諧振電容: c 單位:PF 本題建義c=500...1000pf 可自行先決定，或由Q值決定

諧振電感: l 單位: 微亨

線圈電感的計算公式

1。針對環(huán)形線圈,有以下公式可利用: (鐵芯)

L=N2.AL L= 電感值(H)

H-DC=0.4πNI / l N= 線圈匝數(shù)(圈)

AL= 感應系數(shù)

H-DC=直流磁化力 I= 通過電流(A)

l= 磁路長度(cm)

l及AL值大小，重慶電子線圈廠，可參照Microl對照表。例如: 以T50-52材，線圈5圈半，其L值為T50-52(表示OD為0.5英吋)，經查表其AL值約為33nH

L=33.(5.5)2=998.25nH≒1μH

當流過10A電流時，其L值變化可由l=3.74(查表)

H-DC=0.4πNI / l = 0.4×3.14×5.5×10 / 3.74 = 18.47 (查表后)

即可了解L值下降程度(μi%)

2，重慶電子線圈廠。介紹一個經驗公式

L=(k*μ0*μs*N2*S)/l

其中

μ0 為真空磁導率=4π*10(-7)。(10的負七次方)

μs 為線圈內部磁芯的相對磁導率，重慶電子線圈廠，空心線圈時μs=1

N2 為線圈圈數(shù)的平方

S 線圈的截面積，單位為平方米

l 線圈的長度， 單位為米

k 系數(shù)，取決于線圈的半徑(R)與長度(l)的比值。 云南電子線圈哪家好，強烈推薦無錫東英電子有限公司。重慶電子線圈廠

    要想獲得，其脈沖寬度不能大于20us。3設計短路保護應注意的幾個問題由于不同控制器的PCB布線參數(shù)不一樣，導致相線短路時回路阻抗不等，短路電流也因此不同。所以，不同設計的控制器應根據(jù)實際情況設計確當?shù)亩搪繁Ｗo時間。由于應用中使用的電源電壓有可能不同，也會導致短路電流的不同，同樣也會影響到保護時間。注意控制器實際工作時的可能比較高溫度，工作溫度越高，短路保護時間就應該越短。本文討論的短路保護時間是指MOSFET能承受的**長短路時間。在設計短路保護電路時，應考慮硬件及軟件的響應時間，以及電流保護的峰值，這些參數(shù)都會影響到**終的保護時間。因此，硬件電路設計和軟件的編寫致關重要。本文討論的短路保護時間是單次短路保護時間，短路后短時間內不能再次短路。如果設計成周期性短路保護，則短路保護時間應更短。4結論短路保護在瞬間大電流時能對MOSFET提供可靠的快速保護，增加了控制的可靠性，減少了控制器的損壞率。高質量電子線圈按需定制湖南電子線圈哪家好，強烈推薦無錫東英電子有限公司。

    可以用于中間繼電器軟故障的檢測。下面，我們加入幾組已知是否損壞的待測中間繼電器進行分析，待測中間繼電器具體參數(shù)如表二所示，待測1、待測2、待測3為正常中間繼電器，其余3組為存在軟故障的繼電器。表2待測中間繼電器阻抗特性參數(shù)(單位/mhz)編號待測1待測2待測3待測4待測5待測6頻率，再利用特定聚類方法進行分類，得到的結果如圖3所示。由圖3所示的聚類結果可以看出，待測1、2、3組的數(shù)據(jù)被劃分到初始數(shù)據(jù)中的一組組成一大類，待測4、5、6組數(shù)據(jù)與初始數(shù)據(jù)中的二組組成了新的一大類，這表明待測1、2、3組的中間繼電器是正常的，待測4、5、6組的中間繼電器是存在軟故障的，與實際情況相符，完成了軟故障的檢測。在將故障組的組數(shù)減少后，得到的結果如圖4所以，仍然能夠檢測出存在軟故障的中間繼電器。以上實驗結果表明，本文提出的基于中間繼電器線圈高頻阻抗特性的繼電器軟故障檢測方法是完全實際操作和運用的，有很大的使用價值，可以應用于中間繼電器的軟故障檢測，能在中間繼電器的定期維護中有效的檢測出存在軟故障的器件，避免發(fā)展為硬故障給生產生活造成損失，為生產生活提供便利。同時，為了提高軟故障檢測精度，可以增加初始的對比樣本組數(shù)。

