例如，目標(biāo)的角位置可以被計(jì)算為：角位置＝arctan(vsin/vcos)。圖2e示出了這一點(diǎn)，并且示出vcos和vsin的正弦形式以及根據(jù)vcos和vsin的值得出的對(duì)金屬目標(biāo)124的位置的確定。在線性位置定位系統(tǒng)中，可以通過(guò)知道線圈104的跡線的正弦形式的波長(zhǎng)(即，正弦定向線圈112的跡線和余弦定向線圈110的跡線的峰距區(qū)域之間的間隔)，通過(guò)角位置來(lái)確定線性位置。在角位置定位系統(tǒng)中，正弦定向線圈112和余弦定向線圈110可以被布置為使得該角位置可以等于關(guān)于金屬目標(biāo)124的旋轉(zhuǎn)的金屬目標(biāo)124的實(shí)際角位置。重要的是要注意指示位置定位傳感器100的理想操作的以下條件。在那些條件中，發(fā)射器線圈106的形狀不重要，只要其覆蓋放置線圈104的區(qū)域即可。此外，陜西傳感器線圈 氣動(dòng)，陜西傳感器線圈 氣動(dòng)，線圈104的形狀等于完美的幾何重疊的正弦和余弦。另外，金屬目標(biāo)124的形狀對(duì)工作原理沒(méi)有影響，只要目標(biāo)的區(qū)域覆蓋線圈104的總區(qū)域的一部分即可。理想的一組線圈和理想的金屬目標(biāo)的這些條件從未被滿足。在實(shí)際系統(tǒng)中，陜西傳感器線圈 氣動(dòng)，情況大不相同。非理想性導(dǎo)致金屬目標(biāo)124的位置的確定的不準(zhǔn)確性。導(dǎo)致位置確定的不正確性的問(wèn)題包括發(fā)射線圈106中生成的電磁場(chǎng)的不均勻。空氣傳感器線圈，無(wú)錫東英電子有限公司。陜西傳感器線圈 氣動(dòng)

    “avolumeintegralformulationforsolvingeddycurrentproblemsonpolyhedralmesses(解決多面體對(duì)象的渦電流問(wèn)題的體積積分公式)”，ieee磁學(xué)學(xué)報(bào)，第53卷，第6期，7204904，2017。如圖10f進(jìn)一步所示，金屬目標(biāo)1024的表面被表示為被網(wǎng)格元素1026覆蓋。網(wǎng)格元素1026是非重疊的多邊形，通常為三角形，其覆蓋金屬目標(biāo)1024的整個(gè)表面并形成離散表面。如圖10a所示，一旦在704的步驟1008中執(zhí)行對(duì)金屬目標(biāo)1024的仿真，則在步驟1010中對(duì)線圈804和線圈806的響應(yīng)進(jìn)行仿真。如算法704中進(jìn)一步示出的，仿真704在整個(gè)位置定位器系統(tǒng)800上掃描目標(biāo)，并且“經(jīng)計(jì)算機(jī)(insilico)”針對(duì)目標(biāo)1024的所有指定位置估計(jì)接收線圈804和接收線圈806上的電壓。如在圖7a所示的算法700的步驟712中進(jìn)一步示出的，接收線圈804和接收線圈806的形狀，同時(shí)假設(shè)發(fā)射線圈以佳的可能的方式適應(yīng)于傳感器800的所有非理想性。鑒于無(wú)法完全消除非理想性，這了佳解決方案，并且如上所述，在仿真算法704中使用了若干個(gè)近似。圖11示出算法712的示例。在算法712中，接收線圈804和接收線圈806跡線和發(fā)射線圈802的中心線被表示為一維路徑。天津傳感器線圈共同合作比例傳感器線圈，無(wú)錫東英電子有限公司。

