并且相對于余弦接收線圈定義正弦接收線圈。為了說明的目的，圖13示出對關于圖12所描述的正弦接收線圈的修改。接收線圈(rx)設計可以用雙環(huán)路迭代來定義。初，在步驟1206中，正弦形狀的rx線圈1316(結合參考系1314)沿x方向對稱地部分延伸(如跡線1310所示)，上海國產傳感器線圈，以補償由于目標非理想性引起的磁通泄漏。利用所施加的線圈延伸，在步驟1208中，使用作用在線圈1316所有點上的適當的位移函數，使正弦形線圈1316沿y方向變形，如跡線1312。給定這些設置，在步驟1210中，算法計算通孔的位置。根據在步驟1202中指定的信息并且為了消除先前提到的信號失配，而建立通孔位置1308。每當一個線圈中的通孔比另一個線圈中的通孔多或通孔以不平衡方式定位(即，不對稱)時，就會出現電壓失配，上海國產傳感器線圈。所導致的電壓失配是當目標移動時正弦信號相對于余弦信號的較大峰峰值幅度(反之亦然)。為了實現減少電壓失配的目標，通孔的設計方式是使sin(1316)rx線圈和cos(1318)rx線圈在pcb底部中的部分的長度相同。此外，通孔相對于設計的對稱中心是對稱的。在步驟1212中，定義正弦接收線圈跡線和余弦接收線圈跡線。在一些實施例中，使用一維模型來定義跡線。在步驟1214中，上海國產傳感器線圈，算法712計算不具有目標時的偏差。單向傳感器線圈芯，無錫東英電子有限公司。上海國產傳感器線圈

    所繞的線圈的圈數我們一般把它稱為線圈的“匝數“。主要性能指標電感線圈的性能指標主要就是電感量的大小。另外，繞制電感線圈的導線一般來說總具有一定的電阻，通常這個電阻是很小的，可以忽略不記。但當在一些電路中流過的電流很大時線圈的這個很小的電阻就不能忽略了，因為很大的電流會在這個線圈上消耗功率，引起線圈發(fā)熱甚至燒壞，所以有些時候還要考慮線圈能承受的電功率。電感量電感量L表示線圈本身固有特性，與電流大小無關。除專門的電感線圈（色碼電感）外，電感量一般不專門標注在線圈上，而以特定的名稱標注。電感量也稱自感系數，是表示電感器產生自感應能力的一個物理量。電感器電感量的大小，主要取決于線圈的圈數（匝數）、繞制方式、有無磁心及磁心的材料等等。通常，線圈圈數越多、繞制的線圈越密集，電感量就越大。有磁心的線圈比無磁心的線圈電感量大；磁心導磁率越大的線圈，電感量也越大。電感量的基本單位是亨利（簡稱亨），用字母"H"表示。常用的單位還有毫亨（mH）和微亨（μH），它們之間的關系是：1H=1000mH1mH=1000μH感抗電感線圈對交流電流阻礙作用的大小稱感抗XL，單位是歐姆,符號Ω。河南傳感器線圈報價表管道傳感器線圈，無錫東英電子有限公司。

    圖4d示出利用圖4b所示的測試設備測量的來自位置定位系統(tǒng)中的接收線圈的接收電壓。圖5示出測量到的響應和仿真響應。圖6示出根據本發(fā)明的實施例優(yōu)化的示例線圈設計的測量到的響應與仿真響應之間的誤差。圖7a和圖7b示出根據本發(fā)明的一些實施例的用于優(yōu)化位置定位傳感器的線圈設計的算法。圖7c示出操作圖7a所示的算法的系統(tǒng)的輸入屏幕快照。圖8a和圖8b示出根據本發(fā)明的一些實施例的線圈設計。圖9a、圖9b和圖9c示出根據本發(fā)明的一些實施例的另一個示例線圈設計。圖9d和圖9e示出根據一些實施例的線圈設計的性能特性。圖10a示出根據一些實施例的仿真算法。圖10b和圖10c示出在導線周圍生成的場和在矩形跡線周圍生成的場。圖10d和圖10e示出通過將矩形跡線視為一維導線、多導線或3d塊狀件(brick)而生成的誤差。圖10f示出在線圈上方的金屬目標中的渦電流的仿真。圖11示出根據一些實施例的用于調整線圈設計的算法。圖12示出根據一些實施例的用于調整線圈設計的算法的另一個實施例。圖13示出優(yōu)化無阱(well)設計。圖14示出經優(yōu)化的有阱設計。下文進一步討論本發(fā)明的實施例的這些和其他方面。具體實施方式在下文的描述中，闡述了描述本發(fā)明的一些實施例的具體細節(jié)。然而。

