導(dǎo)致控制器三相輸出線短路時(shí)的短路電流各不相同，所以設(shè)計(jì)者應(yīng)跟據(jù)自己的實(shí)際電路和使用條件設(shè)計(jì)合理的保護(hù)時(shí)間。短路保護(hù)時(shí)間計(jì)算步驟：計(jì)算MOSFVBHET短路時(shí)允許的瞬態(tài)溫升因?yàn)榭刂破饔锌赡苁窃谡９ぷ鲿r(shí)突然短路，所以我們的設(shè)計(jì)應(yīng)是基于正常工作時(shí)的溫度來(lái)計(jì)算允許的瞬態(tài)溫升。MOSFET的結(jié)點(diǎn)溫度可由下式計(jì)算：Tj=Tc+P×Rth(jc)其中：Tc：MOSFET表面溫度Tj：MOSFET結(jié)點(diǎn)溫度Rth(jc)：結(jié)點(diǎn)至表面的熱阻，可從元器件Dateet中查得。理論上MOSFET的結(jié)點(diǎn)溫度不能超過(guò)175℃，廣東電子線圈****，所以電機(jī)相線短路時(shí)MOSFET允許的溫升為：Trising=Tjmax-Tj=175-109=66℃。根據(jù)瞬態(tài)溫升和單脈沖功率計(jì)算允許的單脈沖時(shí)的熱阻由圖2可知，短路時(shí)MOSFET耗散的功率約為：P=Vds×I=25×400=10000W脈沖的功率也可以通過(guò)將圖二測(cè)得波形存為EXCEL格式的數(shù)據(jù)，然后通過(guò)EXCEL進(jìn)行積分，從而得到比較精確的脈沖功率數(shù)據(jù)，廣東電子線圈****，廣東電子線圈****。對(duì)于MOSFET溫升計(jì)算有如下公式：Trising=P×Zθjc×Rθjc其中：Rθjc------結(jié)點(diǎn)至表面的熱阻，可從元器件Dateet中查得。Zθjc------熱阻系數(shù)Zθjc=Trising÷(P×Rθjc)Zθjc=66÷(10000×)=根據(jù)單脈沖的熱阻系數(shù)確定允許的短路時(shí)間由圖3**下面一條曲線(單脈沖)可知，對(duì)于單脈沖來(lái)說(shuō)。

    得到的散射參數(shù)；s2、獲取待測(cè)中間繼電器線圈的散射參數(shù)，將該散射參數(shù)分別加入s1建立的a組和b組中，進(jìn)行聚類，若待測(cè)中間繼電器的散射參數(shù)與a組為一類，則確定待測(cè)中間繼電器正常，若待測(cè)中間繼電器的散射參數(shù)與b組為一類，則確定待測(cè)中間繼電器出現(xiàn)軟故障；本實(shí)施方式的散射參數(shù)包括相頻特性中相角為零對(duì)應(yīng)的頻率。本實(shí)施方式為了實(shí)現(xiàn)對(duì)中間繼電器線圈的軟故障檢測(cè)，首先需要采集多組正常中間繼電器和存在軟故障的s參數(shù)，記錄它們的相頻特性中相角為零時(shí)對(duì)應(yīng)的頻率作為軟故障檢測(cè)時(shí)的比對(duì)分析對(duì)照組。對(duì)待測(cè)中間繼電器進(jìn)行軟故障檢測(cè)操作時(shí)，獲取待測(cè)中間繼電器的s參數(shù)，即：相頻特性中相角為零時(shí)對(duì)應(yīng)的頻率，將此頻率放入到提前構(gòu)建好的樣本數(shù)據(jù)對(duì)照組中，再利用聚類方法對(duì)所有數(shù)據(jù)進(jìn)行聚類分析，根據(jù)**終聚類結(jié)果可以分析出待測(cè)繼電器是否存在軟故障。為了實(shí)現(xiàn)對(duì)中間繼電器線圈的軟故障檢測(cè)，首先需要采集多組正常中間繼電器和存在軟故障的s參數(shù)，記錄它們的相頻特性中相角為零時(shí)對(duì)應(yīng)的頻率，即中間繼電器線圈自身固有的諧振頻率，將此諧振頻率作為軟故障檢測(cè)時(shí)的比對(duì)分析對(duì)照組。推薦實(shí)施例中，本實(shí)施方式的s1包括：s11、準(zhǔn)備一批完好無(wú)損的中間繼電器。

我公司無(wú)錫東英電子有限公司成立于1992年，是一家定制和設(shè)計(jì)各種電線圈，電磁閥，傳感器和噴射模型的制造商。作為電線圈制造商，我們的可制造性是**重要的優(yōu)勢(shì)之一。我公司擁有80多臺(tái)自動(dòng)或半自動(dòng)繞線機(jī)，20多名專業(yè)工程師和220名熟練工人。我們每年生產(chǎn)5000萬(wàn)個(gè)電線圈和1000萬(wàn)個(gè)電磁閥或傳感器組件。

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