算法700在步驟706中計(jì)算小位置誤差，并且在步驟706、步驟708和步驟712中小化rx線圈的非理想性。利用在此優(yōu)化之后獲得的坐標(biāo)，可以使用商業(yè)eda工具印刷pcb，如步驟710所示。本發(fā)明的實(shí)施例可用于產(chǎn)生用于位置定位系統(tǒng)的線圈設(shè)計(jì)，所述位置定位系統(tǒng)用于需要位置傳感器技術(shù)，安徽新能源傳感器線圈、扭矩，安徽新能源傳感器線圈，安徽新能源傳感器線圈、扭矩角傳感器(tas)的所有應(yīng)用以及使用感應(yīng)原理和在pcb上的線圈的所有其他應(yīng)用。某些實(shí)施例的益處包括在兩個(gè)上具有零偏差，這意味著達(dá)到理論極限零。從優(yōu)化線圈之前出現(xiàn)的％fs-3％fs的起點(diǎn)獲得％fs的誤差(提高6倍)可以實(shí)現(xiàn)。此外，如果誤差減小得足夠好，則不需要線性化方法或校準(zhǔn)方法。此外，可以減少用于產(chǎn)生可行的線圈設(shè)計(jì)的試錯(cuò)的次數(shù)，提供縮短的產(chǎn)品推向市場(chǎng)的時(shí)間。圖8a和圖8b示出pcb(為了清楚起見未示出)上的線圈布局800的示例，其可以用作如圖7a所示的算法700的輸入。在一些情況下，算法700將修改根據(jù)算法720所產(chǎn)生的經(jīng)優(yōu)化的線圈設(shè)計(jì)，以優(yōu)化線圈布局800的準(zhǔn)確性。圖8a示出線圈布局800，而圖8b示出線圈布局800的平面圖，其將跡線重疊在pcb的頂側(cè)和底側(cè)上。如圖8a和圖8b所示，線圈設(shè)計(jì)800包括發(fā)射線圈802，其可以包括多個(gè)環(huán)路，并且還可以包括穿過pcb的通孔。外殼傳感器線圈，無錫東英電子有限公司。安徽新能源傳感器線圈

    “avolumeintegralformulationforsolvingeddycurrentproblemsonpolyhedralmesses(解決多面體對(duì)象的渦電流問題的體積積分公式)”，ieee磁學(xué)學(xué)報(bào)，第53卷，第6期，7204904，2017。如圖10f進(jìn)一步所示，金屬目標(biāo)1024的表面被表示為被網(wǎng)格元素1026覆蓋。網(wǎng)格元素1026是非重疊的多邊形，通常為三角形，其覆蓋金屬目標(biāo)1024的整個(gè)表面并形成離散表面。如圖10a所示，一旦在704的步驟1008中執(zhí)行對(duì)金屬目標(biāo)1024的仿真，則在步驟1010中對(duì)線圈804和線圈806的響應(yīng)進(jìn)行仿真。如算法704中進(jìn)一步示出的，仿真704在整個(gè)位置定位器系統(tǒng)800上掃描目標(biāo)，并且“經(jīng)計(jì)算機(jī)(insilico)”針對(duì)目標(biāo)1024的所有指定位置估計(jì)接收線圈804和接收線圈806上的電壓。如在圖7a所示的算法700的步驟712中進(jìn)一步示出的，接收線圈804和接收線圈806的形狀，同時(shí)假設(shè)發(fā)射線圈以佳的可能的方式適應(yīng)于傳感器800的所有非理想性。鑒于無法完全消除非理想性，這了佳解決方案，并且如上所述，在仿真算法704中使用了若干個(gè)近似。圖11示出算法712的示例。在算法712中，接收線圈804和接收線圈806跡線和發(fā)射線圈802的中心線被表示為一維路徑。安徽新能源傳感器線圈傳感器線圈配件，無錫東英電子有限公司。

