需求數(shù)量:0
價格要求:面議
所在地:廣東省
包裝要求:
產(chǎn)品關鍵詞:深圳共濺射真空鍍膜實驗室,真空鍍膜
***更新:2021-02-04 04:18:24
瀏覽次數(shù):4次
聯(lián)系我們
當前位置:首頁?產(chǎn)品供應?電子元器件?電子材料、零部件、結構件?半導體材料?深圳共濺射真空鍍膜實驗室 廣東省科學院半導體研究所供應
需求數(shù)量:0
價格要求:面議
所在地:廣東省
包裝要求:
產(chǎn)品關鍵詞:深圳共濺射真空鍍膜實驗室,真空鍍膜
***更新:2021-02-04 04:18:24
瀏覽次數(shù):4次
聯(lián)系我們聯(lián)系人:曾昭燴
郵箱: 512480780@qq.com
電話: 15018420573
傳真: 020_
網(wǎng)址: http://www.gdssli.com
手機: 020-61086422
地址: 長興路363號
[當前離線] [加為商友] [發(fā)送信件]
詳細說明
薄膜應力的起源是薄膜生長過程中的某種結構不完整性(雜質、空位、晶粒邊界、錯位等)、表面能態(tài)的存在、薄膜與基底界面間的晶格錯配等磁控濺射由于其內(nèi)部電場的存在,還可在襯底端引入一個負偏壓,使濺射速率和材料粒子的方向性增加。所以磁控濺射常用來沉積TSV結構的阻擋層和種子層,通過對相關參數(shù)的調(diào)整和引入負偏壓,可以實現(xiàn)高深寬比的薄膜濺射,深圳共濺射真空鍍膜實驗室,且深孔內(nèi)壁薄膜連續(xù)和良好的均勻性。通過PVD制備的薄膜通常存在應力問題,深圳共濺射真空鍍膜實驗室,不同材料與襯底間可能存在壓應力或張應力,在多層膜結構中可能同時存在多種形式的應力。磁控濺射常用于新型氧化物,深圳共濺射真空鍍膜實驗室,陶瓷材料的鍍膜,電子束則用于對薄膜質量較高的金屬材料。深圳共濺射真空鍍膜實驗室
熱氧化是在一定的溫度和氣體條件下,使硅片表面氧化一定厚度的氧化硅的。主要有干法氧化和濕法氧化,干法氧化是在硅片表面通入氧氣,硅片與氧化反應生成氧化硅,氧化速率比較慢,氧化膜厚容易控制。濕法氧化在爐管當中通入氧氣和氫氣,兩者反應生長水蒸氣,水蒸氣與硅片表面反應生長氧化硅,濕法氧化,速率比較快,可以生長比較厚的薄膜。對于薄膜應力主要有以下原因:1.薄膜生長初始階段,薄膜面和界面的表面張力的共同作用;2.沉積過程中膜面溫度遠高于襯底溫度產(chǎn)生熱應變;3.薄膜和襯底間點陣錯配而產(chǎn)生界面應力;4.金屬膜氧化后氧化物原子體積增大產(chǎn)生壓應力;5.斜入射造成各向異性成核、生長;6.薄膜內(nèi)產(chǎn)生相變或化學組分改變導致原子體積變化。云南等離子體增強氣相沉積真空鍍膜價格磁控濺射可用于多種材料,適用性普遍。
電子束蒸發(fā)法是真空蒸發(fā)鍍膜中常用的一種方法,是在高真空條件下利用電子束進行直接加熱蒸發(fā)材料,使蒸發(fā)材料氣化并向襯底輸運,在基底上凝結形成薄膜的方法。在電子束加熱裝置中,被加熱的材料放置于水冷的坩堝當中,可避免蒸發(fā)材料與坩堝壁發(fā)生反應影響薄膜的質量,因此,電子束蒸發(fā)沉積法可以制備高純薄膜。LPCVD反應的能量源是熱能,通常其溫度在500℃-1000℃之間,壓力在0.1Torr-2Torr以內(nèi),影響其沉積反應的主要參數(shù)是溫度、壓力和氣體流量,它的主要特征是因為在低壓環(huán)境下,反應氣體的平均自由程及擴散系數(shù)變大,膜厚均勻性好、臺階覆蓋性好。目前采用LPCVD工藝制作的主要材料有:多晶硅、單晶硅、非晶硅、氮化硅等。
