本地電子線圈產(chǎn)品基本性能要求無錫東英電子供應(yīng)

需求數(shù)量：0

價格要求：面議

所在地：江蘇省

包裝要求：

產(chǎn)品關(guān)鍵詞：本地電子線圈產(chǎn)品基本性能要求

***更新：2020-06-27 03:22:48

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公司基本資料信息

無錫東英電子有限公司

聯(lián)系人：朱淇華

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詳細說明

導(dǎo)致控制器三相輸出線短路時的短路電流各不相同，所以設(shè)計者應(yīng)跟據(jù)自己的實際電路和使用條件設(shè)計合理的保護時間。短路保護時間計算步驟：計算MOSFVBHET短路時允許的瞬態(tài)溫升因為控制器有可能是在正常工作時突然短路，所以我們的設(shè)計應(yīng)是基于正常工作時的溫度來計算允許的瞬態(tài)溫升。MOSFET的結(jié)點溫度可由下式計算：Tj=Tc+P×Rth(jc)其中：Tc：MOSFET表面溫度Tj：MOSFET結(jié)點溫度Rth(jc)：結(jié)點至表面的熱阻，可從元器件Dateet中查得。理論上MOSFET的結(jié)點溫度不能超過175℃，所以電機相線短路時MOSFET允許的溫升為：Trising=Tjmax-Tj=175-109=66℃。根據(jù)瞬態(tài)溫升和單脈沖功率計算允許的單脈沖時的熱阻由圖2可知，短路時MOSFET耗散的功率約為：P=Vds×I=25×400=10000W脈沖的功率也可以通過將圖二測得波形存為EXCEL格式的數(shù)據(jù)，本地電子線圈產(chǎn)品基本性能要求，然后通過EXCEL進行積分，從而得到比較精確的脈沖功率數(shù)據(jù)。對于MOSFET溫升計算有如下公式：Trising=P×Zθjc×Rθjc其中：Rθjc------結(jié)點至表面的熱阻，本地電子線圈產(chǎn)品基本性能要求，可從元器件Dateet中查得，本地電子線圈產(chǎn)品基本性能要求。Zθjc------熱阻系數(shù)Zθjc=Trising÷(P×Rθjc)Zθjc=66÷(10000×)=根據(jù)單脈沖的熱阻系數(shù)確定允許的短路時間由圖3**下面一條曲線(單脈沖)可知，對于單脈沖來說。

二)技術(shù)方案為實現(xiàn)上述發(fā)熱效果均勻且防輻射效果好的目的，本實用新型提供如下技術(shù)方案：一種陣列電磁線圈盤，包括安裝板，所述安裝板的正面開設(shè)有安裝槽，所述安裝槽的內(nèi)部固定安裝有六個線圈隔斷條，所述安裝槽的內(nèi)部通過六個線圈隔斷條分割為十六個發(fā)熱槽，所述發(fā)熱槽的內(nèi)部均固定安裝有環(huán)形線圈模塊，所述環(huán)形線圈模塊位于線圈隔斷條的內(nèi)側(cè)，所述環(huán)形線圈模塊由七個電磁線圈組成，七個所述電磁線圈依次電連接，所述環(huán)形線圈模塊的外側(cè)固定安裝有防輻射外環(huán)，所述防輻射外環(huán)與環(huán)形線圈模塊的連接設(shè)置有隔熱圈，所述隔熱圈的內(nèi)側(cè)固定連接于環(huán)形線圈模塊的外側(cè)，所述隔熱圈的外側(cè)固定連接于防輻射外環(huán)的內(nèi)側(cè)，十六個所述環(huán)形線圈模塊均固定連接有導(dǎo)線，十六個所述環(huán)形線圈模塊通過導(dǎo)線串聯(lián)，所述導(dǎo)線與環(huán)形線圈模塊電連接，所述導(dǎo)線貫穿線圈隔斷條串聯(lián)于十六個環(huán)形線圈模塊，所述安裝板的頂部開設(shè)有電源孔，所述電源孔的底部連通安裝槽的頂部，所述電源孔的內(nèi)部設(shè)置有外接線，所述外接線依次貫穿防輻射外環(huán)和隔熱圈并延伸至隔熱圈的內(nèi)側(cè)，所述外接線的底部固定連接于其正下方的環(huán)形線圈模塊內(nèi)。推薦的，所述線圈隔斷條包括橫向隔斷條與縱向隔斷條。