樣本對(duì)照組的數(shù)據(jù)越多，數(shù)據(jù)越豐富，重慶電子線圈哪個(gè)廠家質(zhì)量好，軟故障的檢測(cè)結(jié)果可信度就越高，隨著使用過(guò)程中數(shù)據(jù)的積累迭代，軟故障檢測(cè)的可信度將越高。此外，還可以進(jìn)一步延伸，根據(jù)存在軟故障的中間繼電器中線圈s參數(shù)相角為零對(duì)應(yīng)頻率與作為對(duì)照組的正常中間繼電器的對(duì)應(yīng)的頻率中心的距離來(lái)刻畫軟故障的嚴(yán)重程度，二者距離越遠(yuǎn)，軟故障程度越嚴(yán)重。本實(shí)施方式聚類時(shí)使用的系統(tǒng)聚類法，系統(tǒng)聚類法是聚類分析的方法之一，其具體操作方法為：把**開始的每個(gè)樣品單獨(dú)列為一類，然在把類間距離**小的兩類樣品聚為新的小類，再把上一步已聚合的新的小類按其類間距離再次聚類，一直實(shí)施下去，重慶電子線圈哪個(gè)廠家質(zhì)量好，直到把所有子類聚到一個(gè)大類下。實(shí)施例：下面將以額定電壓為12v的my2nj型中間繼電器為例，說(shuō)明實(shí)際的如故障檢測(cè)過(guò)程以及檢測(cè)的有效性。受條件所限，使用6個(gè)額定電壓為12v的my2nj型中間繼電器構(gòu)建初始對(duì)照樣本，直接測(cè)量得到的樣本頻率編為一組，人為制造軟故障后采集到的頻率編為二組，重慶電子線圈哪個(gè)廠家質(zhì)量好，結(jié)果如表1所示。表1初始對(duì)照樣本數(shù)據(jù)(單位/mhz)將表1中的數(shù)據(jù)使用特有的聚類方法進(jìn)行聚類分析分為兩大類，其結(jié)果如圖2所示，～，～。由圖2可以看出，特定的聚類方法可以很好的區(qū)分有無(wú)軟故障的中間繼電器。

    即驅(qū)動(dòng)使能信號(hào)還未有效、呈低電平時(shí)，此時(shí)車用電磁閥t1和電阻r1構(gòu)成串聯(lián)分壓電路，由于車用電磁閥t1斷路，因此車用電磁閥t1表現(xiàn)出很高的內(nèi)阻，所以t1和r1的公共端a端的電壓非常高，因此b端電壓也保持在邏輯高的電壓范圍內(nèi)，也即此時(shí)b端給cpld控制器的診斷狀態(tài)位為高電平。當(dāng)驅(qū)動(dòng)使能信號(hào)高電平有效時(shí)，a端的電壓和b端電壓都保持在邏輯高的電壓范圍內(nèi)，此時(shí)b端給cpld控制器的診斷狀態(tài)位為高電平。比較圖2和圖3可以看出，當(dāng)驅(qū)動(dòng)使能信號(hào)還未有效時(shí)，正常情況下診斷狀態(tài)位呈低電平，出現(xiàn)斷路故障后診斷狀態(tài)位由低電平變?yōu)楦唠娖?；而在?qū)動(dòng)使能信號(hào)高電平有效時(shí)，無(wú)論是正常情況還是斷路故障時(shí)，診斷狀態(tài)位都為高電平。因此cpld控制器在車用電磁閥t1未驅(qū)動(dòng)時(shí)，也即驅(qū)動(dòng)使能信號(hào)還未有效時(shí)，結(jié)合診斷狀態(tài)位的邏輯電平以確定車用電磁閥t1的斷路狀態(tài)。具體的，cpld控制器在驅(qū)動(dòng)使能信號(hào)無(wú)效且診斷狀態(tài)位為高電平時(shí)確定車用電磁閥t1出現(xiàn)斷路故障，此時(shí)通過(guò)斷路反饋輸出端向mcu反饋有效的斷路反饋狀態(tài)位，也即如圖3所示，斷路反饋狀態(tài)位由低電平變?yōu)楦唠娖剑瑫r(shí)，控制驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)為低電平無(wú)效狀態(tài)、保持關(guān)閉，切斷驅(qū)動(dòng)輸出。mcu讀取斷路反饋狀態(tài)位后，發(fā)出清零信號(hào)。

    電動(dòng)車無(wú)刷電機(jī)控制器短路的工作模型解決方案：溫升公式：Tj=Tc+P×Rth(jc)根據(jù)單脈沖的熱阻系數(shù)確定允許的短路時(shí)間工作溫度越高短路保護(hù)時(shí)間就應(yīng)該越短1短路模型及分析短路模型如圖1所示，其中*畫出了功率輸出級(jí)的A、B兩相(共三相)。Q1和Q3為A相MOSFET，Q2和Q4為B相MOSFET，所有功率MOSFET均為AOT430。L1為電機(jī)線圈，Rs為電流檢測(cè)電阻。當(dāng)控制器工作時(shí)，如電機(jī)短路，則會(huì)形成如圖1中所示的流經(jīng)Q2，Q3的短路電流，其電流值很大，達(dá)幾百安培，MOSFET的瞬態(tài)溫升很大，這種情況下應(yīng)及時(shí)保護(hù)，否則會(huì)使MOSFET結(jié)點(diǎn)溫度過(guò)高而使MOSFET損壞。短路時(shí)Q3電壓和電流波形如圖2所示。圖2a中的MOSFET能承受45us的大電流短路，而圖2b中的MOSFET不能承受45us的大電流短路，當(dāng)脈沖45us關(guān)斷后，Vds回升，由于溫度過(guò)高，*經(jīng)過(guò)10us的時(shí)間MOSFET便短路，Vds迅速下降,短路電流迅速上升。由圖2我們可以看出短路時(shí)峰值電流達(dá)500A，這是由于短路時(shí)MOSFET直接將電源正負(fù)極短路，回路阻抗是導(dǎo)線，PCB走線及MOSFET的Rds(on)之和，其數(shù)值很小，一般為幾十毫歐至幾百毫歐。2計(jì)算合理的保護(hù)時(shí)間在實(shí)際應(yīng)用中，不同設(shè)計(jì)的控制器，其回路電感和電阻存在一定的差別以及短路時(shí)的電源電壓不同。

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