發(fā)信息 做推廣 就找產(chǎn)品網(wǎng)企業(yè)電商信息綜合服務(wù)平臺(tái)
當(dāng)前位置:首頁?產(chǎn)品供應(yīng)?電子元器件?電子材料、零部件、結(jié)構(gòu)件 ?半導(dǎo)體材料
按行業(yè)瀏覽
珠海貴金屬真空鍍膜技術(shù) 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
薄膜應(yīng)力的起源是薄膜生長過程中的某種結(jié)構(gòu)不完整性(雜質(zhì)、空位、晶粒邊界、錯(cuò)位等)、表面能態(tài)的存在、薄膜與基底界面間的晶格錯(cuò)配等磁控濺射由于其內(nèi)部電場的存在，還可...
[半導(dǎo)體材料]2021-01-13 06:28:31
遼寧半導(dǎo)體材料刻蝕價(jià)錢 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
刻蝕工藝去除晶圓表面的特定區(qū)域，以沉積其它材料?！案煞ā保ǖ入x子）刻蝕用于形成電路，而“濕法”刻蝕（使用化學(xué)?。┲饕糜谇鍧嵕A。干法刻蝕是半導(dǎo)體制造中較常用的...
[半導(dǎo)體材料]2021-01-13 05:30:24
真空鍍膜價(jià)錢 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子會(huì)受到電場和磁場作用，被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)，以近似擺線形式在靶表面做圓周運(yùn)動(dòng)...
[半導(dǎo)體材料]2021-01-13 04:34:00
天津GaN材料刻蝕價(jià)格 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
在半導(dǎo)體制造中有兩種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法腐蝕。干法刻蝕是把硅片表面曝露于氣態(tài)中產(chǎn)生的等離子體，等離子體通過光刻膠中開出的窗口，與硅片發(fā)生物理或化學(xué)反應(yīng)...
[半導(dǎo)體材料]2021-01-13 03:26:33
重慶ITO鍍膜真空鍍膜價(jià)格 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
熱氧化氧化過程主要分兩個(gè)步驟：步驟一：氧氣或者水蒸氣等吸附到氧化硅表面，步驟二：氧氣或者水蒸氣等擴(kuò)散到硅表面，步驟三：氧氣或者水蒸氣等與硅反應(yīng)生成氧化硅，重慶I...
[半導(dǎo)體材料]2021-01-13 03:26:33
福建等離子體增強(qiáng)氣相沉積真空鍍膜加工 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
磁控濺射可用于不同金屬合金的共濺射，同時(shí)使用多個(gè)靶qiang電源和不同靶材，例如TiW合金，通過獨(dú)自調(diào)整Ti、W的濺射速率，福建等離子體增強(qiáng)氣相沉積真空鍍膜加工...
[半導(dǎo)體材料]2021-01-13 01:27:14
天津Si材料刻蝕加工平臺(tái) 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
二氧化硅的干法刻蝕：刻蝕原理氧化物的等離子體刻蝕工藝大多采用含有氟碳化合物的氣體進(jìn)行刻蝕。使用的氣體有四氟化碳(CF)、八氟丙烷(C，F(xiàn)8)、三氟甲烷(CHF3...
[半導(dǎo)體材料]2021-01-13 00:41:44
東莞Si材料刻蝕加工工廠 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
二氧化硅的干法刻蝕：刻蝕原理氧化物的等離子體刻蝕工藝大多采用含有氟碳化合物的氣體進(jìn)行刻蝕。使用的氣體有四氟化碳(CF)、八氟丙烷(C，F(xiàn)8)、三氟甲烷(CHF3...
[半導(dǎo)體材料]2021-01-12 08:27:48
黑龍江ITO鍍膜真空鍍膜技術(shù) 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
PECVD一般用到的氣體有硅烷、笑氣、氨氣等其他。這些氣體通過氣管進(jìn)入在反應(yīng)腔體，在射頻源的左右下，氣體被電離成活性基團(tuán)。活性基團(tuán)進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，在低溫（300攝...
[半導(dǎo)體材料]2021-01-12 08:27:48
山西刻蝕微納加工平臺(tái) 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
眾所周知，微納米技術(shù)是我國貫徹落實(shí)“中國制造2025”和“中國創(chuàng)新2030”的重要舉措與中心技術(shù)需求，是促進(jìn)制造業(yè)高級(jí)化、綠色化、智能化的重要基礎(chǔ)?；谖矬w微米...
[半導(dǎo)體材料]2021-01-12 08:27:48
遼寧深硅刻蝕材料刻蝕價(jià)格 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
反應(yīng)離子刻蝕：這種刻蝕過程同時(shí)兼有物理和化學(xué)兩種作用。輝光放電在零點(diǎn)幾到幾十帕的低真空下進(jìn)行。硅片處于陰極電位，放電時(shí)的電位大部分降落在陰極附近。大量帶電粒子受...
[半導(dǎo)體材料]2021-01-12 07:22:57
山西低壓氣相沉積真空鍍膜服務(wù) 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
磁控濺射由于其內(nèi)部電場的存在，還可在襯底端引入一個(gè)負(fù)偏壓，使濺射速率和材料粒子的方向性增加。所以磁控濺射常用來沉積TSV結(jié)構(gòu)的阻擋層和種子層，通過對(duì)相關(guān)參數(shù)的調(diào)...
[半導(dǎo)體材料]2021-01-12 07:22:57
