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價格要求:面議
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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:多功能電子線圈值得推薦
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詳細(xì)說明
所述凸塊3a卡入凹槽內(nèi),多功能電子線圈值得推薦。裝配時,將鐵芯3裝配在鐵殼1的底板上,由于凸塊3a和凹槽的定位作用,可防止鐵芯3發(fā)生轉(zhuǎn)動,更便于電磁線圈總成的安裝。所述鐵芯3與鐵殼1的底板之間設(shè)置有絕緣片10;所述鐵芯3的頂面上均布有若干個收納孔4,工作時,電磁鐵的頂面與制動鼓難免發(fā)生摩擦而產(chǎn)生碎屑,這些碎屑則被收納在收納孔4內(nèi),多功能電子線圈值得推薦。所述線圈骨架11套在鐵芯3上;所述鐵芯3及電磁線圈總成外部的鐵殼1內(nèi)腔中注塑有pps填充物2。所述鐵芯3的中心設(shè)有裝配孔,多功能電子線圈值得推薦,所述鐵殼1的底板上設(shè)有中心孔;所述鐵芯3的裝配孔與鐵殼1的中心孔形狀、尺寸相對應(yīng),且上下對齊形成注塑通孔;所述注塑通孔的前、后側(cè)面為弧形面,左、右側(cè)面為平面。在該注塑通孔內(nèi)注塑有與其形狀尺寸相匹配的尼龍芯7,所述尼龍芯7開設(shè)有軸向的插孔8,所述插孔8為矩形孔,呈45°傾斜,與制動臂末端的折彎部位相匹配,安裝使用時,制動臂末端的折彎部位插接在插孔8內(nèi)。所述尼龍芯7底端的周邊設(shè)置有向外延伸的凸緣7a,所述鐵殼1中心的中心孔底口周邊設(shè)有與凸緣7a相對應(yīng)的卡臺,所述凸緣7a與卡臺對應(yīng)卡緊。這種結(jié)構(gòu)設(shè)計,可防止尼龍芯7從注塑通孔內(nèi)脫出,從而降低故障率。以上*為本實用新型的實施方式。
按電感形式分類:固定電感、可變電感。
按導(dǎo)磁體性質(zhì)分類:空芯線圈、鐵氧體線圈、鐵芯線圈、銅芯線圈。
按工作性質(zhì)分類:天線線圈、振蕩線圈、扼流線圈、陷波線圈、偏轉(zhuǎn)線圈。
按繞線結(jié)構(gòu)分類:單層線圈、多層線圈、蜂房式線圈。
導(dǎo)致控制器三相輸出線短路時的短路電流各不相同,所以設(shè)計者應(yīng)跟據(jù)自己的實際電路和使用條件設(shè)計合理的保護時間。短路保護時間計算步驟:計算MOSFVBHET短路時允許的瞬態(tài)溫升因為控制器有可能是在正常工作時突然短路,所以我們的設(shè)計應(yīng)是基于正常工作時的溫度來計算允許的瞬態(tài)溫升。MOSFET的結(jié)點溫度可由下式計算:Tj=Tc+P×Rth(jc)其中:Tc:MOSFET表面溫度Tj:MOSFET結(jié)點溫度Rth(jc):結(jié)點至表面的熱阻,可從元器件Dateet中查得。理論上MOSFET的結(jié)點溫度不能超過175℃,所以電機相線短路時MOSFET允許的溫升為:Trising=Tjmax-Tj=175-109=66℃。根據(jù)瞬態(tài)溫升和單脈沖功率計算允許的單脈沖時的熱阻由圖2可知,短路時MOSFET耗散的功率約為:P=Vds×I=25×400=10000W脈沖的功率也可以通過將圖二測得波形存為EXCEL格式的數(shù)據(jù),然后通過EXCEL進行積分,從而得到比較精確的脈沖功率數(shù)據(jù)。對于MOSFET溫升計算有如下公式:Trising=P×Zθjc×Rθjc其中:Rθjc------結(jié)點至表面的熱阻,可從元器件Dateet中查得。Zθjc------熱阻系數(shù)Zθjc=Trising÷(P×Rθjc)Zθjc=66÷(10000×)=根據(jù)單脈沖的熱阻系數(shù)確定允許的短路時間由圖3**下面一條曲線(單脈沖)可知,對于單脈沖來說。
文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/146764.html
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