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詳細(xì)說明
這樣的系統(tǒng)中的金屬目標(biāo)124的實(shí)際位置可以從由接收線圈104的輸出電壓測量到的角位置以及接收線圈110和接收線圈112的拓?fù)涞贸?。此外,如圖1b所示,線圈110的拓?fù)浜途€圈112的拓?fù)浔粎f(xié)調(diào)以提供對金屬目標(biāo)124的位置的指示。圖2a示出金屬目標(biāo)124的0°位置,為了便于說明,余弦定向線圈110和正弦定向線圈112被分開。如圖1b所示,正弦定向線圈112和余弦定向線圈110共同位于發(fā)射線圈106內(nèi)。使用如圖1a所示的磁場108,正弦定向線圈112的環(huán)路114、環(huán)路116和環(huán)路118被定位為使得每個(gè)環(huán)路中的電壓之和抵消,從而使總vsin為0。如圖2a所示,在沒有金屬目標(biāo)124的情況下,耐磨傳感器線圈產(chǎn)品分類選擇知識,環(huán)路114中的電壓vc可以被表示為1/2,耐磨傳感器線圈產(chǎn)品分類選擇知識,環(huán)路116中的電壓(因?yàn)樵摥h(huán)路中的電流與環(huán)路114和環(huán)路118中的電流相反)可以被表示為vd=-1,而環(huán)路118中的電壓可以表示為ve=1/2。因此,線圈112中的電壓為vsin=vc+vd+ve=0。因此,如果不存在金屬目標(biāo)124,則來自正弦定向線圈112的輸出信號將為0。類似地,如果不存在金屬目標(biāo)124,則來自余弦定向環(huán)路110的輸出信號也為0,這是因?yàn)橛森h(huán)路120中的磁場108生成的電壓va=-1抵消了由環(huán)路122中的磁場108所生成的電壓vb=1,使得vcos=va+vb=0,耐磨傳感器線圈產(chǎn)品分類選擇知識。如上文所討論的。防爆傳感器線圈,無錫東英電子有限公司。耐磨傳感器線圈產(chǎn)品分類選擇知識
在實(shí)際工作中,一般不進(jìn)行這種檢測,*進(jìn)行線圈的通斷檢查和Q值的大小判斷。[1]可先利用萬用表電阻檔測量線圈的直流電阻,再與原確定的阻值或標(biāo)稱阻值相比較,如果所測阻值比原確定阻值或標(biāo)稱阻值增大許多,甚至指針不動(阻值趨向無窮大X)可判斷線圈斷線;若所測阻值極小,則判定是嚴(yán)重短路或者局部短路是很難比較出來。這兩種情況出現(xiàn),可以判定此線圈是壞的,不能用。如果檢測電阻與原確定的或標(biāo)稱阻值相差不大,可判定此線圈是好的。此種情況,我們就可以根據(jù)以下幾種情況,去判斷線圈的質(zhì)量即Q值的大小。線圈的電感量相同時(shí),其直流電阻越小,Q值越高;所用導(dǎo)線的直徑越大,其Q值越大;若采用多股線繞制時(shí),導(dǎo)線的股數(shù)越多,Q值越高;線圈骨架(或鐵芯)所用材料的損耗越小,其Q值越高。例如,高硅硅鋼片做鐵芯時(shí),其Q值較用普通硅鋼片做鐵芯時(shí)高;線圈分布電容和漏磁越小,其Q值越高。例如,蜂房式繞法的線圈,其Q值較平繞時(shí)為高,比亂繞時(shí)也高;線圈無屏蔽罩,安裝位置周圍無金屬構(gòu)件時(shí),其Q值較高,相反,則Q值較低。屏蔽罩或金屬構(gòu)件離線圈越近,其Q值降低越嚴(yán)重;對有磁芯的的位置要適當(dāng)安排合理;天線線圈與振蕩線圈應(yīng)相互垂直,這就避免了相互耦合的影響。。重慶傳感器線圈配件汽車傳感器線圈芯,無錫東英電子有限公司。
