如圖3a所示，線圈112由pcb322的頂側(cè)上的跡線302和pcb322的底側(cè)上的跡線304形成。跡線302和跡線304通過穿過pcb322而形成的通孔306電接合。如圖3a所示，通孔306、頂側(cè)跡線302和底側(cè)跡線304被布置為允許形成余弦定向線圈112。例如，部分310和部分312允許線圈112交叉以形成環(huán)路114、環(huán)路116和環(huán)路118，同時在相交處將跡線分離。如進一步示出的，部分314、部分316、部分318和部分320允許余弦定向線圈112覆蓋在pcb上。然而，通孔306和pcb322的相對的兩側(cè)上的跡線302和跡線304的存在降低了由線圈104檢測到的信號的有效幅度。有效地，通孔306在發(fā)射線圈106和信號線圈104之間形成間隙距離，這本身對位置定位系統(tǒng)的準確性有很大的影響。這還與以下相結(jié)合：由于在pcb322的頂側(cè)和底側(cè)上都形成了信號線圈104的跡線，而導致的金屬目標124和pcb322上的信號線圈104之間的有效氣隙的增加。圖3b示出另一個關(guān)于對稱性的問題，其中，發(fā)射線圈106與接收線圈104是不對稱的。在圖3b所示的情況下，雙向傳感器線圈現(xiàn)貨，接收線圈104不以發(fā)射線圈106為中心，雙向傳感器線圈現(xiàn)貨，并且形成與接收線圈104和發(fā)射線圈106的連接的跡線也不對稱。圖3c示出由發(fā)射線圈106生成的磁場強度的不均勻性。如圖3c所示，雙向傳感器線圈現(xiàn)貨。新傳感器線圈，無錫東英電子有限公司。雙向傳感器線圈現(xiàn)貨

    發(fā)射/接收電路102和接收線圈104之間的金屬跡線的連接以及發(fā)射/接收電路102和發(fā)射線圈106之間的金屬跡線的連接，其也對所生成的電磁場有貢獻；金屬目標124與安裝有接收線圈104和發(fā)射線圈106的pcb之間的氣隙(ag)；正弦定向線圈112和余弦定向線圈110之間的幅度偏差；來自正弦定向線圈112和余弦定向線圈110的接收信號之間的失配；正弦定向線圈112和余弦定向線圈110中的不同的耦合效應(yīng)。此外，金屬目標124和pcb之間的氣隙(ag)與位置確定的準確性之間存在很強的相關(guān)性。此外，在理想情況下，正弦定向線圈112和余弦定向線圈110的拓撲是理想的三角函數(shù)，但是在實際設(shè)計中，這些線圈104不是理想的，并且具有若干個通孔，以允許通過使用pcb的兩面將跡線互相盤繞在pcb上。圖3a示出被定向在pcb(為清楚起見，圖3a中未示出)上的正弦定向線圈112。pcb被定位為使得形成正弦定向線圈112的跡線被定位在pcb的頂側(cè)和底側(cè)。在本公開中，對pcb的頂側(cè)或底側(cè)的引用指示pcb的相對側(cè)，并且關(guān)于pcb的定向沒有其他含義。通常，位置定位系統(tǒng)被定位成使得pcb的頂側(cè)面向金屬目標124的表面。圖3b示出pcb322的頂側(cè)，在頂側(cè)上形成用于形成發(fā)射線圈106、正弦定向線圈112和余弦定向線圈110的頂側(cè)跡線。常開傳感器線圈價格空氣傳感器線圈，無錫東英電子有限公司。

    根據(jù)法拉第電磁感應(yīng)定律，當塊狀導體置于交變磁場或在固定磁場中運動時，導體內(nèi)產(chǎn)生感應(yīng)電流，此電流在導體內(nèi)閉合，稱為渦流。電渦流式傳感器，將位移、厚度、材料損傷等非電量轉(zhuǎn)換為電阻抗的變化（或電感、Q值的變化），從而進行非電量的測量。一、工作原理電渦流式傳感器由傳感器激勵線圈和被測金屬體組成。根據(jù)法拉第電磁感應(yīng)定律，當傳感器激勵線圈中通過以正弦交變電流時，線圈周圍將產(chǎn)生正選交變磁場，是位于蓋磁場中的金屬導體產(chǎn)生感應(yīng)電流，該感應(yīng)電流又產(chǎn)生新的交變磁場。新的交變磁場阻礙原磁場的變化，使得傳感器線圈的等效阻抗發(fā)生變化。傳感器線圈受電渦流影響時的等效阻抗Z為式中，ρ為被測體的電阻率；μ為被測體的磁導率；r為線圈與被測體的尺寸因子；f為線圈中激磁電流的頻率；x為線圈與導體間的距離。由此可見，線圈阻抗的變化完全取決于被測金屬的電渦流效應(yīng)，分別與以上因素有關(guān)。如果只改變式中的一個參數(shù)，保持其他參數(shù)不變，傳感器線圈的阻抗Z就只與該參數(shù)有關(guān)，如果測出傳感器線圈阻抗的變化，就可以確定該參數(shù)。在實際應(yīng)用中，通常是改變線圈與導體間的距離x，而保持其他參數(shù)不變，來實現(xiàn)位移和距離測量。二、等效電路討論電渦流式傳感器時。

