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等向性刻蝕：大部份的濕刻蝕液均是等向性，換言之，對刻蝕接觸點之任何方向腐蝕速度并無明顯差異。故一旦定義好刻蝕掩膜的圖案，暴露出來的區(qū)域，便是往下腐蝕的所在；蘭記...

[半導體材料]2020-12-14 05:26:17

廣東省科學院半導體研究所 [ 已審核 ]

刻蝕工藝主要分為兩種：干法刻蝕和濕法刻蝕。干法刻蝕是通過等離子氣與硅片發(fā)生物理或化學反應（或結(jié)合物理、化學兩種反應）的方式將表面材料去除，主要用于亞微米尺寸下刻...

[半導體材料]2020-12-14 04:26:08

廣東省科學院半導體研究所 [ 已審核 ]

光刻膠是另一個剝離的例子?？偟膩碚f，有圖形刻蝕和無圖形刻蝕工藝條件能夠采用干法刻蝕或濕法腐蝕技術來實現(xiàn)。為了復制硅片表面材料上的掩膜圖形，刻蝕必須滿足一些特殊的...

[半導體材料]2020-12-14 04:26:08

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刻蝕也可以分成有圖形刻蝕和無圖形刻蝕。有圖形刻蝕采用掩蔽層（有圖形的光刻膠）來定義要刻蝕掉的表面材料區(qū)域，只有硅片上被選擇的這一部分在刻蝕過程中刻掉。有圖形刻蝕...

[半導體材料]2020-12-14 03:23:06

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光刻膠是另一個剝離的例子，黑龍江MEMS材料刻蝕加工?？偟膩碚f，有圖形刻蝕和無圖形刻蝕工藝條件能夠采用干法刻蝕或濕法腐蝕技術來實現(xiàn)。為了復制硅片表面材料上的掩膜...

[半導體材料]2020-12-14 02:22:50

廣東省科學院半導體研究所 [ 已審核 ]

經(jīng)過前面的一系列工藝已將光刻掩膜版的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上。為了制作元器件，需將光刻膠上的圖形進一步轉(zhuǎn)移到光刻膠下層的材料上。這個任務就由刻蝕來完成，天津Si材料刻...

[半導體材料]2020-12-14 02:22:50

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基本工藝要求理想的刻蝕工藝必須具有以下特點：①各向異性刻蝕，遼寧硅材料刻蝕價錢，即只有垂直刻蝕，沒有橫向鉆蝕。這樣才能保證精確地在被刻蝕的薄膜上復制出與抗蝕劑上...

[半導體材料]2020-12-14 01:23:53

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“刻蝕”指用化學和物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料，是晶圓制造中不可或缺的關鍵步驟?？涛g技術按工藝可以分為濕法刻蝕與干法刻蝕，其中干法刻蝕是目前8英寸...

[半導體材料]2020-12-13 09:37:29

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等離子刻蝕是將電磁能量（通常為射頻（RF））施加到含有化學反應成分（如氟或氯）的氣體中實現(xiàn)。等離子會釋放帶正電的離子來撞擊晶圓以去除（刻蝕）材料，江西氧化硅材料...

[半導體材料]2020-12-13 08:36:01

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經(jīng)過前面的一系列工藝已將光刻掩膜版的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上。為了制作元器件，需將光刻膠上的圖形進一步轉(zhuǎn)移到光刻膠下層的材料上。這個任務就由刻蝕來完成。刻蝕就是將涂膠...

[半導體材料]2020-12-13 06:24:59

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在等離子蝕刻工藝中,發(fā)生著許多的物理現(xiàn)象。當在腔體中使用電極（DC或RF激發(fā)）或微波產(chǎn)生一個強電場,這個電場會加速所有的自由電子并提高他們的內(nèi)部能量(由于宇宙射...

[半導體材料]2020-12-13 05:24:54

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濕法刻蝕是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進行腐蝕的技術，是利用合適的化學試劑先將未被光刻膠覆蓋的晶片部分分解，然后轉(zhuǎn)成可溶的化合物達到去除的目的。濕法刻蝕是刻蝕的一種...

[半導體材料]2020-12-13 04:25:29

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