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7203904,2015年,其提供非常快速的仿真(25個目標位置需要數(shù)十秒)??梢詫Υ祟愃惴ㄟM行調(diào)整,以仿真pcb上的跡線和感應傳感器應用。具體地,仿真可以輸入pcb跡線的幾何形狀、金屬目標的幾何形狀、氣隙、金屬目標在由跡線形成的線圈上的平移/旋轉、以及另外的固定導體,其例如可用于仿真pct或傳感器附近的其他導體的接地層。仿真可以輸出線圈上方的金屬目標的一系列位置處來自線圈的仿真電壓。在一些實施例中,在本申請中也可以使用有限元方法(fem)或類似方法。然而,在一些情況下,執(zhí)行這些仿真可能需要大量的計算時間。可以預期,相對于上述bim方法,每個傳感器目標位置的計算可能使用兩個或更多個數(shù)量級的計算時間。此外,可能需要針對每個目標位置從頭開始重建計算域的網(wǎng)格,批發(fā)汽車傳感器線圈 氣動。而且,由于長而細的導體需要大量的網(wǎng)格元素來獲得精確的解,因此這些技術的準確性可能受限。這些計算也可能受到存儲器和計算時間資源的限制。圖10a示出算法700的仿真步驟704的示例。實際上,如圖7a的示例中所示的算法700基本上補償了上述的非理想性,并因此產(chǎn)生與提供精確的位置定位系統(tǒng)的問題的物理學相容的佳的可能的解,批發(fā)汽車傳感器線圈 氣動。為此,批發(fā)汽車傳感器線圈 氣動,開發(fā)了位置定位系統(tǒng)的一種真實高效的數(shù)值模型。傳感器線圈芯,無錫東英電子有限公司。批發(fā)汽車傳感器線圈 氣動
該仿真已在算法700的步驟704中執(zhí)行。否則,執(zhí)行類似的仿真。在步驟726中,在印刷電路板上物理地產(chǎn)生線圈設計。在步驟728中,例如利用如圖4a和圖4b所示的定位系統(tǒng)400來測量物理地產(chǎn)生的線圈設計響應。在步驟730中,將來自物理地產(chǎn)生的線圈設計的測量結果與來自線圈設計的仿真結果進行比較。然后,步驟730可以針對其準確性驗證在步驟724中執(zhí)行的仿真。在步驟732中,如果仿真與測量結果匹配,則算法720進行到步驟734,在此線圈設計已經(jīng)被驗證。在步驟732中,如果仿真結果與物理測量結果不匹配,則算法720進行到步驟736。在步驟736中,如果所執(zhí)行的算法720為對由算法700所產(chǎn)生的線圈設計的驗證,則修改算法700的輸入設計,并返回算法700。在一些實施例中,在步驟736中產(chǎn)生錯誤,指示仿真未正確地運行,因此仿真自身需要進行調(diào)整以便更好地仿真特定位置定位系統(tǒng)中的所有非理想性。在那種情況下,步驟736也可以是模型校準算法。因此,在本發(fā)明的一些實施例中,可以通過迭代地提供當前線圈設計的仿真,然后根據(jù)該仿真修改線圈設計,直到線圈設計滿足期望的規(guī)范為止,來產(chǎn)生優(yōu)化的線圈設計。在一些情況下,作為后一步,將物理產(chǎn)生并測試經(jīng)優(yōu)化的線圈設計。雙向傳感器線圈市場價傳感器線圈優(yōu)勢,無錫東英電子有限公司。
樣條函數(shù)或任何其他插值函數(shù)可用于鏈接一維路徑以形成發(fā)射線圈802和接收線圈804及接收線圈806的形狀。通過應用合適的函數(shù)可以更高效地實現(xiàn)接收線圈的變形。例如,在旋轉傳感器中,該函數(shù)將是半徑的函數(shù)。在步驟1102中,在算法712中輸入和接收當前線圈設計布局、仿真結果以及在一些情況下在步驟706中提供的比較。然后可以使用非線性編程求解器來找到使給定目標函數(shù)小化的發(fā)射線圈802和接收線圈804及接收線圈806的形狀。目標函數(shù)由三部分形成,如圖11所示。在步驟1103中,建立如圖14所示的外部阱1402和外部阱1404的寬度,以小化沒有目標時的偏差。在步驟1104中,將檢測到的位置(即,電角度)與理想位置之間的均方根誤差(rms)小化。這不會對電壓vcos和vsin相對于位置的形狀產(chǎn)生任何影響。在步驟1106中,算法712評估作為位置的函數(shù)的vcos和vsin的仿真值和具有相等幅度的兩個正弦曲線之間的差的rms,以便約束輸出電壓的形狀。在一些實施例中,經(jīng)重新設計的接收線圈804和接收線圈806的形狀可以在步驟1104和步驟1106兩者中收斂。在一些實施例中,步驟1104和步驟1106可以使用元啟發(fā)式優(yōu)化求解器。然而,元啟發(fā)式優(yōu)化求解器往往很慢。因此,在一些實施例中。
