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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:山西電子線圈高性價(jià)比的選擇
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當(dāng)前位置:首頁(yè)?產(chǎn)品供應(yīng)?汽摩及配件?汽車安全輔助?其他汽車安全用品?山西電子線圈高性價(jià)比的選擇 無(wú)錫東英電子供應(yīng)
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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:山西電子線圈高性價(jià)比的選擇
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且環(huán)形線圈模塊4均勻安裝于十六個(gè)發(fā)熱槽7內(nèi),且線圈隔斷條3的材質(zhì)為可隔絕輻射材料,從而使得線圈隔斷條3可均勻?qū)Νh(huán)形線圈模塊4工作時(shí)產(chǎn)生的輻射進(jìn)行隔絕防護(hù),且線圈隔斷條3的外側(cè)固定安裝有防輻射外環(huán)5,進(jìn)一步的增加了防輻射的效果,且隔熱圈8對(duì)防輻射外環(huán)5起到防護(hù)隔熱作用,從而使得裝置達(dá)到防輻射效果好的目的,增加了裝置安全性,山西電子線圈高性價(jià)比的選擇,且裝置內(nèi)的防輻射裝置防止橫向輻射,裝置的前后左右均可達(dá)到輻射度底的效果,從而使使用者在使用電磁爐時(shí),山西電子線圈高性價(jià)比的選擇,對(duì)身體的危害相對(duì)較小,導(dǎo)線6貫穿線圈隔斷條3串聯(lián)于十六個(gè)環(huán)形線圈模塊4,安裝板1的頂部開設(shè)有電源孔9,電源孔9的底部連通安裝槽2的頂部,電源孔9的內(nèi)部設(shè)置有外接線10,外接線10依次貫穿防輻射外環(huán)5和隔熱圈8并延伸至隔熱圈8的內(nèi)側(cè),外接線10的底部固定連接于其正下方的環(huán)形線圈模塊4內(nèi)。進(jìn)一步的,線圈隔斷條3包括橫向隔斷條301與縱向隔斷條302,橫向隔斷條301的頂部和底部與安裝槽2的頂部和底部固定連接,縱向隔斷條302的左端和右端與安裝槽2的左側(cè)壁和右側(cè)壁固定連接,橫向隔斷條301與縱向隔斷條302呈十字交錯(cuò)狀,山西電子線圈高性價(jià)比的選擇,橫向隔斷條301與縱向隔斷條302組合可把安裝槽2分割成十六個(gè)區(qū)域,且每個(gè)區(qū)域的大小均相同。
本實(shí)用新型涉及車用制動(dòng)裝置技術(shù)領(lǐng)域,具體地說(shuō),涉及一種鼓式制動(dòng)器用電磁鐵。背景技術(shù):鼓式制動(dòng)器的制動(dòng)臂末端的折彎部位裝配有電磁鐵,駕駛員踩下剎車踏板時(shí),電磁鐵通電并產(chǎn)生磁力,吸附在制動(dòng)鼓上,給制動(dòng)臂產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)力,使剎車片向外擴(kuò),緊貼在制動(dòng)鼓上,從而完成剎車;駕駛員松開剎車踏板時(shí),電磁鐵斷電并失去磁力,脫離制動(dòng)鼓,制動(dòng)臂回位,使剎車片復(fù)位,脫離制動(dòng)鼓,從而解除剎車。傳統(tǒng)的鼓式制動(dòng)器包括鐵殼和裝配在鐵殼內(nèi)的鐵芯、電磁線圈總成;所述電磁線圈總成包括線圈骨架和電磁線圈,所述電磁線圈纏繞在線圈骨架的線圈槽內(nèi),其兩端電連接有導(dǎo)線;所述鐵芯裝配在鐵殼內(nèi)腔的中部,其中心設(shè)置有軸向的插孔。裝配使用時(shí),制動(dòng)臂末端的折彎部位插接在該插孔內(nèi),由于汽車的剎車制動(dòng)頻率極高,相應(yīng)的制動(dòng)臂末端的折彎部位與鐵芯的接觸摩擦頻率也極高,震動(dòng)大、磨損快,故障率高。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本實(shí)用新型的目的在于,提供一種鼓式制動(dòng)器用電磁鐵,以解決上述的技術(shù)問(wèn)題。為解決上述問(wèn)題,本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是:一種鼓式制動(dòng)器用電磁鐵,包括鐵殼和裝配在鐵殼內(nèi)的鐵芯、電磁線圈總成;所述電磁線圈總成包括線圈骨架和電磁線圈。
導(dǎo)致控制器三相輸出線短路時(shí)的短路電流各不相同,所以設(shè)計(jì)者應(yīng)跟據(jù)自己的實(shí)際電路和使用條件設(shè)計(jì)合理的保護(hù)時(shí)間。短路保護(hù)時(shí)間計(jì)算步驟:計(jì)算MOSFVBHET短路時(shí)允許的瞬態(tài)溫升因?yàn)榭刂破饔锌赡苁窃谡9ぷ鲿r(shí)突然短路,所以我們的設(shè)計(jì)應(yīng)是基于正常工作時(shí)的溫度來(lái)計(jì)算允許的瞬態(tài)溫升。MOSFET的結(jié)點(diǎn)溫度可由下式計(jì)算:Tj=Tc+P×Rth(jc)其中:Tc:MOSFET表面溫度Tj:MOSFET結(jié)點(diǎn)溫度Rth(jc):結(jié)點(diǎn)至表面的熱阻,可從元器件Dateet中查得。理論上MOSFET的結(jié)點(diǎn)溫度不能超過(guò)175℃,所以電機(jī)相線短路時(shí)MOSFET允許的溫升為:Trising=Tjmax-Tj=175-109=66℃。根據(jù)瞬態(tài)溫升和單脈沖功率計(jì)算允許的單脈沖時(shí)的熱阻由圖2可知,短路時(shí)MOSFET耗散的功率約為:P=Vds×I=25×400=10000W脈沖的功率也可以通過(guò)將圖二測(cè)得波形存為EXCEL格式的數(shù)據(jù),然后通過(guò)EXCEL進(jìn)行積分,從而得到比較精確的脈沖功率數(shù)據(jù)。對(duì)于MOSFET溫升計(jì)算有如下公式:Trising=P×Zθjc×Rθjc其中:Rθjc------結(jié)點(diǎn)至表面的熱阻,可從元器件Dateet中查得。Zθjc------熱阻系數(shù)Zθjc=Trising÷(P×Rθjc)Zθjc=66÷(10000×)=根據(jù)單脈沖的熱阻系數(shù)確定允許的短路時(shí)間由圖3**下面一條曲線(單脈沖)可知,對(duì)于單脈沖來(lái)說(shuō)。
文章來(lái)源地址: http://www.cdcfah.com/cp/108655.html
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