二)磁場(chǎng)的強(qiáng)度在近房間中心的磁場(chǎng)強(qiáng)度與回路中電流的大小和回路數(shù)直接成正比，與回路的直徑成反比例。國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)(IEC60118—4，BS7594)指出：一個(gè)磁場(chǎng)的長(zhǎng)期平均輸出功率值應(yīng)為100mA/m(指每米毫安培)。不得低于70mA/m或高于140mA/m。該值是在回路內(nèi)，距離地板1．2米時(shí)測(cè)得的磁場(chǎng)垂直面上的強(qiáng)度。允許在言語(yǔ)中出現(xiàn)達(dá)到400mA/m的強(qiáng)度峰值，單向傳感器線圈用途、頻率范圍應(yīng)當(dāng)覆蓋100Hz—5kHz。在回路中心的直徑a米，有n周圍繞的回路其磁場(chǎng)強(qiáng)度可以用下式計(jì)算：H是磁場(chǎng)的強(qiáng)度，用每米毫安培表示，I是電流值的均方根，用安培表示、對(duì)一個(gè)正方形的回路，單向傳感器線圈用途，大小用a米表示，其磁場(chǎng)強(qiáng)度要比計(jì)算的值少10%。如果磁場(chǎng)的長(zhǎng)期平均輸出功率強(qiáng)度要達(dá)到100mA/m，則回路輸出的值至少要在400mA/m(好560mA/m)，單向傳感器線圈用途，這樣可以避免在更大強(qiáng)度的言語(yǔ)聲音中產(chǎn)生過(guò)多的削峰。根據(jù)電磁原理我們可以看到，感應(yīng)回路線圈并不是在建筑中產(chǎn)生磁場(chǎng)的的一條電線，所有建筑中的電線都會(huì)產(chǎn)生磁場(chǎng)，因此，助聽器不僅能收到語(yǔ)音信號(hào)，也可以接收到其他磁場(chǎng)信號(hào)，如50Hz的電源電壓信號(hào)等。在布線的時(shí)候要充分考慮到干擾源的問(wèn)題。如果音頻磁場(chǎng)太弱，信噪比就不夠大。提高信號(hào)發(fā)射功率，可以干擾。在一些體積較小的助聽器中(其線圈亦小)。國(guó)產(chǎn)傳感器線圈，無(wú)錫東英電子有限公司。單向傳感器線圈用途

    允許偏差為±[%]~±[%]；而用于耦合、高頻阻流等線圈的精度要求不高；允許偏差為±10[%]~15[%]。分類在電路中常用的電感線圈的分類大致有這么幾種：按電感形式分類：固定電感、可變電感。按導(dǎo)磁體性質(zhì)分類：空芯線圈、鐵氧體線圈、鐵芯線圈、銅芯線圈。按工作性質(zhì)分類：天線線圈、振蕩線圈、扼流線圈、陷波線圈、偏轉(zhuǎn)線圈。按繞線結(jié)構(gòu)分類：?jiǎn)螌泳€圈、多層線圈、蜂房式線圈、密繞式線圈、間繞式線圈、脫胎式線圈、蜂房式線圈、亂繞式線圈。常用線圈1、單層線圈單層線圈是用絕緣導(dǎo)線一圈挨一圈地繞在紙筒或膠木骨架上。如晶體管收音機(jī)中波天線線圈。2、蜂房式線圈如果所繞制的線圈，其平面不與旋轉(zhuǎn)面平行，而是相交成一定的角度，這種線圈稱為蜂房式線圈。而其旋轉(zhuǎn)一周，導(dǎo)線來(lái)回彎折的次數(shù)，常稱為折點(diǎn)數(shù)。蜂房式繞法的優(yōu)點(diǎn)是體積小，分布電容小，而且電感量大。蜂房式線圈都是利用蜂房繞線機(jī)來(lái)繞制，折點(diǎn)越多，分布電容越小3、鐵氧體磁芯和鐵粉芯線圈線圈的電感量大小與有無(wú)磁芯有關(guān)。在空芯線圈中插入鐵氧體磁芯，可增加電感量和提高線圈的品質(zhì)因素。4、銅芯線圈銅芯線圈在超短波范圍應(yīng)用較多，利用旋動(dòng)銅芯在線圈中的位置來(lái)改變電感量，這種調(diào)整比較方便、耐用。小型傳感器線圈廠家供應(yīng)傳感器線圈品牌，無(wú)錫東英電子有限公司。

