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二)磁場的強度在近房間中心的磁場強度與回路中電流的大小和回路數(shù)直接成正比,與回路的直徑成反比例,天津塑封傳感器線圈。國際標準(IEC60118—4,BS7594)指出:一個磁場的長期平均輸出功率值應為100mA/m(指每米毫安培)。不得低于70mA/m或高于140mA/m。該值是在回路內(nèi),距離地板1.2米時測得的磁場垂直面上的強度。允許在言語中出現(xiàn)達到400mA/m的強度峰值、頻率范圍應當覆蓋100Hz—5kHz。在回路中心的直徑a米,有n周圍繞的回路其磁場強度可以用下式計算:H是磁場的強度,用每米毫安培表示,I是電流值的均方根,用安培表示、對一個正方形的回路,大小用a米表示,其磁場強度要比計算的值少10%。如果磁場的長期平均輸出功率強度要達到100mA/m,則回路輸出的值至少要在400mA/m(好560mA/m),這樣可以避免在更大強度的言語聲音中產(chǎn)生過多的削峰。根據(jù)電磁原理我們可以看到,感應回路線圈并不是在建筑中產(chǎn)生磁場的的一條電線,所有建筑中的電線都會產(chǎn)生磁場,因此,天津塑封傳感器線圈,助聽器不僅能收到語音信號,也可以接收到其他磁場信號,如50Hz的電源電壓信號等。在布線的時候要充分考慮到干擾源的問題。如果音頻磁場太弱,天津塑封傳感器線圈,信噪比就不夠大。提高信號發(fā)射功率,可以干擾。在一些體積較小的助聽器中(其線圈亦小)。冰箱傳感器線圈芯,無錫東英電子有限公司。天津塑封傳感器線圈
導電金屬目標124可被定位在發(fā)射器線圈和兩個線圈上方。如圖1a所示,發(fā)射線圈106被驅(qū)動以形成磁場108。發(fā)射線圈106可以以一定頻率范圍或特定頻率被驅(qū)動。在圖1a中,磁場108(其中用箭頭示出正電流)在每個導線周圍是圓形的,并且在線圈106內(nèi)沿著指出頁面的方向且在線圈108的外部沿著進入頁面的方向,其中電流方向如圖1a所示。如圖1b所示,接收線圈104位于線圈106內(nèi)部。發(fā)射線圈106可以以可以產(chǎn)生用于在線圈104中感應電壓的電磁場108的任何頻率被驅(qū)動。通常,可以存在任意數(shù)量的接收二器線圈,然而,為了便于時論,下文時論具有兩個線圈的系統(tǒng)。圖1b示出發(fā)射線圈(tx)106內(nèi)的傳感器接收線圈(rx)104的布置。如圖1b所示,傳感器接收線圈104包括正弦波定向線圈rxsin112和余弦定向信號線圈rxcos110。正弦波定向線圈rxsin112包括正弦環(huán)路114、正弦環(huán)路116和正弦環(huán)路118,其中,線圈112沿同相或反相方向(此處描繪為順時針或逆時針圖示)纏繞,以由于電磁場108的存在而在環(huán)路中產(chǎn)生相反符號的電壓。如圖所示,正弦波定向線圈112的布線提供環(huán)路114和環(huán)路118的順時針旋轉(zhuǎn)從而產(chǎn)生標稱正電壓、以及環(huán)路116的逆時針旋轉(zhuǎn)從而產(chǎn)生標稱負電壓。類似地。上海工程傳感器線圈直銷傳感器線圈,無錫東英電子有限公司。
這樣的系統(tǒng)中的金屬目標124的實際位置可以從由接收線圈104的輸出電壓測量到的角位置以及接收線圈110和接收線圈112的拓撲得出。此外,如圖1b所示,線圈110的拓撲和線圈112的拓撲被協(xié)調(diào)以提供對金屬目標124的位置的指示。圖2a示出金屬目標124的0°位置,為了便于說明,余弦定向線圈110和正弦定向線圈112被分開。如圖1b所示,正弦定向線圈112和余弦定向線圈110共同位于發(fā)射線圈106內(nèi)。使用如圖1a所示的磁場108,正弦定向線圈112的環(huán)路114、環(huán)路116和環(huán)路118被定位為使得每個環(huán)路中的電壓之和抵消,從而使總vsin為0。如圖2a所示,在沒有金屬目標124的情況下,環(huán)路114中的電壓vc可以被表示為1/2,環(huán)路116中的電壓(因為該環(huán)路中的電流與環(huán)路114和環(huán)路118中的電流相反)可以被表示為vd=-1,而環(huán)路118中的電壓可以表示為ve=1/2。因此,線圈112中的電壓為vsin=vc+vd+ve=0。因此,如果不存在金屬目標124,則來自正弦定向線圈112的輸出信號將為0。類似地,如果不存在金屬目標124,則來自余弦定向環(huán)路110的輸出信號也為0,這是因為由環(huán)路120中的磁場108生成的電壓va=-1抵消了由環(huán)路122中的磁場108所生成的電壓vb=1,使得vcos=va+vb=0。如上文所討論的。