    可以使用數(shù)百甚至數(shù)千次仿真。因此，存在一些模型簡(jiǎn)化，這盡管基本上不影響仿真的準(zhǔn)確性，但可以提高速度。例如，如果每次仿真需要10秒鐘來(lái)完成，則使用100次迭代的優(yōu)化可能需要16分鐘。然而，如果每次仿真需要10分鐘完成，則同一優(yōu)化可能需要16個(gè)小時(shí)來(lái)完成。在一些實(shí)施例中使用的有效簡(jiǎn)化是用一維導(dǎo)線模型來(lái)表示用于形成發(fā)射線圈和線圈的導(dǎo)電跡線。在與一維導(dǎo)線模型偏離嚴(yán)重的情況下，考慮一個(gè)具有35μm的高度和。該矩形跡線可以由例如銅的任何非磁性導(dǎo)電材料形成。其他金屬也可以用來(lái)形成跡線，但銅更為典型。對(duì)于厚度為趨膚深度的大約兩倍的跡線部分，矩形跡線中流動(dòng)的電流的電流密度可以是非常均勻的。對(duì)于銅，在5mhz的頻率下的趨膚深度為30μm。因此，對(duì)于上述基準(zhǔn)矩形跡線，跡線內(nèi)的電流密度將是基本上均勻的。圖10b示出由承載電流的一維導(dǎo)線1020生成的場(chǎng)。如果在兩個(gè)結(jié)構(gòu)中流動(dòng)的電流相同，則由導(dǎo)線1020或由一定直徑的直的圓柱體生成的場(chǎng)沒(méi)有差異。然而，圖10c示出在基準(zhǔn)跡線1022周圍生成的場(chǎng)，基準(zhǔn)跡線1022是上述由銅形成的并且具有35μm的高度和。如圖10c所示，即使在小于1mm的短距離處，該場(chǎng)看起來(lái)也與圖10b中的由導(dǎo)線1020所生成的場(chǎng)相同。

    2）線圈在安裝前，要進(jìn)行外觀檢查使用前，應(yīng)檢查線圈的結(jié)構(gòu)是否牢固，線匝是否有松動(dòng)和松脫現(xiàn)象，引線接點(diǎn)有無(wú)松動(dòng)，磁芯旋轉(zhuǎn)是否靈活，有無(wú)滑扣等。這些方面都檢查合格后，再進(jìn)行安裝。（3）線圈在使用過(guò)程需要微調(diào)的，應(yīng)考慮微調(diào)方法有些線圈在使用過(guò)程中，需要進(jìn)行微調(diào)，依靠改變線圈圈數(shù)又很不方便，因此，選用時(shí)應(yīng)考慮到微調(diào)的方法。例如單層線圈可采用移開(kāi)靠端點(diǎn)的數(shù)困線圈的方法，即預(yù)先在線圈的一端繞上3圈～4圈，在微調(diào)時(shí)，移動(dòng)其位置就可以改變電感量。實(shí)踐證明，這種調(diào)節(jié)方法可以實(shí)現(xiàn)微調(diào)±2%－±3%的電感量。應(yīng)用在短波和超短波回路中的線圈，常留出半圈作為微調(diào)，移開(kāi)或折轉(zhuǎn)這半圈使電感量發(fā)生變化，實(shí)現(xiàn)微調(diào)。多層分段線圈的微調(diào)，可以移動(dòng)一個(gè)分段的相對(duì)距離來(lái)實(shí)現(xiàn)，可移動(dòng)分段的圈數(shù)應(yīng)為總?cè)?shù)的20%－30%。實(shí)踐證明：這種微調(diào)范圍可達(dá)10%－15%。具有磁芯的線圈，可以通過(guò)調(diào)節(jié)磁芯在線圈管中的位置，實(shí)現(xiàn)線圈電感量的微調(diào)。（4）使用線圈應(yīng)注意保持原線圈的電感量線圈在使用中，不要隨便改變線圈的形狀。大小和線圈間的距離，否則會(huì)影響線圈原來(lái)的電感量。尤其是頻率越高，即圈數(shù)越少的線圈。所以，在電視機(jī)中采用的高頻線圈。定制傳感器線圈，無(wú)錫東英電子有限公司。