    這樣的系統(tǒng)中的金屬目標124的實際位置可以從由接收線圈104的輸出電壓測量到的角位置以及接收線圈110和接收線圈112的拓撲得出。此外，如圖1b所示，線圈110的拓撲和線圈112的拓撲被協(xié)調(diào)以提供對金屬目標124的位置的指示。圖2a示出金屬目標124的0°位置，為了便于說明，余弦定向線圈110和正弦定向線圈112被分開。如圖1b所示，正弦定向線圈112和余弦定向線圈110共同位于發(fā)射線圈106內(nèi)。使用如圖1a所示的磁場108，正弦定向線圈112的環(huán)路114、環(huán)路116和環(huán)路118被定位為使得每個環(huán)路中的電壓之和抵消，從而使總vsin為0。如圖2a所示，在沒有金屬目標124的情況下，環(huán)路114中的電壓vc可以被表示為1/2，環(huán)路116中的電壓(因為該環(huán)路中的電流與環(huán)路114和環(huán)路118中的電流相反)可以被表示為vd＝-1，而環(huán)路118中的電壓可以表示為ve＝1/2。因此，線圈112中的電壓為vsin＝vc+vd+ve＝0。因此，如果不存在金屬目標124，則來自正弦定向線圈112的輸出信號將為0。類似地，如果不存在金屬目標124，則來自余弦定向環(huán)路110的輸出信號也為0，這是因為由環(huán)路120中的磁場108生成的電壓va＝-1抵消了由環(huán)路122中的磁場108所生成的電壓vb＝1，使得vcos＝va+vb＝0。如上文所討論的。雙向傳感器線圈，無錫東英電子有限公司。

    余弦定向線圈110可以包括具有順時針定向的環(huán)路120和具有逆時針定向的第二環(huán)路122。圖1b示出由箭頭指示的可能的電動勢參考方向，該方向與由如圖1a所示的發(fā)射器線圈106產(chǎn)生的磁場一致。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將認識到的，可以以其他方式解釋所述定向。在圖1b所示的系統(tǒng)中，發(fā)射器線圈(tx)106被電路102(電路102可以是集成電路)激勵，以生成被示出為emf場108的可變電磁場(emf)。磁場108與線圈(rx)104耦合。如圖1b所示，如果將導電金屬目標124放置在線圈104的上方，則會在金屬目標124中生成渦電流。該渦電流生成新的電磁場，該電磁場理想情況下與場108相等并相反，從而抵消了在金屬目標124正下方的線圈104中的場。線圈(rx)104捕獲由發(fā)射線圈106生成的可變emf場108和由金屬目標124感應(yīng)的場，得到在線圈104的端子處生成的正弦電壓。在沒有金屬目標124的情況下，在rx線圈104(在圖1b中被標記為rxcos110和rxsin112)的端子處將沒有電壓。當金屬目標124相對于rx線圈104被放置在特定位置時，在被金屬目標124覆蓋的區(qū)域上的合成電磁場理想地為零，因此在rx線圈104的端子處的電壓將具有不同的特性，這取決于金屬目標124相對于接收線圈104的位置。微型傳感器線圈，無錫東英電子有限公司。北京其它傳感器線圈

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    二)磁場的強度在近房間中心的磁場強度與回路中電流的大小和回路數(shù)直接成正比，與回路的直徑成反比例。國際標準(IEC60118—4，BS7594)指出：一個磁場的長期平均輸出功率值應(yīng)為100mA/m(指每米毫安培)。不得低于70mA/m或高于140mA/m。該值是在回路內(nèi)，距離地板1．2米時測得的磁場垂直面上的強度。允許在言語中出現(xiàn)達到400mA/m的強度峰值、頻率范圍應(yīng)當覆蓋100Hz—5kHz。在回路中心的直徑a米，有n周圍繞的回路其磁場強度可以用下式計算：H是磁場的強度，用每米毫安培表示，I是電流值的均方根，用安培表示、對一個正方形的回路，大小用a米表示，其磁場強度要比計算的值少10%。如果磁場的長期平均輸出功率強度要達到100mA/m，則回路輸出的值至少要在400mA/m(好560mA/m)，這樣可以避免在更大強度的言語聲音中產(chǎn)生過多的削峰。根據(jù)電磁原理我們可以看到，感應(yīng)回路線圈并不是在建筑中產(chǎn)生磁場的的一條電線，所有建筑中的電線都會產(chǎn)生磁場，因此，助聽器不僅能收到語音信號，也可以接收到其他磁場信號，如50Hz的電源電壓信號等。在布線的時候要充分考慮到干擾源的問題。如果音頻磁場太弱，信噪比就不夠大。提高信號發(fā)射功率，可以干擾。在一些體積較小的助聽器中(其線圈亦小)。雙向傳感器線圈現(xiàn)貨

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