    在實(shí)際工作中，一般不進(jìn)行這種檢測(cè)，*進(jìn)行線圈的通斷檢查和Q值的大小判斷。[1]可先利用萬用表電阻檔測(cè)量線圈的直流電阻，再與原確定的阻值或標(biāo)稱阻值相比較，如果所測(cè)阻值比原確定阻值或標(biāo)稱阻值增大許多，甚至指針不動(dòng)（阻值趨向無窮大X）可判斷線圈斷線；若所測(cè)阻值極小，則判定是嚴(yán)重短路或者局部短路是很難比較出來。這兩種情況出現(xiàn)，可以判定此線圈是壞的，不能用。如果檢測(cè)電阻與原確定的或標(biāo)稱阻值相差不大，可判定此線圈是好的。此種情況，我們就可以根據(jù)以下幾種情況，去判斷線圈的質(zhì)量即Q值的大小。線圈的電感量相同時(shí)，其直流電阻越小，Q值越高；所用導(dǎo)線的直徑越大，其Q值越大；若采用多股線繞制時(shí)，導(dǎo)線的股數(shù)越多，Q值越高；線圈骨架（或鐵芯）所用材料的損耗越小，其Q值越高。例如，高硅硅鋼片做鐵芯時(shí)，其Q值較用普通硅鋼片做鐵芯時(shí)高；線圈分布電容和漏磁越小，其Q值越高。例如，蜂房式繞法的線圈，其Q值較平繞時(shí)為高，比亂繞時(shí)也高；線圈無屏蔽罩，安裝位置周圍無金屬構(gòu)件時(shí)，其Q值較高，相反，則Q值較低。屏蔽罩或金屬構(gòu)件離線圈越近，其Q值降低越嚴(yán)重；對(duì)有磁芯的的位置要適當(dāng)安排合理；天線線圈與振蕩線圈應(yīng)相互垂直，這就避免了相互耦合的影響。。

    區(qū)別在距離跡線小于約1mm的場(chǎng)中。圖10d示出導(dǎo)線1020的一維模型與基準(zhǔn)矩形跡線1022在距跡線中心1mm的距離處的差異。單個(gè)矩形跡線1022的表示可以通過單導(dǎo)線配置和多導(dǎo)線配置兩者來實(shí)現(xiàn)。可以看出，該場(chǎng)與一維模型略有偏離。從圖10d可以看出，誤差不可忽略，但在兩種情況下，即使在1mm處，誤差也只有很小的分?jǐn)?shù)1％。由于接收線圈的大多數(shù)點(diǎn)相對(duì)于發(fā)射線圈的距離遠(yuǎn)大于1mm，因此1維導(dǎo)線模型在大多數(shù)應(yīng)用中可能就足夠了。也可以用三維塊狀元素來表示發(fā)射線圈，其中假定電流密度是均勻的。圖10e示出這種近似。如圖10e所示，這以適度的附加計(jì)算為代價(jià)將由發(fā)射線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)的建模誤差減小了一個(gè)數(shù)量級(jí)。因此，在步驟1006和步驟1010中，可以將跡線建模為一維跡線。因此，通過使用1維導(dǎo)線模型可以預(yù)先計(jì)算由發(fā)射線圈產(chǎn)生的源磁場(chǎng)。在一些實(shí)施例中，可以使用基于3d塊狀件元素的更高級(jí)的模型，如上所述，該模型可以產(chǎn)生大致相同的結(jié)果。這些模型可以使用有限元矩陣形式的計(jì)算，然而，此類模型可能需要許多元素，并且需要增加計(jì)算。如上文所討論的，類似于fem的模型可能使用太多的元素(1億多個(gè)網(wǎng)格元素)來達(dá)到所提出的一維模型的準(zhǔn)確性。防爆傳感器線圈，無錫東英電子有限公司。

