當(dāng)前位置:首頁?產(chǎn)品供應(yīng)?電子元器件?電子材料、零部件、結(jié)構(gòu)件 ?半導(dǎo)體材料
按行業(yè)瀏覽
上海金屬真空鍍膜服務(wù) 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
熱氧化是在一定的溫度和氣體條件下,使硅片表面氧化一定厚度的氧化硅的。主要有干法氧化和濕法氧化,干法氧化是在硅片表面通入氧氣,硅片與氧化反應(yīng)生成氧化硅,氧化速率比...
[半導(dǎo)體材料]2021-01-12 06:22:25
河南氧化硅材料刻蝕外協(xié) 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
濕法刻蝕是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù),是利用合適的化學(xué)試劑先將未被光刻膠覆蓋的晶片部分分解,然后轉(zhuǎn)成可溶的化合物達(dá)到去除的目的。濕法刻蝕是刻蝕的一種...
[半導(dǎo)體材料]2021-01-12 06:22:25
重慶氮化鎵材料刻蝕加工工廠 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
刻蝕工藝主要分為兩種:干法刻蝕和濕法刻蝕。干法刻蝕是通過等離子氣與硅片發(fā)生物理或化學(xué)反應(yīng)(或結(jié)合物理、化學(xué)兩種反應(yīng))的方式將表面材料去除,主要用于亞微米尺寸下刻...
[半導(dǎo)體材料]2021-01-12 05:22:14
廣東氧化硅材料刻蝕價(jià)錢 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
濕法刻蝕是化學(xué)清洗方法中的一種,是化學(xué)清洗在半導(dǎo)體制造行業(yè)中的應(yīng)用,廣東氧化硅材料刻蝕價(jià)錢,是用化學(xué)方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過程。其基本目的是在涂...
[半導(dǎo)體材料]2021-01-12 04:23:00
山東半導(dǎo)體微納加工外協(xié) 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
微納測試與表征技術(shù)是微納加工技術(shù)的基礎(chǔ)與前提,它包括在微納器件的設(shè)計(jì)、制造和系統(tǒng)集成過程中,對各種參量進(jìn)行微米/納米檢測的技術(shù)。微米測量主要服務(wù)于精密制造和微加...
[半導(dǎo)體材料]2021-01-12 00:39:41
深圳半導(dǎo)體材料刻蝕加工工廠 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
二氧化硅的干法刻蝕:刻蝕原理氧化物的等離子體刻蝕工藝大多采用含有氟碳化合物的氣體進(jìn)行刻蝕。使用的氣體有四氟化碳(CF)、八氟丙烷(C,F(xiàn)8)、三氟甲烷(CHF3...
[半導(dǎo)體材料]2021-01-11 08:28:35
四川貴金屬真空鍍膜技術(shù) 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
解決靶中毒主要有以下幾種方法;1.使用射頻電源進(jìn)行濺射;2.采用閉環(huán)控制反應(yīng)氣體通入流量;3.使用孿生靶交替濺射;4,四川貴金屬真空鍍膜技術(shù).控制鍍膜模式的變換...
[半導(dǎo)體材料]2021-01-11 07:24:59
四川共濺射真空鍍膜加工廠商 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
熱氧化與化學(xué)氣相沉積不同,她是通過氧氣或水蒸氣擴(kuò)散到硅表面并進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)形成氧化硅。熱氧化形成氧化硅時(shí),會(huì)消耗相當(dāng)于氧化硅膜厚的45%的硅。熱氧化氧化過程主要分...
[半導(dǎo)體材料]2021-01-11 06:21:59
數(shù)字光刻價(jià)格 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝。是對半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進(jìn)行開孔,以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅...
[半導(dǎo)體材料]2021-01-11 05:23:59
浙江叉指電極真空鍍膜技術(shù) 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
磁控濺射一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍,而不導(dǎo)電的陶磁材料則使用RF交流濺鍍,基本的原理是在真空中利用輝光放電(glowdischarge)將氬氣(Ar)離子撞擊...
[半導(dǎo)體材料]2021-01-11 04:23:18
遼寧真空鍍膜多少錢 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
使用等離子體增強(qiáng)氣相沉積法(PECVD)可在低溫(200-350℃)沉積出良好的氧化硅薄膜,已被普遍應(yīng)用于半導(dǎo)體器件工藝當(dāng)中。在LED工藝當(dāng)中,因?yàn)镻ECVD生...
[半導(dǎo)體材料]2021-01-11 04:23:18
中山氮化硅材料刻蝕多少錢 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)
刻蝕工藝去除晶圓表面的特定區(qū)域,以沉積其它材料?!案煞ā保ǖ入x子)刻蝕用于形成電路,而“濕法”刻蝕(使用化學(xué)?。┲饕糜谇鍧嵕A。干法刻蝕是半導(dǎo)體制造中較常用的...
[半導(dǎo)體材料]2021-01-11 03:21:49