本發(fā)明生產(chǎn)槽位配置如圖2所示。氟鈦酸無(wú)鎳封孔配置由生產(chǎn)系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、氣攪拌系統(tǒng)、過(guò)濾系統(tǒng)和廢水處理系統(tǒng)組成。生產(chǎn)系統(tǒng)：由1#工作槽，2-3#水洗槽組成，全部做玻璃鋼防腐。1#封孔槽為主工作槽，負(fù)責(zé)完成鋁合金氧化膜的封孔工序；2-3#槽負(fù)責(zé)清洗封孔后鋁合金表面的殘留藥劑，完成生產(chǎn)流程。加熱系統(tǒng)：由蒸汽加熱管和8#閥門(mén)組成。加熱管布置于1#封孔槽兩側(cè)，做玻璃鋼防腐，負(fù)責(zé)1#封孔槽加熱。氣攪拌系統(tǒng)：由空壓機(jī)、管道和6#、7#閥門(mén)組成，負(fù)責(zé)1#封孔槽和4#沉淀槽的均勻攪拌。廢水處理系統(tǒng)：由2#水洗槽、3#水洗槽、4#沉淀槽、耐酸泵、過(guò)濾器、3#-5#閥門(mén)和相應(yīng)管道組成，河南生產(chǎn)封孔劑，負(fù)責(zé)處理凈化2#和3#水洗槽，實(shí)現(xiàn)廢水循環(huán)利用。過(guò)濾系統(tǒng)：由1#封孔槽、2#水洗槽、3#水洗槽、4#沉淀槽、耐酸泵、過(guò)濾器、1#-5#閥門(mén)和相應(yīng)管道組成，負(fù)責(zé)過(guò)濾1#封孔槽，以及2#、3#水洗槽。本發(fā)明的操作步驟如下：1、生產(chǎn)操作。開(kāi)啟8#閥門(mén)，加熱1#封孔槽，檢查確認(rèn)各項(xiàng)指標(biāo)在如下控制范圍之內(nèi)：氟鈦酸（50wt.%）濃度,緩蝕劑的濃度1-3g/L，河南生產(chǎn)封孔劑,螯合劑濃度1-3g/L,溫度15-35℃,pH值，河南生產(chǎn)封孔劑。開(kāi)啟3#、4#、5#閥門(mén)，啟動(dòng)耐酸泵，確認(rèn)4#沉淀槽的pH值在5-8之間，循環(huán)4#沉淀槽水洗液至3#水洗槽、2#水洗槽，再返回沉淀槽。

    具備高滲透性。◎適用于鐵系、鋁系、銅系、合金系等工件?！蚩杉訌?qiáng)工件電鍍層之密著性、光澤性?！蛱岣吖ぜ婂儗又湍ザ燃坝捕?。◎可改善一般電鍍層容易剝落龜裂之缺點(diǎn)。特性本公司樹(shù)脂真空含浸一般樹(shù)脂真空含浸樹(shù)脂種類(lèi)醇水溶性硅烷樹(shù)脂環(huán)氧樹(shù)脂滲透性佳，粒子<50nm差，塑料高分子底材結(jié)合性與金屬底材化合鏈結(jié)表層披覆耐高溫600℃200℃電鍍層耐磨度優(yōu)，密致網(wǎng)狀架構(gòu)加強(qiáng)耐磨強(qiáng)度差，容易磨耗電鍍層密著度優(yōu)，因?yàn)榻饘俚撞幕湘I。差，容易剝落電鍍層硬度特殊奈米化合物，提高硬度無(wú)高性能真空含浸封孔劑我們提供的不只是有效的封孔含浸技術(shù)，而且改善粉末冶金的電鍍良率。使用Versol含浸技術(shù)只02T/03T需要用現(xiàn)有設(shè)備，真空含浸機(jī)、烘箱和噴砂機(jī)，共三個(gè)步驟即可完成封孔。因此，使用Versol含浸封孔劑不只省去外送處理問(wèn)題、大幅降低封孔處理費(fèi)用，而且明顯改善較困難的銅、鉻電鍍零件的良率。熱固性寡聚物封孔劑，只需要很簡(jiǎn)單的處理流程就能對(duì)粉末冶金或金屬鑄造零件得到非常好的封孔效果。Versol02T/03T特別適用在中高密度的粉末冶金零件。它可以對(duì)極小的孔細(xì)提供有效率封孔，進(jìn)而阻止在電鍍過(guò)程時(shí)具有腐蝕性的電鍍液進(jìn)入金屬孔細(xì)。

    冷凍干燥，然后煅燒，即得。所述模板劑包括十六烷基三甲溴化銨ctab或十六烷基三甲氯化銨ctac。所述ph調(diào)節(jié)劑包括氟化銨nh4f、三乙醇胺tea或氫氧化鈉naoh。所述硅源包括正硅酸乙酯teos、正硅酸丙酯tpos或正硅酸丁酯tbos。所述攪拌反應(yīng)轉(zhuǎn)速為200～300rpm。所述離心速度為10000～10500rpm，離心時(shí)間為10～15min。所述煅燒的工藝參數(shù)為：升溫速度為1～2℃/min，600℃煅燒5h。煅燒是為了除去msns中的模板劑。所述步驟(1)中刻孔劑包括碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸氫鈉或碳酸氫鉀。所述步驟(1)中刻孔劑水溶液濃度為～。所述步驟(1)中攪拌溫度為21～25℃，攪拌時(shí)間為7～9h。所述步驟(1)中攪拌轉(zhuǎn)速為200～300rpm。所述步驟(1)中離心速度為10000～10500rpm，離心時(shí)間為10～15min。所述步驟(1)中洗滌為：用去離子水和無(wú)水乙醇各洗滌三次。所述步驟(2)中硒源包括亞硒酸鈉na2seo3或硒酸鈉na2seo4。所述步驟(2)中硒源和抗壞血酸摩爾比為1:3～1:4。所述步驟(2)中反應(yīng)為：出現(xiàn)沉淀后繼續(xù)反應(yīng)15min。所述步驟(3)中煅燒溫度為235℃，煅燒時(shí)間為5h。所述步驟(3)中洗滌為：用去離子水反復(fù)洗滌靜置直到廢液為澄清透明。所述步驟(3)中se-msns的se負(fù)載量為5wt.％-45wt.％；se-msns粒徑為±。

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