    可以使用元啟發(fā)式全局搜索技術(shù)，例如遺傳算法或粒子群算法。在一些實(shí)施例中，可以在步驟1104和步驟1106中使用確定性算法，例如內(nèi)部點(diǎn)方法，或信任區(qū)域算法。具體地，由于用于接收線圈804和接收線圈806的初始設(shè)計(jì)可以是標(biāo)準(zhǔn)的正弦和余弦輪廓，并且所得到的優(yōu)化設(shè)計(jì)可能導(dǎo)致對(duì)初始設(shè)計(jì)的小的擾動(dòng)，因此期望可以使用局部搜索方法來(lái)充分地查找導(dǎo)致佳設(shè)計(jì)的全局小值。優(yōu)化理論的基礎(chǔ)可以在例如以下中找到：，engineeringoptimization：theoryandpractice(工程優(yōu)化：理論與實(shí)踐)，johnwiley&sons，2009年。圖12示出算法712的另一個(gè)實(shí)施例。在步驟1202中提供的輸入與針對(duì)圖11的步驟1102所討論的輸入相同。在步驟1204中，自動(dòng)生成提供大的對(duì)稱性并減小所需的空間的發(fā)射線圈(tx)。在圖13中示出可以得到的示例發(fā)射線圈，其中根據(jù)在跡線到跡線的距離和通孔尺寸(焊盤半徑)方面的pcb規(guī)范來(lái)計(jì)算跡線偏離1304。此外，通過(guò)交替的通孔定位1302可以減小空間。在圖12所示的算法712的實(shí)施例中，該算法調(diào)整正弦接收線圈，并且相對(duì)于經(jīng)修改的正弦接收線圈來(lái)定義余弦接收線圈。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，代替修改正弦接收線圈，可以替代地修改余弦接收線圈。

    區(qū)別在距離跡線小于約1mm的場(chǎng)中。圖10d示出導(dǎo)線1020的一維模型與基準(zhǔn)矩形跡線1022在距跡線中心1mm的距離處的差異。單個(gè)矩形跡線1022的表示可以通過(guò)單導(dǎo)線配置和多導(dǎo)線配置兩者來(lái)實(shí)現(xiàn)?？梢钥闯?，該場(chǎng)與一維模型略有偏離。從圖10d可以看出，誤差不可忽略，但在兩種情況下，即使在1mm處，誤差也只有很小的分?jǐn)?shù)1％。由于接收線圈的大多數(shù)點(diǎn)相對(duì)于發(fā)射線圈的距離遠(yuǎn)大于1mm，因此1維導(dǎo)線模型在大多數(shù)應(yīng)用中可能就足夠了。也可以用三維塊狀元素來(lái)表示發(fā)射線圈，其中假定電流密度是均勻的。圖10e示出這種近似。如圖10e所示，這以適度的附加計(jì)算為代價(jià)將由發(fā)射線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)的建模誤差減小了一個(gè)數(shù)量級(jí)。因此，在步驟1006和步驟1010中，可以將跡線建模為一維跡線。因此，通過(guò)使用1維導(dǎo)線模型可以預(yù)先計(jì)算由發(fā)射線圈產(chǎn)生的源磁場(chǎng)。在一些實(shí)施例中，可以使用基于3d塊狀件元素的更高級(jí)的模型，如上所述，該模型可以產(chǎn)生大致相同的結(jié)果。這些模型可以使用有限元矩陣形式的計(jì)算，然而，此類模型可能需要許多元素，并且需要增加計(jì)算。如上文所討論的，類似于fem的模型可能使用太多的元素(1億多個(gè)網(wǎng)格元素)來(lái)達(dá)到所提出的一維模型的準(zhǔn)確性。原裝傳感器線圈，無(wú)錫東英電子有限公司。

