二)磁場的強度在近房間中心的磁場強度與回路中電流的大小和回路數(shù)直接成正比，與回路的直徑成反比例。國際標準(IEC60118—4，BS7594)指出：一個磁場的長期平均輸出功率值應為100mA/m(指每米毫安培)。不得低于70mA/m或高于140mA/m。該值是在回路內，距離地板1．2米時測得的磁場垂直面上的強度。允許在言語中出現(xiàn)達到400mA/m的強度峰值、頻率范圍應當覆蓋100Hz—5kHz。在回路中心的直徑a米，有n周圍繞的回路其磁場強度可以用下式計算：H是磁場的強度，用每米毫安培表示，I是電流值的均方根，用安培表示、對一個正方形的回路，大小用a米表示，其磁場強度要比計算的值少10%。如果磁場的長期平均輸出功率強度要達到100mA/m，則回路輸出的值至少要在400mA/m(好560mA/m)，這樣可以避免在更大強度的言語聲音中產(chǎn)生過多的削峰。根據(jù)電磁原理我們可以看到，感應回路線圈并不是在建筑中產(chǎn)生磁場的的一條電線，所有建筑中的電線都會產(chǎn)生磁場，因此，其它傳感器線圈廠家拿貨價格，助聽器不僅能收到語音信號，其它傳感器線圈廠家拿貨價格，也可以接收到其他磁場信號，如50Hz的電源電壓信號等。在布線的時候要充分考慮到干擾源的問題。如果音頻磁場太弱，其它傳感器線圈廠家拿貨價格，信噪比就不夠大。提高信號發(fā)射功率，可以干擾。在一些體積較小的助聽器中(其線圈亦小)。高速傳感器線圈，無錫東英電子有限公司。其它傳感器線圈廠家拿貨價格

    如圖3a所示，線圈112由pcb322的頂側上的跡線302和pcb322的底側上的跡線304形成。跡線302和跡線304通過穿過pcb322而形成的通孔306電接合。如圖3a所示，通孔306、頂側跡線302和底側跡線304被布置為允許形成余弦定向線圈112。例如，部分310和部分312允許線圈112交叉以形成環(huán)路114、環(huán)路116和環(huán)路118，同時在相交處將跡線分離。如進一步示出的，部分314、部分316、部分318和部分320允許余弦定向線圈112覆蓋在pcb上。然而，通孔306和pcb322的相對的兩側上的跡線302和跡線304的存在降低了由線圈104檢測到的信號的有效幅度。有效地，通孔306在發(fā)射線圈106和信號線圈104之間形成間隙距離，這本身對位置定位系統(tǒng)的準確性有很大的影響。這還與以下相結合：由于在pcb322的頂側和底側上都形成了信號線圈104的跡線，而導致的金屬目標124和pcb322上的信號線圈104之間的有效氣隙的增加。圖3b示出另一個關于對稱性的問題，其中，發(fā)射線圈106與接收線圈104是不對稱的。在圖3b所示的情況下，接收線圈104不以發(fā)射線圈106為中心，并且形成與接收線圈104和發(fā)射線圈106的連接的跡線也不對稱。圖3c示出由發(fā)射線圈106生成的磁場強度的不均勻性。如圖3c所示。新傳感器線圈優(yōu)勢國產(chǎn)傳感器線圈，無錫東英電子有限公司。

    “avolumeintegralformulationforsolvingeddycurrentproblemsonpolyhedralmesses(解決多面體對象的渦電流問題的體積積分公式)”，ieee磁學學報，第53卷，第6期，7204904，2017。如圖10f進一步所示，金屬目標1024的表面被表示為被網(wǎng)格元素1026覆蓋。網(wǎng)格元素1026是非重疊的多邊形，通常為三角形，其覆蓋金屬目標1024的整個表面并形成離散表面。如圖10a所示，一旦在704的步驟1008中執(zhí)行對金屬目標1024的仿真，則在步驟1010中對線圈804和線圈806的響應進行仿真。如算法704中進一步示出的，仿真704在整個位置定位器系統(tǒng)800上掃描目標，并且“經(jīng)計算機(insilico)”針對目標1024的所有指定位置估計接收線圈804和接收線圈806上的電壓。如在圖7a所示的算法700的步驟712中進一步示出的，接收線圈804和接收線圈806的形狀，同時假設發(fā)射線圈以佳的可能的方式適應于傳感器800的所有非理想性。鑒于無法完全消除非理想性，這了佳解決方案，并且如上所述，在仿真算法704中使用了若干個近似。圖11示出算法712的示例。在算法712中，接收線圈804和接收線圈806跡線和發(fā)射線圈802的中心線被表示為一維路徑。

