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詳細說明
并且在步驟1216中,如果不滿足小偏差標準,則算法從步驟1208重新開始。當達到小偏差時,算法進行到步驟1218,高溫傳感器線圈口碑推薦,評估電壓,如圖10a所示,然后計算理想位置和仿真的位置之間的大誤差。如果在步驟1220中沒有達到低的可能誤差,則算法返回到步驟1206,提供另一種配置。一旦獲得了當前輸入的低誤差,高溫傳感器線圈口碑推薦,算法就在返回步驟1226處結束。在一些實施例中,在不存在如圖13所示的阱的情況下,實現(xiàn)沒有目標時的偏差的補償。無論如何,由于正弦形1316rx線圈和余弦形1318rx線圈的平衡延伸部1306和平衡延伸部1307,始終保證了設計對稱性。提供以上詳細描述是為了說明本發(fā)明的具體實施例,而不是旨在進行限制,高溫傳感器線圈口碑推薦。在本發(fā)明的范圍內(nèi)的許多變化和修改是可能的。本發(fā)明在所附權利要求中闡述。傳感器線圈線圈,無錫東英電子有限公司。高溫傳感器線圈口碑推薦
對于本領域技術人員將顯而易見的是,可以在沒有這些具體細節(jié)中的一些或全部的情況下實踐一些實施例。本文公開的具體實施例意在是說明性的而不是限制性的。本領域技術人員可以認識到盡管在此未具體描述但是在本公開的范圍和精神之內(nèi)的其他元素。說明創(chuàng)造性的方面和實施例的描述不應被理解為進行限制,而是由權利要求定義所保護的發(fā)明。在不脫離本說明和權利要求的精神和范圍的情況下,可以進行各種改變。在一些實例中,為了不使本發(fā)明變得模糊,沒有詳細地示出或描述已知的結構和技術。圖1a示出定位系統(tǒng)100。如圖1a所示,該定位系統(tǒng)包括發(fā)射/接收控制電路102,該發(fā)射/接收控制電路102被耦合,以驅(qū)動發(fā)射器線圈106和從接收線圈104接收信號。在大多數(shù)配置中,接收線圈104位于發(fā)射器線圈106之內(nèi),但是在圖1a中,為了清楚起見,它們被分開示出。接收線圈104通常物理上位于發(fā)射線圈106的邊界內(nèi)。本發(fā)明的實施例可以包括發(fā)射器線圈106、兩個線圈104、以及驅(qū)動發(fā)射器線圈106和測量源自線圈104中的信號的集成電路(ic)102,它們?nèi)慷夹纬稍谟∷㈦娐钒?pcb)上。圖1b示出線性位置定位系統(tǒng)中的發(fā)射線圈106和接收線圈104的配置。如圖1b所示。高溫傳感器線圈口碑推薦傳感器線圈效果,無錫東英電子有限公司。
區(qū)別在距離跡線小于約1mm的場中。圖10d示出導線1020的一維模型與基準矩形跡線1022在距跡線中心1mm的距離處的差異。單個矩形跡線1022的表示可以通過單導線配置和多導線配置兩者來實現(xiàn)??梢钥闯?,該場與一維模型略有偏離。從圖10d可以看出,誤差不可忽略,但在兩種情況下,即使在1mm處,誤差也只有很小的分數(shù)1%。由于接收線圈的大多數(shù)點相對于發(fā)射線圈的距離遠大于1mm,因此1維導線模型在大多數(shù)應用中可能就足夠了。也可以用三維塊狀元素來表示發(fā)射線圈,其中假定電流密度是均勻的。圖10e示出這種近似。如圖10e所示,這以適度的附加計算為代價將由發(fā)射線圈產(chǎn)生的磁場的建模誤差減小了一個數(shù)量級。因此,在步驟1006和步驟1010中,可以將跡線建模為一維跡線。因此,通過使用1維導線模型可以預先計算由發(fā)射線圈產(chǎn)生的源磁場。在一些實施例中,可以使用基于3d塊狀件元素的更高級的模型,如上所述,該模型可以產(chǎn)生大致相同的結果。這些模型可以使用有限元矩陣形式的計算,然而,此類模型可能需要許多元素,并且需要增加計算。如上文所討論的,類似于fem的模型可能使用太多的元素(1億多個網(wǎng)格元素)來達到所提出的一維模型的準確性。
