當(dāng)前位置:首頁?產(chǎn)品供應(yīng)?電子元器件?電子材料、零部件、結(jié)構(gòu)件 ?半導(dǎo)體材料
按行業(yè)瀏覽
材料刻蝕廠家 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
“刻蝕”指用化學(xué)和物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料,是晶圓制造中不可或缺的關(guān)鍵步驟??涛g技術(shù)按工藝可以分為濕法刻蝕與干法刻蝕,材料刻蝕廠家,其中干法刻...
[半導(dǎo)體材料]2021-02-01 05:19:20
吉林微納加工平臺(tái) 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
微納制造的加工材料多種多樣,相對(duì)金屬材料與硅和玻璃等無機(jī)材料而言,聚合物基材廉價(jià)易得且具有更好的生物兼容性、電絕緣隔離性、熱隔離性等性能,吉林微納加工平臺(tái)。近年...
[半導(dǎo)體材料]2021-02-01 04:17:38
河北半導(dǎo)體材料刻蝕 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
在氧化物中開窗口的過程,可能導(dǎo)致氧化物—硅界面層附近的Si0處發(fā)生鉆蝕。在極端情況下,可以導(dǎo)致氧化物層的脫落。在淺擴(kuò)散高速晶體管的制造中有時(shí)會(huì)遇到這一問題。薄膜...
[半導(dǎo)體材料]2021-02-01 03:17:37
吉林磁控濺射真空鍍膜加工平臺(tái) 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
PECVD系統(tǒng)的氣源幾乎都是由氣體鋼瓶供氣,這些鋼瓶被放置在有許多安全保護(hù)裝置的氣柜中,通過氣柜上的控制面板、管道輸送到PECVD的工藝腔體中。在淀積時(shí),反應(yīng)氣...
[半導(dǎo)體材料]2021-02-01 03:17:37
數(shù)字光刻加工平臺(tái) 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
光刻膠供應(yīng)商與客戶粘性大;一般情況下,數(shù)字光刻加工平臺(tái),為了保持光刻膠供應(yīng)和效果的穩(wěn)定,下游客戶與光刻膠供應(yīng)商一旦建立供應(yīng)關(guān)系后,不會(huì)輕易更換。通過建立反饋機(jī)制...
[半導(dǎo)體材料]2021-02-01 02:18:30
重慶半導(dǎo)體材料刻蝕價(jià)錢 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
在Si片上形成具有垂直側(cè)壁的高深寬比溝槽結(jié)構(gòu)是制備先進(jìn)MEMS器件的關(guān)鍵工藝,其各向異性刻蝕要求非常嚴(yán)格。高深寬比的干法刻蝕技術(shù)以其刻蝕速率快、各向異性較強(qiáng)、污...
[半導(dǎo)體材料]2021-02-01 02:18:30
江西叉指電極真空鍍膜公司 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
電子束蒸發(fā)法是真空蒸發(fā)鍍膜中常用的一種方法,是在高真空條件下利用電子束進(jìn)行直接加熱蒸發(fā)材料,使蒸發(fā)材料氣化并向襯底輸運(yùn),在基底上凝結(jié)形成薄膜的方法。在電子束加熱...
[半導(dǎo)體材料]2021-02-01 01:17:44
廣東氧化硅材料刻蝕廠商 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
在微細(xì)加工中,刻蝕和清洗處理過程包括許多內(nèi)容。對(duì)于適當(dāng)取向的半導(dǎo)體薄片的鋸痕首先要機(jī)械拋光,以除去全部的機(jī)械損傷,之后進(jìn)行化學(xué)刻蝕和拋光,廣東氧化硅材料刻蝕廠商...
[半導(dǎo)體材料]2021-02-01 01:17:44
黑龍江鍍膜微納加工 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
通過在聚合物表面構(gòu)造微納米尺度結(jié)構(gòu)及其陣列,可以得到聚合物微納結(jié)構(gòu)制件,不同種類的微納結(jié)構(gòu)賦予聚合物制件許多特殊的功能。如具有微槽流道的微流控生物芯片;具有微納...
[半導(dǎo)體材料]2021-02-01 00:29:52
貴州金屬真空鍍膜技術(shù) 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
磁控濺射方向性要優(yōu)于電子束蒸發(fā),但薄膜質(zhì)量,表面粗糙度等方面不如電子束蒸發(fā)。但磁控濺射可用于多種材料,適用性普遍,電子束蒸發(fā)則只能用于金屬材料蒸鍍,且高熔點(diǎn)金屬...
[半導(dǎo)體材料]2021-01-31 09:28:27
東莞深硅刻蝕材料刻蝕代工 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
GaN材料的刻蝕一般采用光刻膠來做掩膜,但是刻蝕GaN和光刻膠,選擇比接近1:1,如果需要刻蝕深度超過3微米以上就需要采用厚膠來做掩膜。對(duì)于刻蝕更深的GaN,那...
[半導(dǎo)體材料]2021-01-31 08:24:15
黑龍江Si材料刻蝕加工平臺(tái) 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
選擇比指的是在同一刻蝕條件下一種材料與另一種材料相比刻蝕速率快多少,它定義為被刻蝕材料的刻蝕速率與另一種材料的刻蝕速率的比,黑龍江Si材料刻蝕加工平臺(tái)?;緝?nèi)容...
[半導(dǎo)體材料]2021-01-31 08:24:15