要想獲得，其脈沖寬度不能大于20us。3設(shè)計(jì)短路保護(hù)應(yīng)注意的幾個(gè)問題由于不同控制器的PCB布線參數(shù)不一樣，四川原裝電子線圈，導(dǎo)致相線短路時(shí)回路阻抗不等，短路電流也因此不同。所以，不同設(shè)計(jì)的控制器應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況設(shè)計(jì)確當(dāng)?shù)亩搪繁Ｗo(hù)時(shí)間。由于應(yīng)用中使用的電源電壓有可能不同，也會(huì)導(dǎo)致短路電流的不同，同樣也會(huì)影響到保護(hù)時(shí)間。注意控制器實(shí)際工作時(shí)的可能比較高溫度，工作溫度越高，短路保護(hù)時(shí)間就應(yīng)該越短。本文討論的短路保護(hù)時(shí)間是指MOSFET能承受的**長短路時(shí)間。在設(shè)計(jì)短路保護(hù)電路時(shí)，應(yīng)考慮硬件及軟件的響應(yīng)時(shí)間，以及電流保護(hù)的峰值，這些參數(shù)都會(huì)影響到**終的保護(hù)時(shí)間，四川原裝電子線圈，四川原裝電子線圈。因此，硬件電路設(shè)計(jì)和軟件的編寫致關(guān)重要。本文討論的短路保護(hù)時(shí)間是單次短路保護(hù)時(shí)間，短路后短時(shí)間內(nèi)不能再次短路。如果設(shè)計(jì)成周期性短路保護(hù)，則短路保護(hù)時(shí)間應(yīng)更短。4結(jié)論短路保護(hù)在瞬間大電流時(shí)能對(duì)MOSFET提供可靠的快速保護(hù)，增加了控制的可靠性，減少了控制器的損壞率。

    從而使得安裝板1內(nèi)的電磁線圈401通過導(dǎo)線6的電連接，進(jìn)行發(fā)熱，且安裝板1上開設(shè)的安裝槽2由六個(gè)線圈隔斷條3分隔成十六個(gè)相對(duì)稱的發(fā)熱槽7，且環(huán)形線圈模塊4均勻安裝于十六個(gè)相對(duì)稱的發(fā)熱槽7內(nèi)部，從而使得裝置的發(fā)熱效果相對(duì)均勻，使得烹飪效果得到了極大的提高，通過開設(shè)在安裝板1上的安裝槽2，且環(huán)形線圈模塊4與線圈隔斷條3均位于安裝槽2的內(nèi)部，且線圈隔斷條3把安裝槽2分為十六個(gè)發(fā)熱槽7，且環(huán)形線圈模塊4均勻安裝于十六個(gè)發(fā)熱槽7內(nèi)，且線圈隔斷條3的材質(zhì)為可隔絕輻射材料，從而使得線圈隔斷條3可均勻?qū)Νh(huán)形線圈模塊4工作時(shí)產(chǎn)生的輻射進(jìn)行隔絕防護(hù)，且線圈隔斷條3的外側(cè)固定安裝有防輻射外環(huán)5，進(jìn)一步的增加了防輻射的效果，且隔熱圈8對(duì)防輻射外環(huán)5起到防護(hù)隔熱作用，從而使得裝置達(dá)到防輻射效果好的目的，增加了裝置安全性，從而使裝置達(dá)到發(fā)熱效果均勻且防輻射效果好的優(yōu)勢(shì)。需要說明的是，在本文中，諸如和第二等之類的關(guān)系術(shù)語**用來將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含。

諧振電容: c 單位:PF 本題建義c=500...1000pf 可自行先決定，或由Q值決定

諧振電感: l 單位: 微亨

線圈電感的計(jì)算公式

1。針對(duì)環(huán)形線圈,有以下公式可利用: (鐵芯)

L=N2.AL L= 電感值(H)

H-DC=0.4πNI / l N= 線圈匝數(shù)(圈)

AL= 感應(yīng)系數(shù)

H-DC=直流磁化力 I= 通過電流(A)

l= 磁路長度(cm)

l及AL值大小，可參照Microl對(duì)照表。例如: 以T50-52材，線圈5圈半，其L值為T50-52(表示OD為0.5英吋)，經(jīng)查表其AL值約為33nH

L=33.(5.5)2=998.25nH≒1μH

當(dāng)流過10A電流時(shí)，其L值變化可由l=3.74(查表)

H-DC=0.4πNI / l = 0.4×3.14×5.5×10 / 3.74 = 18.47 (查表后)

即可了解L值下降程度(μi%)

2。介紹一個(gè)經(jīng)驗(yàn)公式

L=(k*μ0*μs*N2*S)/l

其中

μ0 為真空磁導(dǎo)率=4π*10(-7)。(10的負(fù)七次方)

μs 為線圈內(nèi)部磁芯的相對(duì)磁導(dǎo)率，空心線圈時(shí)μs=1

N2 為線圈圈數(shù)的平方

S 線圈的截面積，單位為平方米

l 線圈的長度， 單位為米

k 系數(shù)，取決于線圈的半徑(R)與長度(l)的比值。

文章來源地址: http://www.cdcfah.com/cp/314319.html