    區(qū)別在距離跡線小于約1mm的場中。圖10d示出導線1020的一維模型與基準矩形跡線1022在距跡線中心1mm的距離處的差異。單個矩形跡線1022的表示可以通過單導線配置和多導線配置兩者來實現(xiàn)?？梢钥闯觯搱雠c一維模型略有偏離。從圖10d可以看出，誤差不可忽略，但在兩種情況下，即使在1mm處，誤差也只有很小的分數(shù)1％。由于接收線圈的大多數(shù)點相對于發(fā)射線圈的距離遠大于1mm，因此1維導線模型在大多數(shù)應用中可能就足夠了。也可以用三維塊狀元素來表示發(fā)射線圈，其中假定電流密度是均勻的。圖10e示出這種近似。如圖10e所示，這以適度的附加計算為代價將由發(fā)射線圈產(chǎn)生的磁場的建模誤差減小了一個數(shù)量級。因此，在步驟1006和步驟1010中，可以將跡線建模為一維跡線。因此，通過使用1維導線模型可以預先計算由發(fā)射線圈產(chǎn)生的源磁場。在一些實施例中，可以使用基于3d塊狀件元素的更高級的模型，如上所述，該模型可以產(chǎn)生大致相同的結果。這些模型可以使用有限元矩陣形式的計算，然而，此類模型可能需要許多元素，并且需要增加計算。如上文所討論的，類似于fem的模型可能使用太多的元素(1億多個網(wǎng)格元素)來達到所提出的一維模型的準確性。高溫傳感器線圈，無錫東英電子有限公司。

    例如，目標的角位置可以被計算為：角位置＝arctan(vsin/vcos)。圖2e示出了這一點，并且示出vcos和vsin的正弦形式以及根據(jù)vcos和vsin的值得出的對金屬目標124的位置的確定。在線性位置定位系統(tǒng)中，可以通過知道線圈104的跡線的正弦形式的波長(即，正弦定向線圈112的跡線和余弦定向線圈110的跡線的峰距區(qū)域之間的間隔)，通過角位置來確定線性位置。在角位置定位系統(tǒng)中，正弦定向線圈112和余弦定向線圈110可以被布置為使得該角位置可以等于關于金屬目標124的旋轉的金屬目標124的實際角位置。重要的是要注意指示位置定位傳感器100的理想操作的以下條件。在那些條件中，發(fā)射器線圈106的形狀不重要，只要其覆蓋放置線圈104的區(qū)域即可。此外，線圈104的形狀等于完美的幾何重疊的正弦和余弦。另外，金屬目標124的形狀對工作原理沒有影響，只要目標的區(qū)域覆蓋線圈104的總區(qū)域的一部分即可。理想的一組線圈和理想的金屬目標的這些條件從未被滿足。在實際系統(tǒng)中，情況大不相同。非理想性導致金屬目標124的位置的確定的不準確性。導致位置確定的不正確性的問題包括發(fā)射線圈106中生成的電磁場的不均勻?？諝鈧鞲衅骶€圈，無錫東英電子有限公司。山東傳感器線圈定做

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    圖4d示出利用圖4b所示的測試設備測量的來自位置定位系統(tǒng)中的接收線圈的接收電壓。圖5示出測量到的響應和仿真響應。圖6示出根據(jù)本發(fā)明的實施例優(yōu)化的示例線圈設計的測量到的響應與仿真響應之間的誤差。圖7a和圖7b示出根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的用于優(yōu)化位置定位傳感器的線圈設計的算法。圖7c示出操作圖7a所示的算法的系統(tǒng)的輸入屏幕快照。圖8a和圖8b示出根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的線圈設計。圖9a、圖9b和圖9c示出根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的另一個示例線圈設計。圖9d和圖9e示出根據(jù)一些實施例的線圈設計的性能特性。圖10a示出根據(jù)一些實施例的仿真算法。圖10b和圖10c示出在導線周圍生成的場和在矩形跡線周圍生成的場。圖10d和圖10e示出通過將矩形跡線視為一維導線、多導線或3d塊狀件(brick)而生成的誤差。圖10f示出在線圈上方的金屬目標中的渦電流的仿真。圖11示出根據(jù)一些實施例的用于調整線圈設計的算法。圖12示出根據(jù)一些實施例的用于調整線圈設計的算法的另一個實施例。圖13示出優(yōu)化無阱(well)設計。圖14示出經(jīng)優(yōu)化的有阱設計。下文進一步討論本發(fā)明的實施例的這些和其他方面。具體實施方式在下文的描述中，闡述了描述本發(fā)明的一些實施例的具體細節(jié)。然而。其它傳感器線圈廠家拿貨價格

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