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價(jià)格要求:面議
所在地:江蘇省
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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:上海電子線圈承諾守信
***更新:2020-06-20 19:25:33
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詳細(xì)說(shuō)明
可實(shí)時(shí)檢測(cè)到車(chē)用電磁閥的短路狀態(tài)和斷路狀態(tài),電路結(jié)構(gòu)精簡(jiǎn),實(shí)現(xiàn)方式簡(jiǎn)單且成本較低。cpld控制器可以依據(jù)檢測(cè)到的短路/斷路狀態(tài)切斷驅(qū)動(dòng)輸出,達(dá)到實(shí)時(shí)保護(hù)的目的,并鎖定短路/斷路狀態(tài)反饋給mcu,實(shí)現(xiàn)閉環(huán)反饋功能。附圖說(shuō)明圖1是本申請(qǐng)公開(kāi)的車(chē)用電磁閥的故障檢測(cè)電路的電路結(jié)構(gòu)圖,上海電子線圈承諾守信。圖2是車(chē)用電磁閥正常工作狀態(tài)下的信號(hào)相位圖。圖3是車(chē)用電磁閥斷路工作狀態(tài)下的信號(hào)相位圖。圖4是車(chē)用電磁閥短路工作狀態(tài)下的信號(hào)相位圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式做進(jìn)一步說(shuō)明。本申請(qǐng)公開(kāi)了一種車(chē)用電磁閥的故障檢測(cè)電路,請(qǐng)參考圖1所示的電路圖,該故障檢測(cè)電路包括mcu、cpld控制器、車(chē)用電磁閥驅(qū)動(dòng)電路、車(chē)用電磁閥t1、電阻r1、第二電阻r2、第三電阻r3以及二極管d,上海電子線圈承諾守信,mcu的驅(qū)動(dòng)使能端en端連接cpld控制器并輸出驅(qū)動(dòng)使能信號(hào),cpld控制器的驅(qū)動(dòng)輸出端c1連接車(chē)用電磁閥驅(qū)動(dòng)電路并輸出驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)。車(chē)用電磁閥t1的一端連接電阻r1、另一端接地,電阻r1的另一端接+24v電壓,車(chē)用電磁閥t1和電阻r1的公共端a連接車(chē)用電磁閥驅(qū)動(dòng)電路的輸出端。車(chē)用電磁閥t1和電阻r1的公共端還通過(guò)第二電阻r2連接二極管d的正極,上海電子線圈承諾守信,二極管d的負(fù)極連接+,二極管d的正極還通過(guò)第三電阻r3接地。
我們的公司DY生產(chǎn)塑料芯線圈已有20多年的歷史了。我們豐富的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)使我們能夠根據(jù)客戶(hù)要求定制各種塑料芯線圈,例如:點(diǎn)火線圈,螺線管,繼電器線圈和其他不同的線圈。
由于我們擁有注塑機(jī),因此可以制造塑料芯線圈的塑料結(jié)構(gòu),從而降低了成本。此外,我們可以更好地了解質(zhì)量。結(jié)構(gòu)的質(zhì)量也會(huì)影響塑料芯線圈的質(zhì)量。例如,如果結(jié)構(gòu)上有毛刺,這些毛刺可能會(huì)刺穿漆包線,然后在使用過(guò)程中使線圈無(wú)用。因此,如果出現(xiàn)故障,我們的工人將檢查每個(gè)結(jié)構(gòu)。
我們提供PA66,PA46,PPA和PPE塑料芯線圈結(jié)構(gòu)材料供您選擇。如果您對(duì)材料有其他要求,我們也可以滿(mǎn)足您的要求。
電動(dòng)車(chē)無(wú)刷電機(jī)控制器短路的工作模型解決方案:溫升公式:Tj=Tc+P×Rth(jc)根據(jù)單脈沖的熱阻系數(shù)確定允許的短路時(shí)間工作溫度越高短路保護(hù)時(shí)間就應(yīng)該越短1短路模型及分析短路模型如圖1所示,其中*畫(huà)出了功率輸出級(jí)的A、B兩相(共三相)。Q1和Q3為A相MOSFET,Q2和Q4為B相MOSFET,所有功率MOSFET均為AOT430。L1為電機(jī)線圈,Rs為電流檢測(cè)電阻。當(dāng)控制器工作時(shí),如電機(jī)短路,則會(huì)形成如圖1中所示的流經(jīng)Q2,Q3的短路電流,其電流值很大,達(dá)幾百安培,MOSFET的瞬態(tài)溫升很大,這種情況下應(yīng)及時(shí)保護(hù),否則會(huì)使MOSFET結(jié)點(diǎn)溫度過(guò)高而使MOSFET損壞。短路時(shí)Q3電壓和電流波形如圖2所示。圖2a中的MOSFET能承受45us的大電流短路,而圖2b中的MOSFET不能承受45us的大電流短路,當(dāng)脈沖45us關(guān)斷后,Vds回升,由于溫度過(guò)高,*經(jīng)過(guò)10us的時(shí)間MOSFET便短路,Vds迅速下降,短路電流迅速上升。由圖2我們可以看出短路時(shí)峰值電流達(dá)500A,這是由于短路時(shí)MOSFET直接將電源正負(fù)極短路,回路阻抗是導(dǎo)線,PCB走線及MOSFET的Rds(on)之和,其數(shù)值很小,一般為幾十毫歐至幾百毫歐。2計(jì)算合理的保護(hù)時(shí)間在實(shí)際應(yīng)用中,不同設(shè)計(jì)的控制器,其回路電感和電阻存在一定的差別以及短路時(shí)的電源電壓不同。
文章來(lái)源地址: http://www.cdcfah.com/cp/330011.html
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