    樣條函數(shù)或任何其他插值函數(shù)可用于鏈接一維路徑以形成發(fā)射線圈802和接收線圈804及接收線圈806的形狀。通過(guò)應(yīng)用合適的函數(shù)可以更高效地實(shí)現(xiàn)接收線圈的變形。例如，在旋轉(zhuǎn)傳感器中，該函數(shù)將是半徑的函數(shù)。在步驟1102中，在算法712中輸入和接收當(dāng)前線圈設(shè)計(jì)布局、仿真結(jié)果以及在一些情況下在步驟706中提供的比較。然后可以使用非線性編程求解器來(lái)找到使給定目標(biāo)函數(shù)小化的發(fā)射線圈802和接收線圈804及接收線圈806的形狀。目標(biāo)函數(shù)由三部分形成，如圖11所示。在步驟1103中，建立如圖14所示的外部阱1402和外部阱1404的寬度，以小化沒有目標(biāo)時(shí)的偏差。在步驟1104中，將檢測(cè)到的位置(即，電角度)與理想位置之間的均方根誤差(rms)小化。這不會(huì)對(duì)電壓vcos和vsin相對(duì)于位置的形狀產(chǎn)生任何影響。在步驟1106中，算法712評(píng)估作為位置的函數(shù)的vcos和vsin的仿真值和具有相等幅度的兩個(gè)正弦曲線之間的差的rms，以便約束輸出電壓的形狀。在一些實(shí)施例中，經(jīng)重新設(shè)計(jì)的接收線圈804和接收線圈806的形狀可以在步驟1104和步驟1106兩者中收斂。在一些實(shí)施例中，步驟1104和步驟1106可以使用元啟發(fā)式優(yōu)化求解器。然而，元啟發(fā)式優(yōu)化求解器往往很慢。因此，在一些實(shí)施例中。小型傳感器線圈，無(wú)錫東英電子有限公司。單向傳感器線圈用途

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    這樣的系統(tǒng)中的金屬目標(biāo)124的實(shí)際位置可以從由接收線圈104的輸出電壓測(cè)量到的角位置以及接收線圈110和接收線圈112的拓?fù)涞贸?。此外，如圖1b所示，線圈110的拓?fù)浜途€圈112的拓?fù)浔粎f(xié)調(diào)以提供對(duì)金屬目標(biāo)124的位置的指示。圖2a示出金屬目標(biāo)124的0°位置，為了便于說(shuō)明，余弦定向線圈110和正弦定向線圈112被分開。如圖1b所示，正弦定向線圈112和余弦定向線圈110共同位于發(fā)射線圈106內(nèi)。使用如圖1a所示的磁場(chǎng)108，正弦定向線圈112的環(huán)路114、環(huán)路116和環(huán)路118被定位為使得每個(gè)環(huán)路中的電壓之和抵消，從而使總vsin為0。如圖2a所示，在沒有金屬目標(biāo)124的情況下，環(huán)路114中的電壓vc可以被表示為1/2，環(huán)路116中的電壓(因?yàn)樵摥h(huán)路中的電流與環(huán)路114和環(huán)路118中的電流相反)可以被表示為vd＝-1，而環(huán)路118中的電壓可以表示為ve＝1/2。因此，線圈112中的電壓為vsin＝vc+vd+ve＝0。因此，如果不存在金屬目標(biāo)124，則來(lái)自正弦定向線圈112的輸出信號(hào)將為0。類似地，如果不存在金屬目標(biāo)124，則來(lái)自余弦定向環(huán)路110的輸出信號(hào)也為0，這是因?yàn)橛森h(huán)路120中的磁場(chǎng)108生成的電壓va＝-1抵消了由環(huán)路122中的磁場(chǎng)108所生成的電壓vb＝1，使得vcos＝va+vb＝0。如上文所討論的。單向傳感器線圈用途

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