余弦定向線圈110可以包括具有順時(shí)針定向的環(huán)路120和具有逆時(shí)針定向的第二環(huán)路122。圖1b示出由箭頭指示的可能的電動勢參考方向,該方向與由如圖1a所示的發(fā)射器線圈106產(chǎn)生的磁場一致。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識到的,可以以其他方式解釋所述定向。在圖1b所示的系統(tǒng)中,發(fā)射器線圈(tx)106被電路102(電路102可以是集成電路)激勵(lì),以生成被示出為emf場108的可變電磁場(emf)。磁場108與線圈(rx)104耦合。如圖1b所示,如果將導(dǎo)電金屬目標(biāo)124放置在線圈104的上方,則會在金屬目標(biāo)124中生成渦電流。該渦電流生成新的電磁場,該電磁場理想情況下與場108相等并相反,從而抵消了在金屬目標(biāo)124正下方的線圈104中的場。線圈(rx)104捕獲由發(fā)射線圈106生成的可變emf場108和由金屬目標(biāo)124感應(yīng)的場,得到在線圈104的端子處生成的正弦電壓。在沒有金屬目標(biāo)124的情況下,在rx線圈104(在圖1b中被標(biāo)記為rxcos110和rxsin112)的端子處將沒有電壓。當(dāng)金屬目標(biāo)124相對于rx線圈104被放置在特定位置時(shí),在被金屬目標(biāo)124覆蓋的區(qū)域上的合成電磁場理想地為零,因此在rx線圈104的端子處的電壓將具有不同的特性,這取決于金屬目標(biāo)124相對于接收線圈104的位置。
將位置設(shè)置為掃描中的當(dāng)前定義的位置。在步驟1006中,確定由發(fā)射線圈生成的電磁場。利用在步驟1002中提供的其他參數(shù)來接收發(fā)射線圈的驅(qū)動電壓和操作頻率。一旦確定了來自發(fā)射線圈的電磁場,在步驟1008中就可以確定由于這些場而在金屬目標(biāo)中生成的渦電流。根據(jù)渦電流,可以仿真由目標(biāo)生成的磁場。在步驟1010中,確定由于由發(fā)射線圈生成的場和由金屬目標(biāo)中的感應(yīng)渦電流生成的場的組合而在線圈中生成的電壓。在步驟1011中,針對目標(biāo)的現(xiàn)行位置再次執(zhí)行電感l(wèi)的計(jì)算,以評估l相對于步驟1003的結(jié)果的變化。在步驟1012中,存儲響應(yīng)數(shù)據(jù)以供將來參考。在步驟1014中,算法704進(jìn)行檢查以查看掃描是否已經(jīng)完成。如果未完成,則算法704進(jìn)行到步驟1018,在步驟1018處,金屬目標(biāo)的當(dāng)前位置遞增,然后進(jìn)行到步驟1004,在步驟1004處開始對該位置的仿真。如果掃描完成,則算法704進(jìn)行到步驟1016,在步驟1016處,仿真結(jié)束,并且算法返回到圖7a所示的算法700的步驟706。仿真和根據(jù)仿真對線圈的重新配置(在圖7a中,仿真步驟704、比較步驟706、決策步驟708和設(shè)計(jì)調(diào)整步驟712)應(yīng)足夠快,以在短時(shí)間段內(nèi)測試大量的線圈設(shè)計(jì)配置。在通過算法700獲得經(jīng)優(yōu)化的線圈設(shè)計(jì)之前。傳感器線圈,無錫東英電子有限公司。
使得用于發(fā)射線圈802的跡線中的一些跡線在pcb的一側(cè)上,而發(fā)射線圈802的其他跡線在pcb的相反側(cè)上。在一些情況下,可以優(yōu)化發(fā)射線圈以使其相對于接收線圈盡可能對稱,同時(shí)小化所需空間。圖8a示出通孔814和通孔816,它們允許將發(fā)射線圈802的跡線連接在pcb的側(cè)面之間。如圖8a和圖8b進(jìn)一步所示,接收線圈包括余弦定向線圈804和正弦定向線圈806。余弦定向線圈804包括通孔818,其允許余弦定向線圈804的導(dǎo)線跡線從pcb的一側(cè)過渡到另一側(cè)。類似地,正弦定向線圈806包括通孔820,其允許在pcb的側(cè)面之間過渡正弦定向線圈806的布線。線圈布局800中包括的另一個(gè)特征是阱808、810和812的增加,這些阱進(jìn)一步補(bǔ)償由發(fā)射線圈802生成的場的不均勻性以及由該不均勻性生成的所得偏移誤差。