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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:半導(dǎo)體材料刻蝕加工平臺(tái),材料刻蝕
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工藝所用化學(xué)物質(zhì)取決于要刻蝕的薄膜類型。介電刻蝕應(yīng)用中通常使用含氟的化學(xué)物質(zhì)。硅和金屬刻蝕使用含氯成分的化學(xué)物質(zhì),半導(dǎo)體材料刻蝕加工平臺(tái)。在工藝中可能會(huì)對(duì)一個(gè)薄膜層或多個(gè)薄膜層執(zhí)行特定的刻蝕步驟。當(dāng)需要處理多層薄膜時(shí),以及刻蝕中必須精確停在某個(gè)特定薄膜層而不對(duì)其造成損傷時(shí),半導(dǎo)體材料刻蝕加工平臺(tái),半導(dǎo)體材料刻蝕加工平臺(tái),刻蝕工藝的選擇比就變得非常重要。選擇比是兩個(gè)刻蝕速率的比率:被去除層的刻蝕速率與被保護(hù)層的刻蝕速率(例如刻蝕掩膜或終止層)。掩?;蛲V箤樱┩ǔ6枷M懈叩倪x擇比。有圖形刻蝕和無圖形刻蝕工藝條件能夠采用干法刻蝕或濕法腐蝕技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。半導(dǎo)體材料刻蝕加工平臺(tái)
等離子刻蝕是將電磁能量(通常為射頻(RF))施加到含有化學(xué)反應(yīng)成分(如氟或氯)的氣體中實(shí)現(xiàn)。等離子會(huì)釋放帶正電的離子來撞擊晶圓以去除(刻蝕)材料,并和活性自由基產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng),與刻蝕的材料反應(yīng)形成揮發(fā)性或非揮發(fā)性的殘留物。離子電荷會(huì)以垂直方向射入晶圓表面。這樣會(huì)形成近乎垂直的刻蝕形貌,這種形貌是現(xiàn)今密集封裝芯片設(shè)計(jì)中制作細(xì)微特征所必需的。一般而言,高蝕速率(在一定時(shí)間內(nèi)去除的材料量)都會(huì)受到歡迎。反應(yīng)離子刻蝕(RIE)的目標(biāo)是在物理刻蝕和化學(xué)刻蝕之間達(dá)到較佳平衡,使物理撞擊(刻蝕率)強(qiáng)度足以去除必要的材料,同時(shí)適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)反應(yīng)能形成易于排出的揮發(fā)性殘留物或在剩余物上形成保護(hù)性沉積(選擇比和形貌控制)。采用磁場增強(qiáng)的RIE工藝,通過增加離子密度而不增加離子能量(可能會(huì)損失晶圓)的方式,改進(jìn)了處理過程。半導(dǎo)體材料刻蝕加工平臺(tái)理想情況下,晶圓所有點(diǎn)的刻蝕速率都一致(均勻)。
不過,芯片用單晶硅材料對(duì)材料內(nèi)部微缺陷率水平的要求較高,對(duì)加工環(huán)節(jié)的硅片表面顆粒和雜質(zhì)含量、表面平整度、應(yīng)力和機(jī)械強(qiáng)度等參數(shù)指標(biāo)有更為嚴(yán)格的要求。這些特性導(dǎo)致芯片用單晶硅材料的研發(fā)和生產(chǎn),需要合理設(shè)計(jì)加工環(huán)節(jié)的工藝流程,同時(shí)也需要更先進(jìn)的加工設(shè)備。通過刻蝕用單晶硅材料在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中“見縫插針”的,已經(jīng)擁有了穩(wěn)定的基本盤。向芯片用單晶硅材料賽道進(jìn)發(fā),既是對(duì)創(chuàng)業(yè)初心的回歸,更是應(yīng)對(duì)下游需求變化的戰(zhàn)略調(diào)整,有望再一次驅(qū)動(dòng)的強(qiáng)勁增長。材料是工業(yè)之母,隨著更多關(guān)鍵材料和設(shè)備的突破,中國終將在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中揚(yáng)眉吐氣。
濕法刻蝕是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù),是利用合適的化學(xué)試劑先將未被光刻膠覆蓋的晶片部分分解,然后轉(zhuǎn)成可溶的化合物達(dá)到去除的目的。濕法刻蝕是刻蝕的一種方法,其他的有干刻蝕,等離子刻蝕等。濕法刻蝕這種刻蝕技術(shù)主要是借助腐蝕液和晶片材料的化學(xué)反應(yīng),因此我們可以借助化學(xué)試劑的選取、配比以及溫度的控制等來達(dá)到合適的刻蝕速率和良好的刻蝕選擇比。濕法刻蝕的過程:(1)反應(yīng)物擴(kuò)散到欲被刻蝕材料的表面;(2)反應(yīng)物與被刻蝕材料反應(yīng);(3)反應(yīng)后的產(chǎn)物離開刻蝕表面擴(kuò)散到溶液中,隨溶液被排出。有圖形刻蝕可用來在硅片上制作多種不同的特征圖形,包括柵、金屬互連線、通孔、接觸孔和溝槽。