    可實時檢測到車用電磁閥的短路狀態(tài)和斷路狀態(tài)，電路結構精簡，實現(xiàn)方式簡單且成本較低。cpld控制器可以依據(jù)檢測到的短路/斷路狀態(tài)切斷驅動輸出，達到實時保護的目的，并鎖定短路/斷路狀態(tài)反饋給mcu，實現(xiàn)閉環(huán)反饋功能。附圖說明圖1是本申請公開的車用電磁閥的故障檢測電路的電路結構圖。圖2是車用電磁閥正常工作狀態(tài)下的信號相位圖。圖3是車用電磁閥斷路工作狀態(tài)下的信號相位圖。圖4是車用電磁閥短路工作狀態(tài)下的信號相位圖。具體實施方式下面結合附圖對本發(fā)明的具體實施方式做進一步說明。本申請公開了一種車用電磁閥的故障檢測電路，請參考圖1所示的電路圖，該故障檢測電路包括mcu、cpld控制器、車用電磁閥驅動電路、車用電磁閥t1、電阻r1、第二電阻r2、第三電阻r3以及二極管d，mcu的驅動使能端en端連接cpld控制器并輸出驅動使能信號，cpld控制器的驅動輸出端c1連接車用電磁閥驅動電路并輸出驅動控制信號。車用電磁閥t1的一端連接電阻r1、另一端接地，電阻r1的另一端接+24v電壓，車用電磁閥t1和電阻r1的公共端a連接車用電磁閥驅動電路的輸出端。車用電磁閥t1和電阻r1的公共端還通過第二電阻r2連接二極管d的正極，二極管d的負極連接+，二極管d的正極還通過第三電阻r3接地。無錫東英電子有限公司致力于提供電子線圈，有想法可以來我司咨詢！

    導致控制器三相輸出線短路時的短路電流各不相同，所以設計者應跟據(jù)自己的實際電路和使用條件設計合理的保護時間。短路保護時間計算步驟：計算MOSFVBHET短路時允許的瞬態(tài)溫升因為控制器有可能是在正常工作時突然短路，所以我們的設計應是基于正常工作時的溫度來計算允許的瞬態(tài)溫升。MOSFET的結點溫度可由下式計算：Tj=Tc+P×Rth(jc)其中：Tc：MOSFET表面溫度Tj：MOSFET結點溫度Rth(jc)：結點至表面的熱阻，可從元器件Dateet中查得。理論上MOSFET的結點溫度不能超過175℃，所以電機相線短路時MOSFET允許的溫升為：Trising=Tjmax-Tj=175-109=66℃。根據(jù)瞬態(tài)溫升和單脈沖功率計算允許的單脈沖時的熱阻由圖2可知，短路時MOSFET耗散的功率約為：P=Vds×I=25×400=10000W脈沖的功率也可以通過將圖二測得波形存為EXCEL格式的數(shù)據(jù)，然后通過EXCEL進行積分，從而得到比較精確的脈沖功率數(shù)據(jù)。對于MOSFET溫升計算有如下公式：Trising=P×Zθjc×Rθjc其中：Rθjc------結點至表面的熱阻，可從元器件Dateet中查得。Zθjc------熱阻系數(shù)Zθjc=Trising÷(P×Rθjc)Zθjc=66÷(10000×)=根據(jù)單脈沖的熱阻系數(shù)確定允許的短路時間由圖3**下面一條曲線(單脈沖)可知，對于單脈沖來說。**電子線圈性價比哪家比較好，強烈推薦無錫東英電子有限公司。新疆電子線圈承諾守信

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    安裝槽2的內部通過六個線圈隔斷條3分割為十六個發(fā)熱槽7，發(fā)熱槽7的內部均固定安裝有環(huán)形線圈模塊4，環(huán)形線圈模塊4位于線圈隔斷條3的內側，環(huán)形線圈模塊4由七個電磁線圈401組成，七個電磁線圈401依次電連接，通過設置在安裝板1上連接的環(huán)形線圈模塊4，且環(huán)形線圈模塊4在安裝板1內為陣列狀，規(guī)則排列，且環(huán)形線圈模塊4由換形狀的七個電磁線圈401環(huán)形組成，從而使得安裝板1內的電磁線圈401通過導線6的電連接，進行發(fā)熱，且安裝板1上開設的安裝槽2由六個線圈隔斷條3分隔成十六個相對稱的發(fā)熱槽7，且環(huán)形線圈模塊4均勻安裝于十六個相對稱的發(fā)熱槽7內部，從而使得裝置的發(fā)熱效果相對均勻，使得烹飪效果得到了極大的提高，環(huán)形線圈模塊4的外側固定安裝有防輻射外環(huán)5，防輻射外環(huán)5與環(huán)形線圈模塊4的連接設置有隔熱圈8，隔熱圈8的內側固定連接于環(huán)形線圈模塊4的外側，隔熱圈8的外側固定連接于防輻射外環(huán)5的內側，十六個環(huán)形線圈模塊4均固定連接有導線6，十六個環(huán)形線圈模塊4通過導線6串聯(lián)，導線6與環(huán)形線圈模塊4電連接，通過開設在安裝板1上的安裝槽2，且環(huán)形線圈模塊4與線圈隔斷條3均位于安裝槽2的內部，且線圈隔斷條3把安裝槽2分為十六個發(fā)熱槽7。重慶電子線圈廠

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