如線圈設(shè)計(jì)800中所示,提供阱808和阱810來調(diào)整正弦定向線圈804,并設(shè)置阱812來調(diào)整余弦定向線圈806。此外,可以提供通孔822和通孔824,使得阱808和阱812的跡線可以分別在pcb的任一側(cè)上。阱808、阱810和阱812可以例如補(bǔ)償由于發(fā)射線圈802生成的場中的不均勻性而引起的接收線圈804和接收線圈806中的偏差。圖9a、圖9b和圖9c示出根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的另一種線圈設(shè)計(jì)。雙向傳感器線圈,無錫東英電子有限公司。管道傳感器線圈工作原理
管道傳感器線圈,無錫東英電子有限公司。耐磨傳感器線圈產(chǎn)品分類選擇知識
并且相對于余弦接收線圈定義正弦接收線圈。為了說明的目的,圖13示出對關(guān)于圖12所描述的正弦接收線圈的修改。接收線圈(rx)設(shè)計(jì)可以用雙環(huán)路迭代來定義。初,在步驟1206中,正弦形狀的rx線圈1316(結(jié)合參考系1314)沿x方向?qū)ΨQ地部分延伸(如跡線1310所示),以補(bǔ)償由于目標(biāo)非理想性引起的磁通泄漏。利用所施加的線圈延伸,在步驟1208中,使用作用在線圈1316所有點(diǎn)上的適當(dāng)?shù)奈灰坪瘮?shù),使正弦形線圈1316沿y方向變形,如跡線1312。給定這些設(shè)置,在步驟1210中,算法計(jì)算通孔的位置。根據(jù)在步驟1202中指定的信息并且為了消除先前提到的信號失配,而建立通孔位置1308。每當(dāng)一個(gè)線圈中的通孔比另一個(gè)線圈中的通孔多或通孔以不平衡方式定位(即,不對稱)時(shí),就會出現(xiàn)電壓失配。所導(dǎo)致的電壓失配是當(dāng)目標(biāo)移動時(shí)正弦信號相對于余弦信號的較大峰峰值幅度(反之亦然)。為了實(shí)現(xiàn)減少電壓失配的目標(biāo),通孔的設(shè)計(jì)方式是使sin(1316)rx線圈和cos(1318)rx線圈在pcb底部中的部分的長度相同。此外,通孔相對于設(shè)計(jì)的對稱中心是對稱的。在步驟1212中,定義正弦接收線圈跡線和余弦接收線圈跡線。在一些實(shí)施例中,使用一維模型來定義跡線。在步驟1214中,算法712計(jì)算不具有目標(biāo)時(shí)的偏差。耐磨傳感器線圈產(chǎn)品分類選擇知識
無錫東英電子有限公司總部位于江蘇省無錫市錫山區(qū)錫北鎮(zhèn)新壩村,是一家電器元件、電子線圈、ABS/ESC線圈閥、勵(lì)磁線圈、電磁閥、傳感器、汽車電控、汽車電子零件、精密注塑封、五金零件、普通機(jī)械設(shè)備的生產(chǎn)、銷售。(依法批準(zhǔn)經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目,經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動)。的公司。公司自創(chuàng)立以來,投身于電子線圈,電磁閥,傳感器,汽車電子零部件,是機(jī)械及行業(yè)設(shè)備的主力軍。東英電子始終以本分踏實(shí)的精神和必勝的信念,影響并帶動團(tuán)隊(duì)取得成功。東英電子始終關(guān)注自身,在風(fēng)云變化的時(shí)代,對自身的建設(shè)毫不懈怠,高度的專注與執(zhí)著使東英電子在行業(yè)的從容而自信。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/1869425.html
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