可以使用數(shù)百甚至數(shù)千次仿真。因此,存在一些模型簡化,這盡管基本上不影響仿真的準確性,但可以提高速度。例如,如果每次仿真需要10秒鐘來完成,則使用100次迭代的優(yōu)化可能需要16分鐘。然而,如果每次仿真需要10分鐘完成,則同一優(yōu)化可能需要16個小時來完成。在一些實施例中使用的有效簡化是用一維導線模型來表示用于形成發(fā)射線圈和線圈的導電跡線。在與一維導線模型偏離嚴重的情況下,考慮一個具有35μm的高度和。該矩形跡線可以由例如銅的任何非磁性導電材料形成。其他金屬也可以用來形成跡線,但銅更為典型。對于厚度為趨膚深度的大約兩倍的跡線部分,矩形跡線中流動的電流的電流密度可以是非常均勻的。對于銅,在5mhz的頻率下的趨膚深度為30μm。因此,對于上述基準矩形跡線,跡線內(nèi)的電流密度將是基本上均勻的。圖10b示出由承載電流的一維導線1020生成的場。如果在兩個結構中流動的電流相同,則由導線1020或由一定直徑的直的圓柱體生成的場沒有差異。然而,圖10c示出在基準跡線1022周圍生成的場,基準跡線1022是上述由銅形成的并且具有35μm的高度和。如圖10c所示,即使在小于1mm的短距離處,該場看起來也與圖10b中的由導線1020所生成的場相同。尼龍傳感器線圈,無錫東英電子有限公司。
使得用于發(fā)射線圈802的跡線中的一些跡線在pcb的一側上,而發(fā)射線圈802的其他跡線在pcb的相反側上。在一些情況下,可以優(yōu)化發(fā)射線圈以使其相對于接收線圈盡可能對稱,同時小化所需空間。圖8a示出通孔814和通孔816,它們允許將發(fā)射線圈802的跡線連接在pcb的側面之間。如圖8a和圖8b進一步所示,接收線圈包括余弦定向線圈804和正弦定向線圈806。余弦定向線圈804包括通孔818,其允許余弦定向線圈804的導線跡線從pcb的一側過渡到另一側。類似地,正弦定向線圈806包括通孔820,其允許在pcb的側面之間過渡正弦定向線圈806的布線。線圈布局800中包括的另一個特征是阱808、810和812的增加,這些阱進一步補償由發(fā)射線圈802生成的場的不均勻性以及由該不均勻性生成的所得偏移誤差。如線圈設計800中所示,提供阱808和阱810來調(diào)整正弦定向線圈804,并設置阱812來調(diào)整余弦定向線圈806。此外,可以提供通孔822和通孔824,使得阱808和阱812的跡線可以分別在pcb的任一側上。阱808、阱810和阱812可以例如補償由于發(fā)射線圈802生成的場中的不均勻性而引起的接收線圈804和接收線圈806中的偏差。圖9a、圖9b和圖9c示出根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的另一種線圈設計。傳感器線圈品牌,無錫東英電子有限公司??照{(diào)傳感器線圈優(yōu)勢
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“avolumeintegralformulationforsolvingeddycurrentproblemsonpolyhedralmesses(解決多面體對象的渦電流問題的體積積分公式)”,ieee磁學學報,第53卷,第6期,7204904,2017。如圖10f進一步所示,金屬目標1024的表面被表示為被網(wǎng)格元素1026覆蓋。網(wǎng)格元素1026是非重疊的多邊形,通常為三角形,其覆蓋金屬目標1024的整個表面并形成離散表面。如圖10a所示,一旦在704的步驟1008中執(zhí)行對金屬目標1024的仿真,則在步驟1010中對線圈804和線圈806的響應進行仿真。如算法704中進一步示出的,仿真704在整個位置定位器系統(tǒng)800上掃描目標,并且“經(jīng)計算機(insilico)”針對目標1024的所有指定位置估計接收線圈804和接收線圈806上的電壓。如在圖7a所示的算法700的步驟712中進一步示出的,接收線圈804和接收線圈806的形狀,同時假設發(fā)射線圈以佳的可能的方式適應于傳感器800的所有非理想性。鑒于無法完全消除非理想性,這了佳解決方案,并且如上所述,在仿真算法704中使用了若干個近似。圖11示出算法712的示例。在算法712中,接收線圈804和接收線圈806跡線和發(fā)射線圈802的中心線被表示為一維路徑。天津塑封傳感器線圈
無錫東英電子有限公司主要經(jīng)營范圍是機械及行業(yè)設備,擁有一支專業(yè)技術團隊和良好的市場口碑。東英電子致力于為客戶提供良好的電子線圈,電磁閥,傳感器,汽車電子零部件,一切以用戶需求為中心,深受廣大客戶的歡迎。公司將不斷增強企業(yè)重點競爭力,努力學習行業(yè)知識,遵守行業(yè)規(guī)范,植根于機械及行業(yè)設備行業(yè)的發(fā)展。在社會各界的鼎力支持下,持續(xù)創(chuàng)新,不斷鑄造***服務體驗,為客戶成功提供堅實有力的支持。
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