二)磁場的強度在近房間中心的磁場強度與回路中電流的大小和回路數(shù)直接成正比,與回路的直徑成反比例。國際標準(IEC60118—4,BS7594)指出:一個磁場的長期平均輸出功率值應為100mA/m(指每米毫安培)。不得低于70mA/m或高于140mA/m。該值是在回路內(nèi),距離地板1.2米時測得的磁場垂直面上的強度。允許在言語中出現(xiàn)達到400mA/m的強度峰值、頻率范圍應當覆蓋100Hz—5kHz。在回路中心的直徑a米,有n周圍繞的回路其磁場強度可以用下式計算:H是磁場的強度,用每米毫安培表示,I是電流值的均方根,用安培表示、對一個正方形的回路,大小用a米表示,其磁場強度要比計算的值少10%。如果磁場的長期平均輸出功率強度要達到100mA/m,則回路輸出的值至少要在400mA/m(好560mA/m),這樣可以避免在更大強度的言語聲音中產(chǎn)生過多的削峰。根據(jù)電磁原理我們可以看到,感應回路線圈并不是在建筑中產(chǎn)生磁場的的一條電線,所有建筑中的電線都會產(chǎn)生磁場,因此,助聽器不僅能收到語音信號,也可以接收到其他磁場信號,如50Hz的電源電壓信號等。在布線的時候要充分考慮到干擾源的問題。如果音頻磁場太弱,信噪比就不夠大。提高信號發(fā)射功率,可以干擾。在一些體積較小的助聽器中(其線圈亦小)。高速傳感器線圈,無錫東英電子有限公司。
區(qū)別在距離跡線小于約1mm的場中。圖10d示出導線1020的一維模型與基準矩形跡線1022在距跡線中心1mm的距離處的差異。單個矩形跡線1022的表示可以通過單導線配置和多導線配置兩者來實現(xiàn)??梢钥闯觯搱雠c一維模型略有偏離。從圖10d可以看出,誤差不可忽略,但在兩種情況下,即使在1mm處,誤差也只有很小的分數(shù)1%。由于接收線圈的大多數(shù)點相對于發(fā)射線圈的距離遠大于1mm,因此1維導線模型在大多數(shù)應用中可能就足夠了。也可以用三維塊狀元素來表示發(fā)射線圈,其中假定電流密度是均勻的。圖10e示出這種近似。如圖10e所示,這以適度的附加計算為代價將由發(fā)射線圈產(chǎn)生的磁場的建模誤差減小了一個數(shù)量級。因此,在步驟1006和步驟1010中,可以將跡線建模為一維跡線。因此,通過使用1維導線模型可以預先計算由發(fā)射線圈產(chǎn)生的源磁場。在一些實施例中,可以使用基于3d塊狀件元素的更高級的模型,如上所述,該模型可以產(chǎn)生大致相同的結果。這些模型可以使用有限元矩陣形式的計算,然而,此類模型可能需要許多元素,并且需要增加計算。如上文所討論的,類似于fem的模型可能使用太多的元素(1億多個網(wǎng)格元素)來達到所提出的一維模型的準確性。冰箱傳感器線圈,無錫東英電子有限公司。換向傳感器線圈市場價
外殼傳感器線圈,無錫東英電子有限公司。批發(fā)汽車傳感器線圈 氣動
如圖3a所示,線圈112由pcb322的頂側上的跡線302和pcb322的底側上的跡線304形成。跡線302和跡線304通過穿過pcb322而形成的通孔306電接合。如圖3a所示,通孔306、頂側跡線302和底側跡線304被布置為允許形成余弦定向線圈112。例如,部分310和部分312允許線圈112交叉以形成環(huán)路114、環(huán)路116和環(huán)路118,同時在相交處將跡線分離。如進一步示出的,部分314、部分316、部分318和部分320允許余弦定向線圈112覆蓋在pcb上。然而,通孔306和pcb322的相對的兩側上的跡線302和跡線304的存在降低了由線圈104檢測到的信號的有效幅度。有效地,通孔306在發(fā)射線圈106和信號線圈104之間形成間隙距離,這本身對位置定位系統(tǒng)的準確性有很大的影響。這還與以下相結合:由于在pcb322的頂側和底側上都形成了信號線圈104的跡線,而導致的金屬目標124和pcb322上的信號線圈104之間的有效氣隙的增加。圖3b示出另一個關于對稱性的問題,其中,發(fā)射線圈106與接收線圈104是不對稱的。在圖3b所示的情況下,接收線圈104不以發(fā)射線圈106為中心,并且形成與接收線圈104和發(fā)射線圈106的連接的跡線也不對稱。圖3c示出由發(fā)射線圈106生成的磁場強度的不均勻性。如圖3c所示。批發(fā)汽車傳感器線圈 氣動
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/2527712.html
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