    可以把產(chǎn)生電渦流的金屬導(dǎo)體等效成一個(gè)短路環(huán)，即假設(shè)電渦流只分布在環(huán)體內(nèi)。因此，電渦流式傳感器的等效電路計(jì)算方法為：式中，R2為電渦流短路環(huán)等效電阻；h為電渦流的深度（）；ra為短路環(huán)的外徑；ri為短路環(huán)的內(nèi)徑。由基爾霍夫電壓定律有式中ω為線圈與金屬導(dǎo)體的互感系數(shù)?？傻玫刃ё杩篂槭街蠷eq為產(chǎn)生電渦流效應(yīng)后線圈的等效電阻，Leq為產(chǎn)生電渦流效應(yīng)后線圈的等效電感。由于電渦流的影響，線圈復(fù)阻抗的實(shí)部（等效電阻）增大、虛部（等效電感）減小。因此，線圈的等效品質(zhì)因數(shù)下降。電渦流式傳感器的等效電氣參數(shù)都是互感系數(shù)M2的函數(shù)。通常總是利用其等效電感的變化組成測(cè)量電路，因此，電渦流式傳感器屬于電感式（互感式）傳感器。三、測(cè)量電路用于電渦流傳感器的測(cè)量電路主要有調(diào)頻式，調(diào)幅式測(cè)量電路兩種。1、調(diào)頻式測(cè)量電路調(diào)頻式測(cè)量電路，傳感器線圈作為組成LC振蕩器的電感元件，當(dāng)傳感器等效電感在渦流影響下因被測(cè)量變化而變化時(shí)，將導(dǎo)致振蕩器的振蕩頻率發(fā)生變化，該頻率可直接由數(shù)字頻率計(jì)測(cè)得，或通過頻率-電壓變換后用數(shù)字電壓表測(cè)量出對(duì)應(yīng)的電壓。2、調(diào)幅式測(cè)量電路調(diào)幅式測(cè)量電路，由傳感器線圈、電容和石英晶體組成的石英晶體振蕩電路。單向傳感器線圈，無錫東英電子有限公司。山西傳感器線圈參數(shù)

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    可以使用元啟發(fā)式全局搜索技術(shù)，例如遺傳算法或粒子群算法。在一些實(shí)施例中，可以在步驟1104和步驟1106中使用確定性算法，例如內(nèi)部點(diǎn)方法，或信任區(qū)域算法。具體地，由于用于接收線圈804和接收線圈806的初始設(shè)計(jì)可以是標(biāo)準(zhǔn)的正弦和余弦輪廓，并且所得到的優(yōu)化設(shè)計(jì)可能導(dǎo)致對(duì)初始設(shè)計(jì)的小的擾動(dòng)，因此期望可以使用局部搜索方法來充分地查找導(dǎo)致佳設(shè)計(jì)的全局小值。優(yōu)化理論的基礎(chǔ)可以在例如以下中找到：，engineeringoptimization：theoryandpractice(工程優(yōu)化：理論與實(shí)踐)，johnwiley&sons，2009年。圖12示出算法712的另一個(gè)實(shí)施例。在步驟1202中提供的輸入與針對(duì)圖11的步驟1102所討論的輸入相同。在步驟1204中，自動(dòng)生成提供大的對(duì)稱性并減小所需的空間的發(fā)射線圈(tx)。在圖13中示出可以得到的示例發(fā)射線圈，其中根據(jù)在跡線到跡線的距離和通孔尺寸(焊盤半徑)方面的pcb規(guī)范來計(jì)算跡線偏離1304。此外，通過交替的通孔定位1302可以減小空間。在圖12所示的算法712的實(shí)施例中，該算法調(diào)整正弦接收線圈，并且相對(duì)于經(jīng)修改的正弦接收線圈來定義余弦接收線圈。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，代替修改正弦接收線圈，可以替代地修改余弦接收線圈。安徽新能源傳感器線圈

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