(yàn),為客戶成功提供堅(jiān)實(shí)有力的支持。
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