刻蝕,英文為Etch,它是半導(dǎo)體制造工藝,微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻相聯(lián)系的圖形化(pattern)處理的一種主要工藝。所謂刻蝕,實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕,先通過光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理,然后通過其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分??涛g是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程,其基本目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩模圖形。隨著微制造工藝的發(fā)展,廣義上來講,刻蝕成了通過溶液、反應(yīng)離子或其它機(jī)械方式來剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱,成為微加工制造的一種普適叫法。對(duì)于二氧化硅刻蝕,氣體一般使用CF4和氧的混合劑。半導(dǎo)體材料刻蝕加工平臺(tái)
干法刻蝕也可以根據(jù)被刻蝕的材料類型來分類,如刻蝕氮化鎵、氧化硅、氮化硅、鋁鎵氮等材料。半導(dǎo)體材料刻蝕加工平臺(tái)
刻蝕原理介紹主要工藝參數(shù)刻蝕液更換頻率的管控刻蝕不良的產(chǎn)生原因單擊此處編輯母版標(biāo)題樣式單擊此處編輯母版標(biāo)題樣式刻蝕工藝介紹辛小剛刻蝕原理介紹刻蝕主要工藝參數(shù)刻蝕液更換頻率的管控刻蝕不良原因分析刻蝕是用一定比例的酸液把玻璃上未受光刻膠保護(hù)的Metal/ITO膜通過化學(xué)反應(yīng)去除掉,較終形成制程所需要的圖形。刻蝕種類目前我司的刻蝕種類主要分兩種:1、Metal刻蝕刻蝕液主要成分:磷酸、硝酸、醋酸、水。Metal:合金金屬2、ITO刻蝕刻蝕液主要成分:鹽酸、硝酸、水。ITO:氧化銦錫(混合物)Metal刻蝕前后:ITO刻蝕前后:刻蝕前后對(duì)比照片12345刻蝕液濃度刻蝕溫度刻蝕速度噴淋流量過刻量刻蝕液的濃度對(duì)刻蝕效果影響較大,所以我們主要通過:來料檢驗(yàn)、首片確認(rèn)、定期更換的方法來保證。半導(dǎo)體材料刻蝕加工平臺(tái)
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是一家面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域,致力于打造***的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺(tái)擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線和一條中試線,加工尺寸覆蓋2-6英寸(部分8英寸),同時(shí)形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專業(yè)人才隊(duì)伍。平臺(tái)當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù),面向國內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享,為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗(yàn)證以及產(chǎn)品中試提供支持。的公司,是一家集研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售為一體的專業(yè)化公司。廣東省半導(dǎo)體所深耕行業(yè)多年,始終以客戶的需求為向?qū)В瑸榭蛻籼峁?**的微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。廣東省半導(dǎo)體所始終以本分踏實(shí)的精神和必勝的信念,影響并帶動(dòng)團(tuán)隊(duì)取得成功。廣東省半導(dǎo)體所始終關(guān)注電子元器件市場,以敏銳的市場洞察力,實(shí)現(xiàn)與客戶的成長共贏。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/3159577.html
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