    “avolumeintegralformulationforsolvingeddycurrentproblemsonpolyhedralmesses(解決多面體對象的渦電流問題的體積積分公式)”，ieee磁學學報，第53卷，第6期，7204904，2017。如圖10f進一步所示，金屬目標1024的表面被表示為被網格元素1026覆蓋。網格元素1026是非重疊的多邊形，通常為三角形，其覆蓋金屬目標1024的整個表面并形成離散表面。如圖10a所示，一旦在704的步驟1008中執(zhí)行對金屬目標1024的仿真，則在步驟1010中對線圈804和線圈806的響應進行仿真。如算法704中進一步示出的，仿真704在整個位置定位器系統(tǒng)800上掃描目標，并且“經計算機(insilico)”針對目標1024的所有指定位置估計接收線圈804和接收線圈806上的電壓。如在圖7a所示的算法700的步驟712中進一步示出的，接收線圈804和接收線圈806的形狀，同時假設發(fā)射線圈以佳的可能的方式適應于傳感器800的所有非理想性。鑒于無法完全消除非理想性，這了佳解決方案，并且如上所述，在仿真算法704中使用了若干個近似。圖11示出算法712的示例。在算法712中，接收線圈804和接收線圈806跡線和發(fā)射線圈802的中心線被表示為一維路徑。批發(fā)傳感器線圈，無錫東英電子有限公司。

    緩沖器416和緩沖器418可以包括諸如濾波器和放大器以及模數轉換器(用于向處理器412提供數字數據)之類的電路。處理器412可以如上所述地計算位置，以提供金屬目標408相對于位置定位系統(tǒng)410上的接收線圈的位置數據。圖4b示出定位系統(tǒng)400的示例，定位器404被耦合到底座406，并且可以包括四個步進電機，這些步進電機提供目標的4軸運動，即x、v、z以及繞z軸的旋轉。這樣，如圖4b所示的系統(tǒng)400能夠沿包括z方向在內的所有可能方向掃描位置定位器系統(tǒng)410中的接收二器線圈上方的金屬目標408，以產生不同的氣隙。如前所述，氣隙是金屬目標408與放置位置定位系統(tǒng)410的發(fā)射線圈和接收線圈的pcb之間的距離。這樣的系統(tǒng)可以用于位置定位器系統(tǒng)410的校準、線性化和分析。圖4c示出在具有發(fā)射線圈106和接收線圈104的旋轉位置定位器系統(tǒng)410上方的金屬目標408的掃描。如圖4c所示，金屬目標408在線圈104上方從0°掃描到θ°。圖4d示出當如圖4c所示地掃描金屬目標408時從線圈104測量的電壓vsin和電壓vcos與仿真的結果的比較的示例。在圖4d的特定示例中，金屬目標408在50個位置被掃描。十字表示樣本電壓，實線表示由電磁場求解程序cdice-bim所仿真的值。高速傳感器線圈芯，無錫東英電子有限公司。什么是傳感器線圈介紹

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    7203904，2015年，其提供非?？焖俚姆抡?25個目標位置需要數十秒)?？梢詫Υ祟愃惴ㄟM行調整，以仿真pcb上的跡線和感應傳感器應用。具體地，仿真可以輸入pcb跡線的幾何形狀、金屬目標的幾何形狀、氣隙、金屬目標在由跡線形成的線圈上的平移/旋轉、以及另外的固定導體，其例如可用于仿真pct或傳感器附近的其他導體的接地層。仿真可以輸出線圈上方的金屬目標的一系列位置處來自線圈的仿真電壓。在一些實施例中，在本申請中也可以使用有限元方法(fem)或類似方法。然而，在一些情況下，執(zhí)行這些仿真可能需要大量的計算時間。可以預期，相對于上述bim方法，每個傳感器目標位置的計算可能使用兩個或更多個數量級的計算時間。此外，可能需要針對每個目標位置從頭開始重建計算域的網格。而且，由于長而細的導體需要大量的網格元素來獲得精確的解，因此這些技術的準確性可能受限。這些計算也可能受到存儲器和計算時間資源的限制。圖10a示出算法700的仿真步驟704的示例。實際上，如圖7a的示例中所示的算法700基本上補償了上述的非理想性，并因此產生與提供精確的位置定位系統(tǒng)的問題的物理學相容的佳的可能的解。為此，開發(fā)了位置定位系統(tǒng)的一種真實高效的數值模型。上海國產傳感器線圈

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