    該仿真已在算法700的步驟704中執(zhí)行。否則，執(zhí)行類似的仿真。在步驟726中，在印刷電路板上物理地產(chǎn)生線圈設(shè)計(jì)。在步驟728中，例如利用如圖4a和圖4b所示的定位系統(tǒng)400來(lái)測(cè)量物理地產(chǎn)生的線圈設(shè)計(jì)響應(yīng)。在步驟730中，將來(lái)自物理地產(chǎn)生的線圈設(shè)計(jì)的測(cè)量結(jié)果與來(lái)自線圈設(shè)計(jì)的仿真結(jié)果進(jìn)行比較。然后，步驟730可以針對(duì)其準(zhǔn)確性驗(yàn)證在步驟724中執(zhí)行的仿真。在步驟732中，如果仿真與測(cè)量結(jié)果匹配，則算法720進(jìn)行到步驟734，在此線圈設(shè)計(jì)已經(jīng)被驗(yàn)證。在步驟732中，如果仿真結(jié)果與物理測(cè)量結(jié)果不匹配，則算法720進(jìn)行到步驟736。在步驟736中，如果所執(zhí)行的算法720為對(duì)由算法700所產(chǎn)生的線圈設(shè)計(jì)的驗(yàn)證，則修改算法700的輸入設(shè)計(jì)，并返回算法700。在一些實(shí)施例中，在步驟736中產(chǎn)生錯(cuò)誤，指示仿真未正確地運(yùn)行，因此仿真自身需要進(jìn)行調(diào)整以便更好地仿真特定位置定位系統(tǒng)中的所有非理想性。在那種情況下，步驟736也可以是模型校準(zhǔn)算法。因此，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，可以通過(guò)迭代地提供當(dāng)前線圈設(shè)計(jì)的仿真，然后根據(jù)該仿真修改線圈設(shè)計(jì)，直到線圈設(shè)計(jì)滿足期望的規(guī)范為止，來(lái)產(chǎn)生優(yōu)化的線圈設(shè)計(jì)。在一些情況下，作為后一步，將物理產(chǎn)生并測(cè)試經(jīng)優(yōu)化的線圈設(shè)計(jì)。耐磨傳感器線圈，無(wú)錫東英電子有限公司。天津傳感器線圈共同合作

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    此處提供的電壓描述是成比例的，并且被描述為完整環(huán)路(環(huán)路120、環(huán)路122和環(huán)路116)的比例可以具有大表示1，而環(huán)路114和環(huán)路118可以具有大表示1/2。符號(hào)環(huán)路的參考方向，其導(dǎo)致從該環(huán)路生成電壓。參考方向是任意的，并且無(wú)論選擇兩個(gè)可能的方向中的哪一個(gè)方向來(lái)表示正方向，都可以計(jì)算出一致的結(jié)果。然而，在金屬目標(biāo)124被放置在0°位置的情況下，正弦定向線圈112的環(huán)路114中的磁場(chǎng)108被金屬目標(biāo)124中生成的渦電流抵消，使得vc＝0。在正弦定向線圈112的環(huán)路116中，環(huán)路116在金屬目標(biāo)124下方的一半中的磁場(chǎng)108被金屬目標(biāo)124中形成的渦電流抵消，但是環(huán)路116不在金屬目標(biāo)124下方的一半中的磁場(chǎng)108生成電壓。由于環(huán)路116的一半被暴露，因此生成的電壓為vd＝-1/2。此外，在正弦定向線圈112的環(huán)路118中生成電壓，使得ve為1/2。然而，由環(huán)路116生成的電壓被在環(huán)路118中生成的電壓抵消，導(dǎo)致正弦定向環(huán)路112兩端的電壓信號(hào)為0；vsin＝vc+vd+ve＝0。在金屬目標(biāo)124相對(duì)于余弦定向線圈110的相同定向下，環(huán)路120被金屬目標(biāo)124覆蓋，使得va＝0。環(huán)路122被暴露，使得vb＝1。因此，余弦定向線圈110兩端的電壓vcos由va+vb＝1給出。陜西傳感器線圈 氣動(dòng)

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