在電子束加熱裝置中,被加熱的材料放置于水冷的坩堝當中,可避免蒸發(fā)材料與坩堝壁發(fā)生反應影響薄膜的質量,因此,電子束蒸發(fā)沉積法可以制備高純薄膜。LPCVD反應的能量源是熱能,通常其溫度在500℃-1000℃之間,壓力在0.1Torr-2Torr以內(nèi),影響其沉積反應的主要參數(shù)是溫度、壓力和氣體流量,它的主要特征是因為在低壓環(huán)境下,反應氣體的平均自由程及擴散系數(shù)變大,膜厚均勻性好、臺階覆蓋性好。目前采用LPCVD工藝制作的主要材料有:多晶硅、單晶硅、非晶硅、氮化硅等。電子束蒸發(fā)法是真空蒸發(fā)鍍膜中常用的一種方法,是在高真空條件下利用電子束進行直接加熱蒸發(fā)材料,使蒸發(fā)材料氣化并向襯底輸運,在基底上凝結形成薄膜的方法。在一定溫度下,真空當中,蒸發(fā)物質的蒸氣與固體平衡過程中所表現(xiàn)出的壓力, 稱為該物質的飽和蒸氣壓。
反應濺射工藝進行過程中靶表面濺射區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)被反應生成物覆蓋或反應生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長的過程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率,化合物覆蓋面積增加。在一定功率的情況下,參與化合物生成的反應氣體量增加,化合物生成率增加。如果反應氣體量增加過度,化合物覆蓋面積增加,如果不能及時調(diào)整反應氣體流量,化合物覆蓋面積增加的速率得不到防止,濺射溝道將進一步被化合物覆蓋,當濺射靶被化合物全部覆蓋的時候,靶完全中毒,不能繼續(xù)濺射。影響靶中毒的因素主要是反應氣體和濺射氣體的比例,反應氣體過量就會導致靶中毒。蒸發(fā)高熔點的材料可以用薄片來蒸鍍,將1mm材料薄片架空于碳坩堝上沿,薄片只能通過坩堝邊沿來導熱。湖北電子束蒸發(fā)真空鍍膜服務
PECVD生長氧化硅薄膜是一個比較復雜的過程。深圳共濺射真空鍍膜實驗室
電子束蒸發(fā)是目前真空鍍膜技術中一種成熟且主要的鍍膜方法,它解決了電阻加熱方式中鎢舟材料與蒸鍍源材料直接接觸容易互混的問題。同時在同一蒸發(fā)沉積裝置中可以安置多個坩堝,實現(xiàn)同時或分別蒸發(fā),沉積多種不同的物質。通過電子束蒸發(fā),任何材料都可以被蒸發(fā),不同材料需要采用不同類型的坩堝以獲得所要達到的蒸發(fā)速率。電子束蒸發(fā)可以蒸發(fā)高熔點材料,比一般電阻加熱蒸發(fā)熱效率高、 束流密度大、蒸發(fā)速度快,制成的薄膜純度高、質量好,通過晶振控制,厚度可以較準確地控制,可以普遍應用于制備高純薄膜和各種光學材料薄膜。電子束蒸發(fā)的金屬粒子只能考自身能量附著在襯底表面,臺階覆蓋性比較差,如果需要追求臺階覆蓋性和薄膜粘附力,建議使用磁控濺射。深圳共濺射真空鍍膜實驗室
廣東省科學院半導體研究所致力于電子元器件,是一家服務型公司。廣東省半導體所致力于為客戶提供良好的微納加工技術服務,真空鍍膜技術服務,紫外光刻技術服務,材料刻蝕技術服務,一切以用戶需求為中心,深受廣大客戶的歡迎。公司從事電子元器件多年,有著創(chuàng)新的設計、強大的技術,還有一批**的專業(yè)化的隊伍,確保為客戶提供良好的產(chǎn)品及服務。廣東省半導體所秉承“客戶為尊、服務為榮、創(chuàng)意為先、技術為實”的經(jīng)營理念,全力打造公司的重點競爭力。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/3152484.html
本企業(yè)其它產(chǎn)品 更多>>