所繞的線圈的圈數(shù)我們一般把它稱為線圈的“匝數(shù)“。主要性能指標電感線圈的性能指標主要就是電感量的大小。另外,繞制電感線圈的導線一般來說總具有一定的電阻,通常這個電阻是很小的,可以忽略不記。但當在一些電路中流過的電流很大時線圈的這個很小的電阻就不能忽略了,因為很大的電流會在這個線圈上消耗功率,引起線圈發(fā)熱甚至燒壞,所以有些時候還要考慮線圈能承受的電功率。電感量電感量L表示線圈本身固有特性,與電流大小無關。除專門的電感線圈(色碼電感)外,電感量一般不專門標注在線圈上,而以特定的名稱標注。電感量也稱自感系數(shù),是表示電感器產(chǎn)生自感應能力的一個物理量。電感器電感量的大小,主要取決于線圈的圈數(shù)(匝數(shù))、繞制方式、有無磁心及磁心的材料等等。通常,線圈圈數(shù)越多、繞制的線圈越密集,電感量就越大。有磁心的線圈比無磁心的線圈電感量大;磁心導磁率越大的線圈,電感量也越大。電感量的基本單位是亨利(簡稱亨),用字母"H"表示。常用的單位還有毫亨(mH)和微亨(μH),它們之間的關系是:1H=1000mH1mH=1000μH感抗電感線圈對交流電流阻礙作用的大小稱感抗XL,單位是歐姆,符號Ω。傳感器線圈用途,無錫東英電子有限公司。
緩沖器416和緩沖器418可以包括諸如濾波器和放大器以及模數(shù)轉(zhuǎn)換器(用于向處理器412提供數(shù)字數(shù)據(jù))之類的電路。處理器412可以如上所述地計算位置,以提供金屬目標408相對于位置定位系統(tǒng)410上的接收線圈的位置數(shù)據(jù)。圖4b示出定位系統(tǒng)400的示例,定位器404被耦合到底座406,并且可以包括四個步進電機,這些步進電機提供目標的4軸運動,即x、v、z以及繞z軸的旋轉(zhuǎn)。這樣,如圖4b所示的系統(tǒng)400能夠沿包括z方向在內(nèi)的所有可能方向掃描位置定位器系統(tǒng)410中的接收二器線圈上方的金屬目標408,以產(chǎn)生不同的氣隙。如前所述,氣隙是金屬目標408與放置位置定位系統(tǒng)410的發(fā)射線圈和接收線圈的pcb之間的距離。這樣的系統(tǒng)可以用于位置定位器系統(tǒng)410的校準、線性化和分析。圖4c示出在具有發(fā)射線圈106和接收線圈104的旋轉(zhuǎn)位置定位器系統(tǒng)410上方的金屬目標408的掃描。如圖4c所示,金屬目標408在線圈104上方從0°掃描到θ°。圖4d示出當如圖4c所示地掃描金屬目標408時從線圈104測量的電壓vsin和電壓vcos與仿真的結果的比較的示例。在圖4d的特定示例中,金屬目標408在50個位置被掃描。十字表示樣本電壓,實線表示由電磁場求解程序cdice-bim所仿真的值。傳感器線圈配件,無錫東英電子有限公司。高溫傳感器線圈口碑推薦
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可以使用數(shù)百甚至數(shù)千次仿真。因此,存在一些模型簡化,這盡管基本上不影響仿真的準確性,但可以提高速度。例如,如果每次仿真需要10秒鐘來完成,則使用100次迭代的優(yōu)化可能需要16分鐘。然而,如果每次仿真需要10分鐘完成,則同一優(yōu)化可能需要16個小時來完成。在一些實施例中使用的有效簡化是用一維導線模型來表示用于形成發(fā)射線圈和線圈的導電跡線。在與一維導線模型偏離嚴重的情況下,考慮一個具有35μm的高度和。該矩形跡線可以由例如銅的任何非磁性導電材料形成。其他金屬也可以用來形成跡線,但銅更為典型。對于厚度為趨膚深度的大約兩倍的跡線部分,矩形跡線中流動的電流的電流密度可以是非常均勻的。對于銅,在5mhz的頻率下的趨膚深度為30μm。因此,對于上述基準矩形跡線,跡線內(nèi)的電流密度將是基本上均勻的。圖10b示出由承載電流的一維導線1020生成的場。如果在兩個結構中流動的電流相同,則由導線1020或由一定直徑的直的圓柱體生成的場沒有差異。然而,圖10c示出在基準跡線1022周圍生成的場,基準跡線1022是上述由銅形成的并且具有35μm的高度和。如圖10c所示,即使在小于1mm的短距離處,該場看起來也與圖10b中的由導線1020所生成的場相同。高溫傳感器線圈口碑推薦
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/2787593.html
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